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正文內(nèi)容

計(jì)算機(jī)組成原理(上)(編輯修改稿)

2024-09-01 16:42 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 動(dòng)態(tài)RAM的價(jià)格比靜態(tài)RAM的價(jià)格便宜B.動(dòng)態(tài)RAM的功耗比靜態(tài)RAM小C.動(dòng)態(tài)RAM需要再生,故需配置再生電路D.動(dòng)態(tài)RAM比靜態(tài)RAM速度高正確答案:D5單選(1分)下列存儲(chǔ)器中,CPU不能直接訪問的是___得分/總分A.CacheB.硬盤C.RAMD.寄存器正確答案:B6單選(1分)某一SRAM芯片,其容量為16K*8位,則其數(shù)據(jù)線和地址線的條數(shù)分別為___得分/總分A.地址線和數(shù)據(jù)線均為8根B.地址線14根,數(shù)據(jù)線8根C.地址線和數(shù)據(jù)線均為14根D.地址線16根,數(shù)據(jù)線8根正確答案:B7單選(1分)下列說法錯(cuò)誤的是___得分/總分A.數(shù)據(jù)顯示雙向的,其位數(shù)與芯片可讀出或?qū)懭氲臄?shù)據(jù)位數(shù)有關(guān)B.地址線和數(shù)據(jù)線的位數(shù)共同反映存儲(chǔ)芯片的容量C.控制線主要有讀/寫控制線與片選線兩種D.地址線是雙向輸入的,其位數(shù)與芯片容量有關(guān)正確答案:D8單選(1分)隨機(jī)存儲(chǔ)器按其存儲(chǔ)信息的原理不同,可以分為靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM兩大類。動(dòng)態(tài)RAM基礎(chǔ)電路有三管式和單管式兩種,它們的共同特點(diǎn)都是靠電容存儲(chǔ)電荷的原理來寄存信息。若電容上存有足夠多的電荷表示存“1”,電容上無電荷表示存“0”。電容上的電荷一般只能維持1~2ms,因此即使電源不掉電,信息也會(huì)自動(dòng)消失。為此,必須在2ms內(nèi)對其所有存儲(chǔ)單元恢復(fù)一次原狀態(tài),這個(gè)過程稱為再生或刷新。動(dòng)態(tài)RAM的刷新有集中刷新,分散刷新,異步刷新之分。以下為某動(dòng)態(tài)RAM的的刷新時(shí)間分配示意圖如下,它的刷新方式為_____得分/總分A.分散刷新B.集中刷新C.異步刷新D.上圖不是刷新時(shí)間分配圖正確答案:A9單選(1分)下列敘述中正確的是___得分/總分A.主存可由RAM和ROM組成B.主存只能由RAM組成C.主存不是由RAM和ROM組成的D.主存只能由ROM組成正確答案:A10多選(2分)下列關(guān)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)說法正確的是___得分/總分A.具有易失性B.存取時(shí)間長C.功耗低D.存取時(shí)間短正確答案:A、C、D11多選(2分)主存各存儲(chǔ)單元的空間位置是由單元地址號來表示的,不同的機(jī)器存儲(chǔ)字長也不相同,通常用8位二進(jìn)制數(shù)表示一個(gè)字節(jié),因此存儲(chǔ)字長都取8的倍數(shù)。通常計(jì)算機(jī)系統(tǒng)即可以按字尋址,也可以按字節(jié)尋址。如下所示,某機(jī)器1的字長為32位,它的每一個(gè)存儲(chǔ)字包含4個(gè)可獨(dú)立尋址的字節(jié),其地址分配如下圖(左)所示。某機(jī)器2的字長為16位,字地址是2的整數(shù)倍,它用低位字節(jié)的地址來表示字地址,如下圖(右)所示。以下說法正確的是:____得分/總分A.設(shè)地址線24根,對于機(jī)器1,按字節(jié)尋址2^24 = 16MB.設(shè)地址線24根,對于機(jī)器2,按字尋址4MC.設(shè)地址線24根,對于機(jī)器1,按字尋址4MD.設(shè)地址線24根,對于機(jī)器1,按字尋址8M正確答案:A、C12多選(2分)以下關(guān)于動(dòng)態(tài)RAM和靜態(tài)RAM刷新操作的描述正確的是___得分/總分A.動(dòng)態(tài)RAM和靜態(tài)RAM都需要刷新B.動(dòng)態(tài)RAM需要刷新C.動(dòng)態(tài)RAM不需要刷新,靜態(tài)RAM需要刷新D.靜態(tài)RAM不需要刷新正確答案:B、D第4章 測試(中)1單選(1分)若某種編碼的最小距離為四,則其檢錯(cuò)能力和糾錯(cuò)能力可能為___得分/總分A.檢錯(cuò)三位,糾錯(cuò)兩位B.檢錯(cuò)兩位,糾錯(cuò)兩位C.檢錯(cuò)兩位,糾錯(cuò)一位D.檢錯(cuò)一位,糾錯(cuò)兩位正確答案:C2單選(1分)磁表面存儲(chǔ)器的平均尋址時(shí)間通常是指___得分/總分A.磁頭讀寫時(shí)間B.尋道時(shí)間C.平均尋道時(shí)間+平均等待時(shí)間D.等待時(shí)間正確答案:C3單選(1分)已知接收到的海明碼為0100111(按配偶原則配置),則欲傳送的信息是___得分/總分A.0011B.0111C.0101D.0100正確答案:C4單選(1分)設(shè)機(jī)器字長為32位,存儲(chǔ)容量為16MB,若按雙字編址,其尋址范圍是___得分/總分A.8MB.4MC.2MD.1M正確答案:C5單選(1分)交叉編址的存儲(chǔ)器實(shí)質(zhì)能___執(zhí)行___獨(dú)立的讀寫操作得分/總分A.串行,一個(gè)B.并行,一個(gè)C.串行,多個(gè)D.并行,多個(gè)正確答案:D6單選(1分)某存儲(chǔ)器容量為16K*16位,則___得分/總分A.地址線為14根,數(shù)據(jù)線為16根B.地址線為16根,數(shù)據(jù)線為32根C.地址線為32根,數(shù)據(jù)線為16根D.地址線為15根,數(shù)據(jù)線為16根正確答案:A7單選(1分)采用八體并行低位交叉存儲(chǔ)器,設(shè)每個(gè)體的存儲(chǔ)容量為32K*16位,存取周期為400ns,總線傳輸周期為50ns,在下列說法中正確的是___得分/總分A.在50ns內(nèi),存儲(chǔ)器能向CPU提供512位二進(jìn)制信息B.在50ns內(nèi),存儲(chǔ)器能向CPU提供128位二進(jìn)制信息C.在50ns內(nèi),存儲(chǔ)器能向CPU提供256位二進(jìn)制信息D.無正確答案正確答案:D8單選(1分)EPROM是以下哪種存儲(chǔ)器的縮寫___得分/總分A.可擦洗可編程只讀存儲(chǔ)器B.一次性編程只讀存儲(chǔ)器C.無正確答案D.掩模只讀存儲(chǔ)器正確答案:A解析:A、教材P909單選(1分)以下各類存儲(chǔ)芯片中,其與處理器的數(shù)據(jù)交換同步于系統(tǒng)的時(shí)鐘信號,不需要插入等待狀態(tài)的是___得分/總分A.EPROMB.掩模ROMC.SDRAMD.DRAM正確答案:C解析:C、教材P10710多選(2分)存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展方式一般包含___得分/總分A.字?jǐn)U展B.位擴(kuò)展C.頻率擴(kuò)展D.字、位擴(kuò)展正確答案:A、B、D解析:B、教材P9111多選(2分)在存儲(chǔ)器與CPU的連接過程中,以下哪些連線是需要考慮的___得分/總分A.數(shù)據(jù)線B.讀/寫命令線C.地址線D.片選線正確答案:A、B、C、D解析:C、教材P9312多選(2分)以下措施可以提高訪存速度的是___得分/總分A.采用高速器件B.調(diào)整主存結(jié)構(gòu)C.都不可以D.采用層次結(jié)構(gòu) Cache主存正確答案:A、B、D第4章 測試(下)1單選(1分)由主存地址映射到Cache地址的常見方式不包括___得分/總分A.組相聯(lián)映射B.全相聯(lián)映射C.分散映射183
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