7-3-半導體激光器封裝(編輯修改稿)
2024-08-31 22:29 本頁面
【文章內容簡介】 點值的集合表征物理場（量）的連續(xù)變化情況。 ? 適用領域： 外形結構比較復雜、很難獲得解析解的情況下。 熱阻概念的引入 ? 熱量的傳遞同自然界中的其它轉移過程，如電量的轉移、質量的轉移有著共同的規(guī)律，可歸結為： 過程中的轉移量 = 過程中的動力 /過程中的阻力 ? 電學中這種規(guī)律性就是歐姆定律： ? 傳熱學中此規(guī)律演變?yōu)椋? RUI ?Rt???半導體激光器的熱阻 ? Φ為有源區(qū)產(chǎn)生的熱量： Φ=IVPopt ? △ t 是有源區(qū)與冷卻介質之間的溫度差 ? Ｒ為有源區(qū)與冷卻介質之間的熱阻，單位Ｋ／Ｗ Rt???降低有源區(qū)到冷卻介質之間的熱阻是 半導體激光熱控制的核心。 半導體激光單元器件 依靠自然對流散熱，熱阻較高，熱阻約為５Ｋ／Ｗ左右 陣列器件熱沉的分類 ? 無源熱沉（ passive heatsinks) ： ? 有源熱沉（ active heatsinks)： 無源熱沉的熱結構 02 ?? t0???xt? (x=0,x=a) 0???yt? (y=0,y=b)。 t=0 (z=c) )]()([ xdHyeHqz t ??????? (z=0) ??????0001)(???H計算結果 利用傅立葉變換法求解以上方程組得到溫度場 t（ x,y,z） ： ),(),(),()(),( zyxIzxJzyRzTzyxt ????T z( ) q? d? g?? a? b? z? q d? g? c?? a? b????R y z?( )1?m2? q? d? b? s i n m ?? g?b??????? e2? m? ?? c?b?? a? m 2? ? 2? 1 e2? m? ?? c?b????????em ??bz??2 q? d? b? s i n m ?? g?b???????? a? m 2? ? 2? 1 e2? m? ?? c?b????????em ??bz????????????????????????c o s m
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鄂ICP備17016276號-1