【文章內(nèi)容簡介】 D、任何一種組態(tài)放大電路（40分）(注:答案清使用加上中文單位。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等）,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測量電流的平均值),在靜態(tài)時,電流表的讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為：沒有失真時Ic__ICQ。,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測量電流的平均值),在靜態(tài)時,電流表的讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為：輸出產(chǎn)生飽和失真時Ic__ ICQ。,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測量電流的平均值),在靜態(tài)時,電流表的讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為：輸出產(chǎn)生截止失真時Ic__ICQ。,設(shè)輸入信號Vi為正弦波,若輸出波形的負(fù)半波被削平,則這是__失真。，Vcc=20V,Rb1=80千歐，Rb2=20千歐，Re=，RC=RL=10千歐,設(shè)三極管的223。=30,VBE=,rbb39。=200歐姆,估算該電路最大不失真輸出電壓的幅值為（ICEO和VCES忽略不計(jì)）__。，Vcc=20V,Rb1=80千歐，Rb2=20千歐，Re=，RC=RL=10千歐,設(shè)三極管的223。=30,VBE=,rbb39。=200歐姆,若要求放大電路的最大不失真幅度盡可能大，則Rb1應(yīng)取__。場效應(yīng)管及基本放大電路測試題（60分）（或內(nèi)阻極小的的電壓源）轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦栎斎氲姆ǚ糯箅娐罚ɑ騼?nèi)阻盡可能大的電流源），可以在低阻輸出的放大電路后面接入___。A、共射電路 B、共極電路 C、共基電路 D、任何一種組態(tài)放大電路，若輸入為正弦波形，用示波器觀察Vo和Vi的波形，當(dāng)放大電路為共射電路時，則Vo和Vi 的相位___。A、同相 B、反相 C、相差90176。 D、不定，若輸入為正弦波形，用示波器觀察Vo和Vi的波形，當(dāng)放大電路為共集電路時，則Vo和Vi 的相位___。A、同相 B、反相 C、相差90176。 D、不定，若輸入為正弦波形，用示波器觀察Vo和Vi的波形，當(dāng)放大電路為共基電路時，則Vo和Vi 的相位___。A、同相 B、反相 C、相差90176。 D、不定，也能放大電流的是___組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定，但不能放大電流的是___組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定，但不能放大電壓的是___組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中，電壓放大倍數(shù)小于1的是___組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最大的是___組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中，輸出電阻最大的是___組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定,而IDQ自漏極流出，大小為8mA,則該管是___。A、P溝道結(jié)型管 B、N溝道結(jié)型管 C、耗盡型PMOS管 D、耗盡型NMOS管1能正常工作的是————。A、A B、B C、C（40分）(注:答案清使用加上中文單位。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫、毫西等）、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路中，若希望電壓放大倍數(shù)大，可選用__組態(tài)。、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路中，若希望負(fù)載能力強(qiáng)，可選用__組態(tài)。、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路中，若希望從信號源索取的電流小，可選用__組態(tài)。，已知鍺三極管的223。=50,要使ICQ=,Rb應(yīng)取__。=50,rbb39。=200歐姆，VBE=,則該電路的最大不失真輸出的電壓幅值(設(shè)VCES=1V，ICEO=0)__。=60,rbe=3千歐。若電容C3斷開,該放大電路的Ri為__。=60,rbe=3千歐。接上C3后,該放大電路的Ri為__。,IDSS=16mA,Vp=4V,該電路的跨導(dǎo)gm為__。放大器的頻率響應(yīng)電路測試題（1）（60分），AV1=AV2=30dB，AV3=20dB，則總的電壓增益為___。A、180dB B、80dB C、60dB D、50dB，AV1=AV2=30dB，AV3=20dB，電路將輸入信號放大了___倍。A、1000 B、10000 C、100000 D、1000000，若增加電容C1的容量，則中頻電壓放大倍數(shù)|AVM|___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若增加電容C1的容量，則下限頻率?L___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若增加電容C1的容量，則上限頻率?H___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若減小電阻Rc,則放大倍數(shù)|AVM|___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若減小電阻Rc,則下限頻率?L___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若減小電阻Rc,則上限頻率?H___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變。A、各級波特圖的疊加 B、各級波特圖的乘積 C、各級波特圖中通帶最窄者 D、各級波特圖中通帶最寬者。，放大電路應(yīng)采用___耦合方式。A、直接 B、阻容 C、變壓器 D、光電，放大電路應(yīng)采用___耦合方式。A、直接 B、阻容 C、變壓器 D、光電。A、輸出的信號不同 B、交流通路不同 C、直流通路不同（40分）(注:答案清使用加上中文單位。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等），已知TT2的223。1=223。2=50，rbe1=,rbe2=，各電容的數(shù)值都足夠大，在中頻區(qū)可視為短路。試計(jì)算放大器的輸入電阻Ri為__。，已知TT2的223。1=223。2=50，rbe1=,rbe2=，各電容的數(shù)值都足夠大，在中頻區(qū)可視為短路。試計(jì)算放大器的輸出電阻Ro為__。，已知TT2的223。1=223。2=50，rbe1=,rbe2=，各電容的數(shù)值都足夠大，在中頻區(qū)可視為短路。T1為__電路組態(tài)。，已知TT2的223。1=223。2=50，rbe1=,rbe2=，各電容的數(shù)值都足夠大，在中頻區(qū)可視為短路。T2為__電路組態(tài)。，223。1=223。2=100，rbe1=2千歐,rbe2=1千歐，求電路 的RI=__；Ro=__；Av=__。放大器的頻率響應(yīng)電路測試題（2）（60分），換一個? t較低的晶體管，則中頻電壓放大倍數(shù)|AVM|___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，換一個? t較低的晶體管，則下限頻率?L___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，換一個? t較低的晶體管，則上限頻率?H___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，在組成它的各個單級放大器的截止處，總的電壓放大倍數(shù)下降___。A、3dB B、6dB C、20dB D、9dB，低頻響應(yīng)___。A、好 B、差 C、差不多。，總的通頻帶一定比它的任意一級都___。A、大 B、小 C、 寬 D、 窄，級數(shù)越多則上限頻率越___。A、大 B、小 C、 寬 D、 窄，級數(shù)越多則高頻附加相移___。A、大 B、大 C、寬 D、窄，若vI為正弦波時,則vo___。A、會產(chǎn)生線性失真 B、會產(chǎn)生非線性失真 C、為正弦波 D、不會失真，當(dāng)Rb2在正常放大范圍增加，則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對值|AVM|___。A、增大 B、減小 C、不變，當(dāng)Rb2在正常放大范圍增加，則輸入電阻___。A、增大 B、減小 C、不變，當(dāng)Rb2在正常放大范圍增加，則輸出電阻___。A、增大 B、減小 C、不變，當(dāng)Rb2在正常放大范圍增加，則下限頻率___。A、增大 B、減小 C、不變，增加電容C1,則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對值|AVM|___。A、增大 B、減小 C、不變，增加電容C1,則下限頻率___。A、增大 B、減小 C、不變，增加電容C1,則上限頻率___。A、增大 B、減小 C、不變，若將一個6800pF的電容接在b,c之間,則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對值|AVM|___。A、增大 B、減小 C、不變，若將一個6800pF的電容接在b,c之間,則下限頻率___。A、增大 B、減小 C、不變（40分）(注:答案清使用加上中文單位。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)=5~40kHz時，單級放大電路的電壓放大倍數(shù)均為100，而當(dāng)f=500kHz時，電壓放大倍數(shù)為10，試問該電路的上限頻率為__。，已知Ic=,223。=100,Cb39。e=4pF,fT=50MHz,rbb39。=50歐姆。則該放大電路的上限頻率為__.，已知Ic=,223。=100,Cb39。e=4pF,fT=50MHz,rbb39。=50歐姆。則該放大電路的下限頻率為__.，已知圖中Rb=470千歐，Rs=500歐姆，晶體管的223。=50,rbe=2千歐，電路的中頻增益20lg|Avs|=20lg|Vo/Vs|=40dB，通頻帶寬為10Hz~100kHz，試確定Rc的值為___.模擬集成單元電路測試題（1），其中T1的偏置電路未畫出。若輸入為正弦電壓，互補(bǔ)管T2,T3的飽和管壓將可以忽略，T1和T2的工作方式為___。A、甲類 B、乙類 C、甲乙類 D、丙類，其中T1的偏置電路未畫出。若輸入為正弦電壓，互補(bǔ)管T2,T3的飽和管壓將可以忽略，電路中R1的作用是___。A、充當(dāng)T1的集電極負(fù)載 B、消除交越失真 C、增大輸出功率 D、減小三極管的穿透電流，其中T1的偏置電路未畫出。若輸入為正弦電壓，互補(bǔ)管T2,T3的飽和管壓將可以忽略，電路中D1和D2的作用是___。A、充當(dāng)T1的集電極負(fù)載 B、消除交越失真 C、增大輸出功率 D、減小三極管的穿透電流，已知T4和T3的管子特性對稱，VBE4=VBE5=。正常工作時，輸出端的直流電位Vo=___。A、0V B、9V C、9V D、任意，已知T4和T3的管子特性對稱，VBE4=VBE5=。要調(diào)整直流電位Vo,應(yīng)該調(diào)整電阻___。A、R2 B、R5 C、R7 D 、R10，已知T4和T3的管子特性對稱，VBE4=VBE5=。首次接上電源調(diào)整工作點(diǎn)時，作為負(fù)載的揚(yáng)聲器(RL=8歐姆)應(yīng)該___。A、接上 B、斷開 C、任意 ，已知T4和T3的管子特性對稱，VBE4=VBE5=。自舉電容是___。A、C2 B、C3 C、C4 D、C5，若用乙類OCL（即雙電源）互補(bǔ)對稱功放電路，則應(yīng)選PCM至為___W的功放管兩個。A、4W B、8W C、10W D、20W(注:答案清使用加上中文單位。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)，已知T4和T3的管子特性對稱，VBE4=VBE5=。估算三極管T3的靜態(tài)功率PT3為__。，已知T,在輸出電流最大時電阻R1,如果要求電路的最大輸出功率為1W,則負(fù)載電阻RL為___。，已知T,在輸出電流最大時電阻R1,如果要求電路的最大輸出功率為1W,正弦輸出電壓峰值VIm的大致數(shù)值為___。，已知TT6的集電極最大允許耗散功率為PCM=200mW,在TT6的靜態(tài)電流，飽和管壓降以及電阻R1R12的電壓損耗可忽略不計(jì)的條件下，電路允許接入的最小負(fù)載電阻大致為___。，D1D4為硅二極管，T1T4為硅三極管，其中TT4的PCW=1W，VCES=2V,ICM=,V(BR)CEO30V。A為理想運(yùn)算放大器。試估算可能達(dá)到的最大不失真輸出功率POMAX為___。，D1D4為硅二極管，T1T4為硅三極管，其中TT4的PCW=1W，VCES=2V,ICM=,V(BR)CEO30V。A為理想運(yùn)算放大器。為了獲得所需的POMAX，輸入正弦電壓的有效值應(yīng)為___。模擬集成單元電路測試題（2）,管子的消耗功率最大。A、正確 B、錯誤，管子功耗最大。A、正確 B、錯誤，甲乙類推挽功放電路中的電源所消耗的功率是兩個管子的靜態(tài)電流與電源電壓的乘積。A、正確 B、錯誤，集電極最大允許耗散功率PCM是集電極最大電流ICM和基極開路