清華大學(xué)-微機(jī)原理(編輯修改稿)
2024-10-22 18:37 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 輸出線 刷新放大器 單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)矩陣 地址總線 I/O緩沖器 數(shù)據(jù)總線 讀寫控制 /動(dòng)態(tài)刷新電路 RAS DRAM芯片的結(jié)構(gòu) 地址鎖存器 CAS WE 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ?DRAM的特點(diǎn) 所用管子少，芯片位密度高 功耗小 需要刷新 存取速度慢 DRAM主要用來做內(nèi)存 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ?DRAM的種類 FPM DRAM 存取時(shí)間 80~100ns EDO DRAM 存取時(shí)間 50~70ns SDRAM 存取時(shí)間 6~10ns SIMM—— Single Inline Memory Module 單列直插式內(nèi)存模塊 72線： 32位數(shù)據(jù)、 12位行列公用地址、 RAS、 CAS等 在 Pentium微型機(jī)中必須成對(duì)使用 FPM/EDO 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ?DRAM內(nèi)存條 的種類 DIMM—— Dual Inline Memory Module 雙列直插式內(nèi)存模塊 168線： 64位數(shù)據(jù)、 14位行列公用地址、 RAS、 CAS等 可單數(shù)使用 FPM/EDO/SDRAM 四、動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM） 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ?DRAM內(nèi)存條 的種類 五、只讀存儲(chǔ)器（ ROM） 六、內(nèi)存的擴(kuò)展 P. 169 位擴(kuò)展 地址擴(kuò)展 將多個(gè)內(nèi)存芯片用位擴(kuò)組裝成內(nèi)存模塊（即內(nèi)存條） 將多個(gè)內(nèi)存條插到內(nèi)存插槽中 —— 地址擴(kuò)展 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 七、內(nèi)存的奇偶校驗(yàn) 處理器 存儲(chǔ)器陣列 DRAM0 DRAM1 DRAM2 DRAM3 DRAM4 DRAM5 DRAM6 DRAM7 DRAMP
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