太陽電池材料及其生產(chǎn)基礎(chǔ)概述(編輯修改稿)
2025-03-06 19:48 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 動電子移動 +—216。 因此， pn結(jié)中原來的電場被加強了，阻擋層厚度增加了。 n區(qū)中的多數(shù)載流子 —— 電子和 p區(qū)中的多數(shù)載流子 —— 空穴很難能過 pn結(jié)向?qū)Ψ揭苿?，這就是反向連接時電流極小的原因。但是，這時 p區(qū)中的少數(shù)載流子 —— 電子和 n區(qū)中的少數(shù)載流子—— 空穴在反向電場幫助向交界移動，電子由左方流向右方和空穴由右方流向左方形成反向電流，但由于少數(shù)載流子數(shù)量很少，反向電流是很小的。216。 因此，我們可以把 pn結(jié)看成是電流通道上的一道開關(guān)，接上正向電壓時（即 p型半導(dǎo)體接電池正極， n型半導(dǎo)體接電池負(fù)極），開關(guān)打開讓電流通過，我們稱此時 pn結(jié) “導(dǎo)漏 ”接上反向電壓時開關(guān)關(guān)上，阻止電流通過，我們稱此時 pn結(jié) “截止 ”。 pn結(jié)這種只讓電流單方向通過的性能稱 pn結(jié)的單向?qū)щ娦浴?16。 pn結(jié)的 “導(dǎo)通 ”和 “截止 ”是互相矛盾的兩個方面，雙方半爭又互相依存著，共處于一個統(tǒng)一體中，這兩個對立的雙方在一定外加電壓的條件下互相轉(zhuǎn)化。當(dāng)外加電壓極性改變時矛盾雙方各轉(zhuǎn)化到相反的方面。太陽能電池材料制造（以多晶硅為例）Si原材料清洗 將 Si原材料和相應(yīng)的摻雜源（ B）輸入石英爐進行熔化 Si熔化后對石英爐慢降溫， 使 SI緩慢結(jié)晶爐溫降至室溫時即制得多晶錠將 Si錠四周切割去掉，因結(jié)晶過程中與石英爐接觸形成的雜質(zhì)層測參數(shù)、壽命、電阻率 將塊狀的 Si按要求切割成 SI磚切割成薄片 清洗包裝太陽能電池片生產(chǎn)工藝流程圖（以多晶硅為例）對 Si片（一般為 P型摻雜）進行腐蝕以去掉切割過程中在 Si片正反兩面所形成的損傷層在 KOH中以各向異性腐蝕將 Si片表面制成增加光吸收的陷光效應(yīng)的絨面結(jié)構(gòu)將 Si片送入高溫電爐進行 n型磷擴散，以形成所需要的 pn結(jié)利用等離子體刻蝕去掉 Si片的邊緣以對電池片正反兩面實現(xiàn)電隔離在電池片的正面沉積起減反射和鈍化作用的 Si3N4膜層 利用絲網(wǎng)印刷在電池的背面制備金屬鋁層及焊接銀點。半導(dǎo)體制造過程的潔凈度要求216。 綜前所述雜質(zhì)對半導(dǎo)體的特性有著改變或破壞其性能的作用，所以在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中對什么都必須嚴(yán)格控制，雜質(zhì)有各種各樣的，如金屬離子會破壞半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性能，灰塵粒子破壞半導(dǎo)體器件的表面結(jié)構(gòu)等。一、生產(chǎn)環(huán)境潔凈216。 半導(dǎo)體器件生產(chǎn)環(huán)境要求很嚴(yán)，除了要求恒溫、恒濕外，對生產(chǎn)環(huán)境潔凈度要求很嚴(yán)，按單位體積中規(guī)定的尺寸灰塵粒子為標(biāo)準(zhǔn)分成潔凈度的等級。一般分為 10級、 100級、 1000級、 10000級、100000級，美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了潔凈室和潔凈區(qū)內(nèi)空氣浮游粒子潔凈等級。浮游粒子的潔凈等級216。 潔凈度以每立方米（每立方英尺）空氣中的最大允許粒子來確定。因圖標(biāo)單位等級名稱為每立方米空氣中大于等于 用對數(shù)值（以 10為底），用英制單位時等級名稱為每立方英尺空氣中大于等于 粒子數(shù)。216。
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