【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 項(xiàng)。項(xiàng)目申請(qǐng)承擔(dān)單位擁有總數(shù)近70 項(xiàng)：其中長(zhǎng)春光機(jī)所擁有45 項(xiàng)、長(zhǎng)春理工大學(xué)擁有15 項(xiàng)、山東瑞森華光光電子有限公司擁有7 項(xiàng)。同時(shí)承擔(dān)單位擁有20 多項(xiàng)有關(guān)大功率激光器的科研成果，包括“無(wú)鋁量子阱大功率激光器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”、“大功率808nm 無(wú)鋁應(yīng)變量子阱激光器技術(shù)研究”、“Zn 擴(kuò)散窗口工藝制備大功率300mW/650nm 半導(dǎo)體激光器”等關(guān)鍵技術(shù)。承擔(dān)單位所擁有的專利和成果覆蓋了大功率半導(dǎo)體激光器外延材料、芯片制作、器件封裝散熱技術(shù)、光束整形和光纖耦合技術(shù)、光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。我國(guó)對(duì)激光顯示技術(shù)的關(guān)注也早已開始，上世紀(jì)80 年代末，激光顯示技術(shù)就已進(jìn)入我國(guó)“863”計(jì)劃。2002 年，我國(guó)在該技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，推出全固態(tài)激光顯示原理樣機(jī)；2003 年，我國(guó)研制出60 英寸背投激光顯示機(jī)；2005 年，推出84 英寸背投激光顯示機(jī)，最近又研制成功140 英寸大屏幕激光顯示樣機(jī)。這些科研成果標(biāo)志著我國(guó)進(jìn)入國(guó)際激光彩色顯示技術(shù)開發(fā)的先進(jìn)行列。激光顯示專利涉及到激光器外延材料激光顯示系統(tǒng)的主要關(guān)鍵環(huán)節(jié)和核心技術(shù)，特別在共性核心技術(shù)領(lǐng)域——大色域激光光源、勻場(chǎng)消相干等取得了完整的自主創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)，總數(shù)在50 項(xiàng)左右，處于國(guó)際領(lǐng)先地位。因此，有專家表示，我國(guó)可以自主發(fā)展大色域激光顯示技術(shù)而不受制于國(guó)外專利。“中國(guó)激光電視的研發(fā)是與世界同步的，在一些領(lǐng)域甚至是領(lǐng)先世界”，邢廷文告訴記者。“九五”期間，中科院研發(fā)成功了功率大、體積小的全固態(tài)激光器，中科院成都光電所與物理所等單位希望能將激光器用于新領(lǐng)域，經(jīng)過多次論證，認(rèn)為能研發(fā)激光電視。2002 年6 月，國(guó)家863 正式批準(zhǔn)該項(xiàng)目并開始研發(fā)。一些重要激光產(chǎn)品尚未形成規(guī)模生產(chǎn)，產(chǎn)業(yè)化單位效益較低。國(guó)內(nèi)在大功率半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)方面相比上述發(fā)達(dá)國(guó)家有較大的差距，類似于這種單管集成的光纖耦合模塊國(guó)內(nèi)有幾家機(jī)構(gòu)處于起步階段，但是少有產(chǎn)品和相關(guān)文獻(xiàn)。為加快發(fā)展我國(guó)的激光顯示產(chǎn)業(yè)，保持激光顯示的領(lǐng)先地位，急需解決大功率半導(dǎo)體激光器材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。目前我國(guó)在LD外延材料、芯片制造、器件封裝等方面均已掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的單元技術(shù)，且部分核心技術(shù)具有原創(chuàng)性，初步形成了從上游材料、芯片制備，中游器件封裝及下游集成應(yīng)用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系。外延結(jié)構(gòu)采用無(wú)鋁量子阱技術(shù)、寬波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和Mg摻雜技術(shù) 采用無(wú)鋁有源區(qū)提高端面光學(xué)災(zāi)變損傷光功率密度。端面光學(xué)災(zāi)變損傷是限制器件功率密度的最主要因素之一。與含鋁AlGaAs 材料相比, 無(wú)鋁材料具有更大的端面光學(xué)災(zāi)變損傷密度和更高的可靠性。因此, 采用無(wú)鋁有源區(qū)可以提高器件的輸出功率, 并增加器件的使用壽命。采用新型芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和鍍膜技術(shù) 開展新型結(jié)構(gòu)激光器芯片的制作工藝，主要包括：載流子反射鏡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、真空解理技術(shù)、腔面膜設(shè)計(jì)和優(yōu)化、器件封裝技術(shù)、新型焊料試驗(yàn)、采用ECR鍍膜技術(shù)等。提高器件光學(xué)膜的損傷閾值等提高器件的可靠性、降低成本。薄膜應(yīng)力是半導(dǎo)體薄膜的重要特性，在生長(zhǎng)過程中應(yīng)力的變化可能導(dǎo)致薄膜內(nèi)部連結(jié)失效、分層以及斷裂，對(duì)器件的性能和可靠性有著重要的影響。研究實(shí)時(shí)檢測(cè)裝置改善成膜質(zhì)量，利用Stoney方程、光的干涉理論分析光點(diǎn)圖像位移信息和光強(qiáng)振蕩數(shù)據(jù)，