元器件鑒定檢驗(yàn)工作程序和常用可靠性試驗(yàn)方法-v6see(編輯修改稿)
2025-03-09 16:40 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 單箱法 溫度循環(huán) 溫 度 試驗(yàn) 計(jì)時(shí)： 轉(zhuǎn)換時(shí)間 （ ≤ 1min) 樣品從一個(gè)極端溫度轉(zhuǎn)移到另一個(gè)極端溫度所經(jīng)歷的時(shí)間 保持時(shí)間 （ ≥ 10min) 樣品到達(dá)極端溫度（ ＜ 15min)后 停留的時(shí)間 循環(huán)次數(shù)： 大于 10次 中斷處理： 由于電源或設(shè)備故障，允許中斷試驗(yàn)，但是如果中斷次數(shù) 超過(guò)規(guī)定的循環(huán)總次數(shù)的 10％時(shí)，必須重新開(kāi)始。 失效判據(jù)： 外殼、引線、或封口有無(wú)缺陷或損壞，標(biāo)志是否清晰，以 及其他規(guī)定的參數(shù)是否合格。 溫度循環(huán) 溫 度 試驗(yàn) 目的： 檢驗(yàn)電子元器件在遇到溫度劇變時(shí)其抵抗和適應(yīng)能力的 試驗(yàn)。轉(zhuǎn)換時(shí)間小于 10s. 判據(jù)： 主要檢驗(yàn)襯底開(kāi)裂、絕緣體位移、引線焊接、封裝等缺 陷。 注意： 必須在規(guī)定的沖擊溫度上下限溫度點(diǎn)進(jìn)行規(guī)定的沖擊次 數(shù)，屬于非破壞性的檢測(cè)，篩選時(shí)為 100％檢驗(yàn)，質(zhì)量一 致性檢測(cè)時(shí)也可抽樣檢測(cè)。在篩選檢測(cè)中，不合格品必 須剔除。 熱沖擊試驗(yàn)： 密封 目的： 確定具有空腔的電子器件封裝的氣密性，密封不良會(huì)導(dǎo)致環(huán)境氛侵入器件內(nèi)部引起電性能不穩(wěn)定或腐蝕開(kāi)路 所需設(shè)備： 氦質(zhì)譜細(xì)檢漏（用于檢查 — 104 漏率） 氟油或乙二醇粗檢漏（用于檢查大于 ） 失效判據(jù)： 細(xì)檢： 測(cè)定漏率 粗檢： 從同一位置出來(lái)的一連串氣泡或兩個(gè)以上大氣泡 試驗(yàn)順序： 先細(xì)檢 后粗檢 試驗(yàn)過(guò)程需加壓 耐 濕 ? 目的： 用加速的方式評(píng)估元器件及所用材料在炎熱高濕（典型熱帶環(huán)境）下抗退化效應(yīng)的能力，本實(shí)驗(yàn)可以可靠的指出哪些元器件不可以在熱帶條件下使用。為破壞性試驗(yàn)。 ? 所需設(shè)備： 溫濕箱 ? 試驗(yàn)程序 ? 干燥－升溫－保持－降溫－升溫－保持－降溫 循環(huán) 10次 低溫子循環(huán) (至少 5次） 耐 濕 ? 濕度控制： 80％－ 100％ ? 試驗(yàn)時(shí)間： 10天左右 ? 失效判據(jù)： 標(biāo)志脫落、褪色、模糊 鍍層腐蝕或封裝零件腐蝕透 引線脫落，折斷或局部分離 因腐蝕導(dǎo)致的引線之間或引線與外殼搭接 輻照試驗(yàn)： 射線對(duì)物質(zhì)的最基本作用是電離作用，電離作用與物質(zhì)從射線吸收的能量有關(guān)對(duì)于定量的射線，物質(zhì)質(zhì)量越小，吸收越密集，影響越大。 其關(guān)系式如下： 射線劑量＝物質(zhì)吸收能量 /物質(zhì)的質(zhì)量。 輻照試驗(yàn)： 目的： 試驗(yàn)時(shí)，高能粒子進(jìn)入器件，使其微觀結(jié)構(gòu)變化，產(chǎn)生附加電荷或電流甚至缺陷，導(dǎo)致器件參數(shù)退化、鎖定、翻轉(zhuǎn)或產(chǎn)生浪涌電流燒壞失效。通過(guò)各種輻照效應(yīng)試驗(yàn)，可確定器件的致命損傷劑量、失效規(guī)律及失效機(jī)理，從而在材料、結(jié)構(gòu)、工藝和線路上進(jìn)行抗輻射的設(shè)計(jì)改進(jìn)。試驗(yàn)方案要依據(jù)不同的產(chǎn)品和不同的試驗(yàn)?zāi)康模x擇輻照的總劑量或劑量率及輻照時(shí)間，否則由于輻照過(guò)低或過(guò)量而得不到尋求的閾值或損壞樣品。 輻照試驗(yàn)： ? 中子輻照試驗(yàn) 在核反應(yīng)堆中進(jìn)行 ，測(cè)量半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境的性能退化的敏感性，是一種破壞性試驗(yàn)，主要檢測(cè)半導(dǎo)體器件關(guān)鍵參數(shù)和中子注入的關(guān)系 ? 總劑量輻照試驗(yàn) 總劑量輻照試驗(yàn)采用鈷 60放射源以穩(wěn)態(tài)形式對(duì)器件進(jìn)行輻照。為破壞性試驗(yàn)。主要用來(lái)判定低劑量率電離輻射對(duì)器件的作用。
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