集成光學器件的材料(編輯修改稿)
2024-09-01 18:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 為利用 CMOS微電子工藝實現(xiàn)光電集成提供了一個很好的平臺。 SOI材料中作為波導芯層的硅折射率很大，與作為包層的 SiO2之間有很大的折射率差 SOI光波導特點 1. 可以將 SiO2包覆層做的很薄（小于 1微米），便于 OEIC工藝的實現(xiàn) 2. 具有抗核輻射能力，在空間和軍工應用廣泛 3. 單模波導損耗可以很低，適合制作無源器件 直接帶隙半導體材料 1. InGaAsP材料體系（ Ⅲ Ⅴ 族為主） 1. GaAs、 InP（二元化合物） 2. InGaAs、 AlGaAs （三元化合物） 3. InGaAsP （四元化合物） 2. GaN材料體系 1. GaN、 AlN 3. MgZnSSe材料 體系 1. ZnSe、 ZnS 2. ZnSSe 表 InGaAsP材料體系主要參數(shù) 半導體材料 禁帶寬度eV 對應的波長?m 折射率 備注 GaAs LD 850nm LD InP 1310 nmLD 1550 nm LD 長波長PD/APD 表 纖鋅礦型 GaN、 AlN材料體系主要特性 特性 GaN AlN 禁帶寬度 eV （ T=300K） （ T=） （ T=300K） （ T=） 晶格常數(shù)（ 197。） a= c= a= c= 熱膨脹系數(shù) (K1)(T=300K) △ a/a= 106 △ c/c= 106 △ a/a= 106 △ c/c= 106 熱導率 (W/cm*K) 折射率 n(1eV)= n()= n= 介電常數(shù) ? ?相的 GaN為直接帶隙半導體， Eg= InxGa1xN的 Eg=~； AlxGa1xN的 Eg=~；均為直接帶隙半導體材料。是紫外 LED、 LD的主要材料。 ? 主要問題：
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1