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正文內(nèi)容

基本單元電路3(編輯修改稿)

2024-10-27 16:27 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 utputs ?Signal pair S/Sbar can be used to isolate the output node leaving the device in a high impedance state. ?Disadvantage is that both rising and falling transitions must pass through 2 transistors Alternative Tristate Buffers(三態(tài)緩沖器) ?Non Inverting TriState Buffer ?Inverting TriState Buffer The Pass Transistor ?因為 MOSFET 可以當(dāng)成開關(guān)處理 , 因此有理由假設(shè)信號是有條件地從輸入到輸出 . ?因為源不接地時 , 如傳輸 VDD, 由于體效應(yīng)會造成閾值電壓的增加,并且 Vout = VDD – VTHN. ?因此 , NMOS 器件并不能有效地傳輸邏輯 ‘1’.(即在傳輸‘ 1’時有一個VTHN的損耗)。 ?同樣的 , PMOS 器件也不能有效地傳輸邏輯 ‘0’. (即在傳輸‘ 0’時有一個VTHP的損耗)。 The CMOS Transmission Gate tPHL = tPLH = (Rn ?? Rp)?CLoad S為傳輸門的控制信號。 S 是
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