【總結(jié)】目錄目錄...............................................................................................................................................1第1章 緒論.....................
2025-06-18 13:41
【總結(jié)】電力電子技術(shù)第五版課后習(xí)題答案第二章電力電子器件2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。3.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通
2025-06-24 00:21
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第五版)教學(xué)課件清華大學(xué)閻石王紅聯(lián)系地址:清華大學(xué)自動化系郵政編碼:100084電子信箱:聯(lián)系電話:(010)62792973《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版第一章數(shù)制和碼制《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版
2025-05-11 02:17
【總結(jié)】第六章時序邏輯電路教學(xué)內(nèi)容§概述§時序邏輯電路的分析方法§若干常用的時序邏輯電路§時序邏輯電路的設(shè)計方法教學(xué)要求一.重點(diǎn)掌握的內(nèi)容:(1)時序邏輯電路的概念及電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn);(2)同步時序電路的一般分析方
2025-05-13 17:32
【總結(jié)】解:正弦波電壓表達(dá)式為,由于,于是得(1)(2)(3)(4)解:(1)方波信號在電阻上的耗散功率(2)可知直流分量、基波分量、三次諧波分量分別為、、,所以他們在電阻上的耗散功率為直流分量:基波分量:三次諧波分量:(3)三個分量占電阻上總耗散功率的百分比:前三者之和為:所占百分比:解:由圖可知,,所
2025-08-10 20:20
【總結(jié)】目錄83/83第1章第2章第3章第4章第5章第6章第7章第8章電力電子器件·············&
2025-06-23 20:09
【總結(jié)】TTL邏輯門BJT的開關(guān)特性基本BJT反相器的動態(tài)特性TTL反相器的基本電路TTL邏輯門電路集電極開路門和三態(tài)門BiMOS門電路一.二極管的開關(guān)特性二極管符號:正極負(fù)極+uD-二極管的伏安特性:IF0.50.7iD(mA
2025-04-29 08:28
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第五版)教學(xué)課件清華大學(xué)閻石王紅聯(lián)系地址:清華大學(xué)自動化系郵政編碼:100084電子信箱:聯(lián)系電話:(010)62792973《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版第八章可編程邏輯器件《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版第八章
2025-01-01 16:00
【總結(jié)】目錄目錄...............................................................................................................................................1第1章緒論..............
2024-10-31 09:50
【總結(jié)】第3章門電路概述分立元件門電路TTL門電路CMOS門電路概述?門電路是用以實(shí)現(xiàn)邏輯關(guān)系的電子電路。?常用門電路:與門、或門、非門、與非門、或非門、與或非門、異或門等二極管門電路三極管門電路TTL門電路MOS門電路PMOS門CMOS門邏輯門電路
2025-04-29 08:22
【總結(jié)】電力電子技術(shù)第五版答案僅供參考學(xué)習(xí)2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜
2024-10-29 07:30
【總結(jié)】《電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬部分(第六版)華中科技大學(xué)張林2華中科技大學(xué)張林電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分1緒論2運(yùn)算放大器3二極管及其基本電路4場效應(yīng)三極管及其放大電路5雙極結(jié)型三極管及其放大電路6頻率響應(yīng)7模擬集成電路8反饋放大電路9功
2025-08-15 23:04
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第五版)教學(xué)課件清華大學(xué)閻石王紅聯(lián)系地址:清華大學(xué)自動化系郵政編碼:100084電子信箱:聯(lián)系電話:(010)62792973《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版第五章觸發(fā)器《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版
2025-07-17 21:47
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》第五版機(jī)械工業(yè)出版社課后習(xí)題答案目錄第2章電力電子器件..............................................................................................2第3章整流電路........................
2024-11-17 21:26