【文章內(nèi)容簡介】 在先而微晶層在后的方式，無法對微晶做 有效的退火， 也就無法更有效的使用微晶層的物理光電效應(yīng)。 因此到目前為止成就不大。本公司的技術(shù)理論即在于解決這種架構(gòu)（Tandem）的不良性，而提出次序上的安排 與輔助式的雙重快速退火，達(dá)到無晶層與微晶層對綠光與紅橘光吸收的極大性。工藝先進(jìn)性說明首先，用PECVD磊上微晶薄膜，在工藝的過程中加裝基板加熱裝置 ，使原子的排 列較近晶體式的排列，同時膜的沈積效率亦是一般的3~5倍，再由下一道工序流程中的 工藝制作腔內(nèi)，再做一次快速退火，使得微晶在巨觀下有某些已是多晶的型態(tài)，這一層 微晶應(yīng)該使晶體缺陷較目前市面所提供的微晶層的千分之一至十萬分之一。 因此微晶 層910％%。完成微晶層之后，再進(jìn)入無18核心競爭力晶層的沈積，由一般的6%的轉(zhuǎn)換效能來看，再經(jīng)過數(shù)個月陽光照射后，實際轉(zhuǎn)換效能 將衰減至原有的百分之70，%。但在本公司的獨有的制程工藝?yán)碚撓?，我們?yīng) 得到12~14%左右。 也就是說， 一般的供貨商所提供的是以無晶層為主的雙層 （Tandem） 結(jié)構(gòu)，可能不具長程的要求與競爭力，本公司所主張的是以微晶層為主的雙層架構(gòu)。在本公司擁有光電子組件與材料的雙項優(yōu)勢之下，我們以長效使用11~13%的轉(zhuǎn)換 效能，為開始進(jìn)入市場地設(shè)備先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，往后逐年增進(jìn)至15%效能，同時，我們亦將研 發(fā)其它多層薄膜技術(shù)，向高于18%為目標(biāo)邁進(jìn)，堅持我們技術(shù)之先進(jìn)性。設(shè)備先進(jìn)性采用同時制造20片等離子電漿鍍膜的大批量設(shè)備，可為同業(yè)產(chǎn)能的四~八倍以 上采用基板加熱鍍膜同步退火，快速退火設(shè)備，微晶成長速度是同業(yè)的五倍設(shè)備數(shù)量低于2套25MW之非晶薄膜設(shè)備較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省清洗機(jī)、傳送設(shè)備車匣傳送設(shè)備成熟穩(wěn)定較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省廠房面積4成較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省TCO玻璃、EVA膠膜及框架 4成以上19核心競爭力設(shè)備價格較同業(yè)低3成以上50MW單線USD60M，批量優(yōu)惠可致USD45MUptime 可達(dá)9成以上。 連續(xù)車體多腔鍍膜設(shè)備較同業(yè)設(shè)備穩(wěn)定運作、 維修簡單 快速退火設(shè)備降低薄膜電池的缺陷，增加轉(zhuǎn)換效率開發(fā)兩段式退火設(shè)備， 可為將來升級轉(zhuǎn)換效率的設(shè)備手段與技術(shù)， 增大微晶粒、 降低缺陷。五年內(nèi)快速提高每線產(chǎn)能8倍，從每條線50MW, 100MW, 200MW至400MW。設(shè)備的設(shè)計是基于工藝的流程要求與先進(jìn)性； 設(shè)備是具體的來實現(xiàn)科學(xué)領(lǐng)域中的研 發(fā)成果，將之系統(tǒng)化用機(jī)械設(shè)備的商業(yè)化手段，產(chǎn)生大量生產(chǎn)。本公司是由客制化服務(wù)開始，將客戶的需求除了作短期的應(yīng)用方案外，并架構(gòu)長期 的規(guī)劃，使得今日的設(shè)備仍能在下一波的競爭中，加裝若干部件，仍充分發(fā)揮使用。除 了擁有多位設(shè)備硬件設(shè)計與制程應(yīng)用的精英外， 更值得與業(yè)界競爭的是多位材料專精的 專家，他們不僅是提供工藝的先進(jìn)性，更在設(shè)備開發(fā)的階段積極的運用量測設(shè)施抓牢薄 膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的巨觀 變化與微觀調(diào)整。因此，我們的設(shè)備較之一般設(shè)備供貨商不同之處在于：與客戶需求和市場要求作緊密結(jié)合。將組件工藝技術(shù)整合入硬設(shè)備之中。20核心競爭力產(chǎn)品穩(wěn)定度的先進(jìn)性（使用后） 產(chǎn)品穩(wěn)定度的先進(jìn)性（使用后）光電流的穩(wěn)定度在10%微晶結(jié)構(gòu)為主的薄膜，經(jīng)過退火處理，缺陷減低；在使用時太陽長期照射，也 不易改變其膜層之原子堆棧結(jié)構(gòu)，缺陷程度穩(wěn)定，因而光電流轉(zhuǎn)換效果穩(wěn)定， 初始電流與長期使用電流差在10%以內(nèi)。成品率可達(dá)90%以上 成品率可達(dá)90%以上 90%制造合格之成品率可達(dá)9成以上微晶結(jié)構(gòu)為主，經(jīng)制程退火處理的薄膜，均勻度高、缺陷少、光電轉(zhuǎn)換效率穩(wěn) 定，連續(xù)制程維持均一性高，所以成品率較非晶薄膜高21組織結(jié)構(gòu)組織機(jī)構(gòu)顧問委員會22生產(chǎn)工藝流程玻璃基板送入待料區(qū)后，由機(jī)械手臂抓送至清洗機(jī)，將包裝、運送途中可能產(chǎn)生的 灰塵或污染清洗干凈后，將已鍍有 TCO 膜之玻璃基板送至紅外線雷射割線機(jī)做出第一 次割線工藝，割線完成后將基板作二次清洗。將洗凈之基板送入PECVD鍍膜機(jī)， 做連續(xù)多腔之鍍膜使產(chǎn)生P型層/微晶層( ~2微米)/n型層/反射層/P型層/iasi層/n型層等工藝步驟后，經(jīng)由綠光雷射割線機(jī)后，各 電池的接觸點已打開，再経 由金屬模濺鍍機(jī)后，以具有傳導(dǎo)之效應(yīng)，再由綠光雷射割線 機(jī)將不必要的金屬剝除， 太陽能電池工藝制作完成， 可由IV測試機(jī)完成基本數(shù)據(jù)之量測。玻璃基板清洗機(jī)雷射割線機(jī) 紅外線雷射清洗機(jī)PECVD 鍍膜IV 測試機(jī)綠光雷射 切割機(jī)金屬膜濺鍍雷射割線機(jī) 綠光雷射廠房選址制造工廠目前擬定在北京市平谷區(qū)馬坊工業(yè)區(qū)，平谷區(qū)位于北京東北部，距離北京 首都機(jī)場僅35公里，15分鐘的車程，全程高速，交通極為便利，為北京東北部海、陸、 空、鐵多式聯(lián)運的最佳結(jié)合點。平谷距天津港僅135公里，區(qū)內(nèi)設(shè)保稅物流區(qū)，進(jìn)出口 方便并可享受保稅等優(yōu)惠政策。23生產(chǎn)制造工廠擬位 于北京平谷區(qū) 馬坊工業(yè)區(qū)。北京市和平谷區(qū)政府對于雙方的合作表示高度重視，并多次召開協(xié)調(diào)會議，確保在 政策上給予公司最大的扶持。 目前公司已與馬坊工業(yè)區(qū)管委會簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議 （詳見附件） ，明確了雙方的合作框架、原則和一些基本條款：地方政府按照1:1的比例進(jìn)行配套資金投入；協(xié)助落實國家裝備資金的支持；協(xié)調(diào)落實銀行的信貸支持（授信規(guī)模不低于注冊資本的2倍）。優(yōu)惠地價不高于15萬/畝（市場 價為40萬/畝）；地價和稅收返還；第一個廠房由政府代建（建設(shè)成本約1000萬美元），交由公司免費使用兩年后24生產(chǎn)由公司以成本價購回；進(jìn)口設(shè)備免交關(guān)稅和增值稅；所得稅享受兩免三減半的優(yōu)惠等。廠房及生產(chǎn)設(shè)施規(guī)劃 廠房及生產(chǎn)設(shè)施規(guī)劃 及生產(chǎn)設(shè)施制造工廠主要從事薄膜太陽能電池生產(chǎn)線的組裝、調(diào)試和試運行，將占地400畝， 項目擬建4個廠房，每個廠房的占地面積約為200M160M，每個廠房可放置34條設(shè)備 線。公司會視乎市場需求而在第五年之后再添置廠房，進(jìn)一步提升年產(chǎn)能。廠房和薄膜太陽能電池生產(chǎn)線的設(shè)計適合每天不停運作，以應(yīng)付生產(chǎn)需求。為免任 何突發(fā)性設(shè)備故障引致本公司薄膜太陽能電池設(shè)備生產(chǎn)停頓，有關(guān)設(shè)備作定期維修養(yǎng) 護(hù)，并可獨立運作。薄膜太陽能電池生產(chǎn)線廠房的規(guī)劃配置如下：2526生產(chǎn)上述廠房于投產(chǎn)后將全面運作，并全面使用所有指定產(chǎn)能。自第五年開始，可實現(xiàn) 年產(chǎn)32條400MW的薄膜太陽能電池生產(chǎn)線的產(chǎn)量。設(shè)備方案產(chǎn)品種類玻璃清洗機(jī) PECVD 鍍膜機(jī) 快速退火機(jī) AZO 膜雷射劃線機(jī) 雷射劃線機(jī) 機(jī)械手臂 AI,ZnO 鍍膜機(jī) 焊線機(jī) 承壓固化機(jī) 太陽光仿真器 有軌車 背板供應(yīng)機(jī) 工廠自動化 傳輸設(shè)備產(chǎn)品型號AS GC I AS PECVD II AS RA I AS IR I AS GL II AS RBT I AS PVD I AS WD I AS LM I AS SSL I AS TC I AS BB I AS SW I AS TRT I尺寸(M)8 * * 2 20 * * 3 * * * * * HReach 28 * * 3 3*2 14 * * * 5 2*2 * TBD 170 * 2功率 KVA62 300 60 18 18 35 320 12 50 15 2 TBD 30產(chǎn)品價格 USD165K 10,500K 500K 647K 647K 130K 3,237K 216K 230K 183K 108K 140K 2,158K 324K數(shù)量 50MW3X 2X 1X 2X 3X 12X 1X 2X 7X 2X 10X 2X 1X 2X小計 MUSD 21 2