硅與硅材料的應(yīng)用(編輯修改稿)
2025-09-12 02:26 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 Si+C=SiC （金剛砂 ) Si+2Mg=Mg2Si (離子化合物 )Si+4HF=SiF4+2H2 ↑ Si+2H2=SiH4 顯還原性 二氧化硅與單質(zhì)硅三、 二氧化硅中提取硅的工業(yè)流程 二氧化硅礦石 → 工業(yè)硅 → 硅晶體 【 二氧化硅礦石 → 工業(yè)硅 】 在高溫和強(qiáng)還原條件下一些由含硅原料和還原劑帶入的氧化物雜質(zhì)必然會(huì)得到部分被還原而進(jìn)入產(chǎn)品金屬相中。作為一般用途的工業(yè)硅 ,其雜質(zhì)含量并不構(gòu)成使用上的困難。但作為有機(jī)硅產(chǎn)品的原料 ,必須是化學(xué)級(jí)工業(yè)硅 , 因此必須進(jìn)行精煉 , 除去其中的 Ca、 Al等雜質(zhì)。 【 工業(yè)硅 → 硅晶體 】 工業(yè)硅 融化后重結(jié)晶，用酸除去雜質(zhì)，得到純度為 ~%的金屬硅。如要將它做成半導(dǎo)體用硅，還要將其轉(zhuǎn)化成易于提純的液體或氣體形式，再經(jīng)蒸餾、分解過(guò)程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進(jìn)行進(jìn)一步的提純處理。半導(dǎo)體硅的應(yīng)用半導(dǎo)體硅的應(yīng)用半導(dǎo)體硅的應(yīng)用一、二極管P型半導(dǎo)體 示意圖原理P型半導(dǎo)體的形成：在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成 P型半導(dǎo)體 相關(guān)知識(shí)多子： P型半導(dǎo)體中，多子為空穴。少子：為電子。受主原子：雜質(zhì)原子中的空位吸收電子，稱受主原子。P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強(qiáng)。 【 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體介紹 】 半導(dǎo)體硅的應(yīng)用一、二極管N型半導(dǎo)體 示意圖原理N型半導(dǎo)體的形成：在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 N型半導(dǎo)體 相關(guān)知識(shí)多子： N型半導(dǎo)體中，自由電子的濃度大于空穴的濃度，稱為多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱多子。少子：空穴為少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱少子。施子原子：雜質(zhì)原子可以提供電子，稱施子原子。N型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：是靠自由電子導(dǎo)電，摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強(qiáng)?！?P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體介紹 】 半導(dǎo)體硅的應(yīng)用vＰＮ結(jié)的形成及二極管原理 l 一塊單晶硅半導(dǎo)體中 ，一部分摻有受主雜質(zhì)是 P型半導(dǎo)體
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