50mhz-250w射頻功率放大器的設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
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【文章內(nèi)容簡介】 聽多了許多的細(xì)節(jié)，一如其身價(jià)，E405要多花一大把的錢才可得到。采用射頻功率MOSFET設(shè)計(jì)功率放大器電路原理與分析發(fā)布: 20091111 10:07|作者: pcb_dz| 來源: 網(wǎng)絡(luò)| 查看: 94次摘要： 本文介紹了采用射頻功率MOSFET設(shè)計(jì)50MHz/250W功率放大器的設(shè)計(jì)過程。 敘詞：功率放大器 射頻 Abstract： The design procedure of 50MHz/250W power amplifier with RF power MOSFET is introduced in this paper. Keyword：power amplifier radio frequency1. 引言電子愛好者社區(qū) U jE0Hr YfG 7xO v oI0 本文設(shè)計(jì)的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進(jìn)行設(shè)計(jì)。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝形式上都進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，使之更適用于射頻功率放大器。下面介紹該型號(hào)功率放大器的電路結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)步驟。:B ?o[ r7{5R K1iamp。e0{| r6? A0JEamp。stLI?02．50MHz/250W射頻功率放大器的設(shè)計(jì)U4e。q39。_4{P Q9i0 3M+_ kj e4`h0J0 高壓射頻功率放大器的設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)低壓固態(tài)射頻功率放大器的設(shè)計(jì)過程有著顯著的不同，以下50MHz/250W功率放大器的設(shè)計(jì)過程將有助于工程技術(shù)人員更好的掌握高壓射頻功率放大器的設(shè)計(jì)方法。g+jc5U QPVhQ01Vu4EIbt(j[DF,J$Lamp。P8iz0qWEH!v1C+OhA$Y/K0 ARF448A和ARF448B是配對(duì)使用的射頻功率MOSFET，反向耐壓450V，采用TO247封裝，適用于輸入電壓范圍為75V－150V的單頻C類功率放大器，、 MHz。ARF448A/B的高頻增益特性如圖1所示。從圖中可以看出，當(dāng)頻率達(dá)到50MHz時(shí)，ARF448的增益約為17dB。電子愛好者社區(qū)39。^(b9K%_R電子愛好者社區(qū)aqRF%S3y!` 設(shè)計(jì)指標(biāo)Ou*@Pb ? Z0 50MHz/250W功率放大器的設(shè)計(jì)指標(biāo)如下： M(\NB%k JS0電子愛好者社區(qū)!n39。t7C zQ*@s,v ?。?）工作電壓：100V；（2）工作頻率：50MHz；電子愛好者社區(qū) B7kyk[dJ kl,s,[J3\S8w0 （3）增 益：15dB；（4）輸出功率：250W；r3J ]%v}w0電子愛好者社區(qū)jL u/Hg9V\*Bm3} ?。?）效 率：70%；（6）駐波比：20:1；電子愛好者社區(qū) mF e,C N ~)x^@amp。O6^ L \ si}。 設(shè)計(jì)過程電子愛好者社區(qū)Gc%oc2xCv 電子愛好者社區(qū) Ch dX/j5L 功率放大器的輸入阻抗可以用一個(gè)Q值很高的電容來表示。
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