無機材料習題(編輯修改稿)
2025-09-01 08:54 本頁面
【文章內容簡介】 定程度的預測。兩種表示方法之間可以相互轉換。？可分為那幾類，每類的結構特點是什么？答：硅酸鹽晶體主要是根據(jù)[SiO4]在結構中的排列結合方式來分類，具體可以分為五類：島狀、組群狀、鏈狀、層狀和架狀。結構和組成上的特征見下表：結構類型[SiO4]共用O數(shù)形狀絡陰離子團Si:OI島狀0四面體[SiO4]41:4組群狀1222雙四面體三節(jié)環(huán)四節(jié)環(huán)六節(jié)環(huán)[Si2O7]6 [Si3O9]6[Si4O12]8[Si6O18]1 2:71:31:31:3鏈狀23單鏈雙鏈[Si2O6]4[Si4O11]61:34:11層狀3平面層[Si4O10]44:10架狀4骨架[SiO4]4[(AlxSi4x)O8]x1:41:4：Mg2[SiO4]，K[AlSi3O8]，CaMg[Si2O6]，Mg3[Si4O10]（OH）2，Ca2Al [AlSiO7]。答：分別為島狀；架狀；單鏈；層狀（復網(wǎng)）；組群（雙四面體）。第三章答案 略。 。位錯。刃型位錯特點：滑移方向與位錯線垂直，符號⊥，有多余半片原子面。螺型位錯特點：滑移方向與位錯線平行，與位錯線垂直的面不是平面，呈螺施狀，稱螺型位錯。？為什么非化學計量化合物都是n型或p型半導體材料？解：非化學計量化合物的特點：非化學計量化合物產生及缺陷濃度與氣氛性質、壓力有關；可以看作是高價化合物與低價化合物的固溶體；缺陷濃度與溫度有關，這點可以從平衡常數(shù)看出；非化學計量化合物都是半導體。由于負離子缺位和間隙正離子使金屬離子過剩產生金屬離子過剩（n型）半導體，正離子缺位和間隙負離子使負離子過剩產生負離子過剩（p型）半導體。？解：影響形成置換型固溶體影響因素： （1）離子尺寸：15%規(guī)律：1.（R1R2）/R115%不連續(xù)。2.15%連續(xù)。3.40%不能形成固熔體。（2）離子價：電價相同，形成連續(xù)固熔體。 （ 3）晶體結構因素：基質，雜質結構相同，形成連續(xù)固熔體。（4）場強因素。（5）電負性：差值小，形成固熔體。差值大形成化合物。影響形成間隙型固溶體影響因素：（1）雜質質點大小：即添加的原子愈小，易形成固溶體，反之亦然。（2）晶體（基質）結構：離子尺寸是與晶體結構的關系密切相關的，在一定程度上來說，結構中間隙的大小起了決定性的作用。一般晶體中空隙愈大，結構愈疏松，易形成固溶體。（3）電價因素：外來雜質原子進人間隙時，必然引起晶體結構中電價的不平衡，這時可以通過生成空位，產生部分取代或離子的價態(tài)變化來保持電價平衡。：VNa，VNa39。，VCl˙，（VNa39。VCl˙），CaK˙，CaCa，Ca i˙˙解：鈉原子空位；鈉離子空位，帶一個單位負電荷；氯離子空位，帶一個單位正電荷；最鄰近的Na+空位、Cl空位形成的締合中心；Ca2+，帶一個單位正電荷；Ca原子位于Ca原子位置上；Ca2+處于晶格間隙位置。：（l）NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶體；（2）CaCl2溶入NaCl中形成空位型固溶體；（3）NaCl形成肖特基缺陷；（4）Agl形成弗倫克爾缺陷（Ag+進入間隙）。解： （1）NaClNaCa’+ ClCl + VCl（2）CaCl2CaNa + 2ClCl + VNa’（3）OVNa’ + VCl（4）AgAgVAg’ + Agi、壓力大小相關，如果增大周圍氧氣的分壓．非化學計量化合物Fe1xO及Zn1+xO的密度將發(fā)生怎么樣的變化？增大還是減??？為什么？解： Zn（g）Zni + e’Zn（g） + 1/2O2 = ZnO Zni + e’+ 1/2O2 ZnO [ZnO]=[e’]∴PO2[Zni]ρO2（g） OO + VFe’’ + 2hk=[OO][ VFe’’][h]/PO21/2=4[OO][ VFe’’]3/ PO21/2 [ VFe’’] ∝PO21/6，∴160
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