11基礎介紹太陽電池材料與生產(chǎn)基礎(編輯修改稿)
2025-02-27 18:12 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 步削弱原來 pn結的電場，所以電流更要增加。 p n 外加電場方向?qū)?pn結的影響 （ b）外加反向電壓時阻擋層變厚 + + + + + + pn結電場方向 外加反向電壓產(chǎn)生的電場方向 反向電流很小 空穴移動 電子移動 + — ? 因此， pn結中原來的電場被加強了，阻擋層厚度增加了。 n區(qū)中的多數(shù)載流子 —— 電子和 p區(qū)中的多數(shù)載流子 —— 空穴很難能過 pn結向?qū)Ψ揭苿?，這就是反向連接時電流極小的原因。但是，這時 p區(qū)中的少數(shù)載流子 —— 電子和 n區(qū)中的少數(shù)載流子 —— 空穴在反向電場幫助向交界移動，電子由左方流向右方和空穴由右方流向左方形成反向電流，但由于少數(shù)載流子數(shù)量很少，反向電流是很小的。 ? 因此，我們可以把 pn結看成是電流通道上的一道開關，接上正向電壓時（即 p型半導體接電池正極，n型半導體接電池負極），開關打開讓電流通過，我們稱此時 pn結“導漏”接上反向電壓時開關關上，阻止電流通過，我們稱此時 pn結“截止”。pn結這種只讓電流單方向通過的性能稱 pn結的單向?qū)щ娦浴? ? pn結的“導通”和“截止”是互相矛盾的兩個方面，雙方半爭又互相依存著，共處于一個統(tǒng)一體中，這兩個對立的雙方在一定外加電壓的條件下互相轉化。當外加電壓極性改變時矛盾雙方各轉化到相反的方面。 太陽能電池材料制造（以多晶硅為例） Si原材料清洗 將 Si原材料和相應的摻雜源（ B）輸入石英爐進行熔化 Si熔化后對石英爐慢降溫， 使 SI緩慢結晶 爐溫降至室溫時即制得多晶錠 將 Si錠四周切割去掉，因結晶過程中與石英爐接觸形成的雜質(zhì)層 測參數(shù)、壽命、電阻率 將塊狀的 Si按要求切割成 SI磚 切割成薄片 清洗包裝 太陽能電池片生產(chǎn)工藝流程圖（以多晶硅為例） 對 Si片（一般為 P型摻雜）進行 腐蝕以去掉切割過程中在 Si片正反兩面所形成的損傷層 在 KOH中以各向異性腐蝕將 Si片表面 制成增加光吸收的陷光效應的絨面結構 將 Si片送入高溫電爐進行 n型磷 擴散，以形成所需要的 pn結 利用等離子體刻蝕去掉 Si片的邊緣以對電池片正反兩面實現(xiàn)電隔離 在電池片的正面沉積起減反射和鈍化作用的 Si3N4膜層 利用絲網(wǎng)印刷在電池的背面制備金屬 鋁層及焊接銀點。 半導體制造過程的潔凈度要求 ? 綜前所述雜質(zhì)對半導體的特性有著改變或破壞其性能的作用，所以在半導體器件生產(chǎn)過程中對什么都必須嚴格控制，雜質(zhì)有各種各樣的，如金屬離子會破壞半導體器件的導電性能，灰塵粒子破壞半導體器件的表面結構等。 一、生產(chǎn)環(huán)境潔凈 ? 半導體器件生產(chǎn)環(huán)境要求很嚴，除了要求恒溫、恒濕外，對生產(chǎn)環(huán)境潔凈度要求很嚴，按單位體積中規(guī)定的尺寸灰塵粒子為標準分成潔凈度的等級。一般分為 10級、 100級、 1000級、 10000級、100000級，美國聯(lián)邦標準中規(guī)定了潔凈室和潔凈區(qū)內(nèi)空氣浮游粒子潔凈等
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