器件的驅(qū)動(dòng)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 22:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 光耦通 —— V1通 —— 放大器輸出正電平 —— V2通 —— +VccV2R2構(gòu)成通路向 MOSFET柵極充電，加速 MOSFET導(dǎo)通 ? 實(shí)際應(yīng)用如功率器件的用量較大或可靠性要求較高，可選用集成驅(qū)動(dòng)電路 如驅(qū)動(dòng) GTR的有： THOMSON的 UAA4002，三菱公司的M57215BL 驅(qū)動(dòng) MOSFET的有：三菱公司的 M57918L， IR的 IR2110 驅(qū)動(dòng) IGBT的有：三菱公司的 M57962L和 M57959L，富士公司的 EXB840， EXB841等等。 電力電子器件器件的保護(hù) 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù) 過電流保護(hù) 緩沖電路（ Snubber Circuit） 在電力電子電路中，除了主電路設(shè)計(jì)正確，電力電子器件參數(shù)選擇合適，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)良好外，采用合適的過電壓保護(hù)，過電流保護(hù)， du/dt保護(hù)和 di/dt保護(hù)是必要的。 ? 過電壓的產(chǎn)生分外因過電壓和內(nèi)因過電壓兩類 : ： a. 操作過電壓 b．雷擊過電壓 ： a. 換相過電壓 b. 關(guān)斷過電壓 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù) 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù) ?電力電子裝置可能的過電壓 —— 外因過電壓 和 內(nèi)因過電壓 – 外因過電壓 主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外因 (1) 操作過電壓 ：由分閘 、 合閘等開關(guān)操作引起 (2) 雷擊過電壓 ：由雷擊引起 – 內(nèi)因過電壓 主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過程 (1) 換相過電壓 ：晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后不能立刻恢復(fù)阻斷 ， 因而有較大的反向電流流過 ， 當(dāng)恢復(fù)了阻斷能力時(shí) ， 反向電流急劇減小 ， 會(huì)由線路電感在器件兩端感應(yīng)出過電壓 (2) 關(guān)斷過電壓 ：全控型器件關(guān)斷時(shí) ， 正向電流迅速降低而由線路電感在器件兩端感應(yīng)出的過電壓 。 ? 過電壓和抑制措施及配置如圖 910所示。 ? 過壓抑制的種類： ． C電路 圖 910 過電壓抑制措施及配置位置 F? 避雷器 D? 變壓器靜電屏蔽層 C? 靜電感應(yīng)過電壓抑制電容 RC1? 閥側(cè)浪涌過電壓抑制用 RC電路 RC2? 閥側(cè)浪涌過電壓抑制用反向阻斷式 RC電路 RV? 壓敏電阻過電壓抑制器 RC3? 閥器件換相過電壓抑制用 RC電路 RC4? 直流側(cè) RC抑制電路 RCD? 閥器件關(guān)斷過電壓抑制用 RCD電路 S F RV RCD T D C U M RC 1 RC 2 RC 3 RC 4 L B S DC 過電
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