微電子技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)及挑戰(zhàn)(編輯修改稿)
2025-01-15 23:00 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 12 微電子技術(shù)的四個(gè)發(fā)展方向13 與微電子技術(shù)相關(guān)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì) （ 1） 器件尺寸不斷縮小，目前器件特征尺寸已進(jìn)入納米量級(jí)。器件尺寸繼續(xù)縮小將遇到很多物理問(wèn)題和技術(shù)挑戰(zhàn)。 （ 2） 集成度不斷提高，目前已經(jīng)可以把整個(gè)電子系統(tǒng)或子系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片里，形成集成系統(tǒng)芯片 SOC （ 3） 與集成電路技術(shù)相關(guān)的新材料不斷涌現(xiàn)，高 K柵介質(zhì)、低K互連介質(zhì)、新型化合物半導(dǎo)體材料等都成為目前的研究熱點(diǎn)。 （ 4） 微電子與其他學(xué)科結(jié)合誕生新的交叉學(xué)科，也是 21世紀(jì)的重要發(fā)展方向，例如集成光電子學(xué)、微機(jī)械電子學(xué)（ MEMS）、納電子學(xué)等。 14 發(fā)展遇到的問(wèn)題和挑戰(zhàn) ? 器件尺寸繼續(xù)縮小將遇到很多物理問(wèn)題和技術(shù)挑戰(zhàn)，為了解決這些問(wèn)題和挑戰(zhàn)，必須進(jìn)行新器件、新結(jié)構(gòu)、新工藝等研究。 15 微電子器件的特征尺寸繼續(xù)縮小 ? 第一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題： 超淺結(jié)形成 ? 隨著溝道的減小，會(huì)發(fā)生短溝道效應(yīng)為了得到低薄層淺結(jié)，必須采用高劑量低能量離子注入技術(shù)。 100nm技術(shù)所需的結(jié)深大約為 20~30nm,摻雜濃度為 1 1020個(gè) /cm179。. 16 ? 第二個(gè)關(guān)鍵技術(shù)層次：微細(xì)加工? 目前 0 . 1 8 ? m 和 0 . 1 3 ? m 已開(kāi)始進(jìn)入大生產(chǎn)? 0 . 0 6 5 ? m 大生產(chǎn)技術(shù)也已經(jīng)完成開(kāi)發(fā)，具備大生產(chǎn)的條件? 當(dāng)然仍有許多開(kāi)發(fā)與研究工作要做，例如 IP 模塊的開(kāi)發(fā)，為 E DA 服務(wù)的器件模型模擬開(kāi)發(fā)以及基于上述加工工藝的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)等? 在 0 . 1 3 0 . 0 4 5 u m 階段，最關(guān)鍵的加工工藝 — 光刻技術(shù)還是一疑難問(wèn)題微電子器件的特征尺寸繼續(xù)縮小17 Wavelength and Frequency of Electromagic Wave RF: Radio frequency。 MW: Microwave。 IR:
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