單片機的綜述報告(編輯修改稿)
2024-08-30 01:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 種是 CHMOS 工藝，即互補金屬氧化物的HMOS 工藝。CHMOS 是CMOS 和HMOS 的結(jié)合，除保持了HMOS 的高速度和高密度的特點之外，還具有CMOS 低功耗的特點。我們可以清楚地從以下數(shù)據(jù)看出：8051 的功耗為630mw，而80C51 的功耗只有120mw。這一點在便攜式、手提式或野外作業(yè)儀器設(shè)備上低功耗是非常有意義的。因此，在這些產(chǎn)品中必須使用CHMOS 的單片機芯片。 微型化、單片化 微型化是單片機未來發(fā)展的主要趨勢，因為其一般多應用在系統(tǒng)的各個獨立模塊中，若體積過大，則不但會增大設(shè)備功耗，還可能會影響其運行質(zhì)量。因此必須要盡可能的縮小芯片的體積，并對其功能模塊進行擴展，在縮小單片機體積的同時最大限度的保障單片機應用功能的綜合性及低功耗優(yōu)勢得到有效實現(xiàn)。 大容量、高性能 以往單片機內(nèi)的ROM為1KB～4KB，RAM為 64～128B。但在需要復雜控制的場合，該存儲容量是不夠的，必須進行外接擴充。為了適應這種領(lǐng)域的要求，須運用新的工藝，使片內(nèi)存儲器大容量化。目前，單片機內(nèi) ROM最大可達64KB，RAM最大為2KB。另外單片機進一步改變CPU 的性能，加快指令運算的速度和提高系統(tǒng)控制的可靠性。采用精簡指令集（RISC）結(jié)構(gòu)和流水線技術(shù)，可以大幅度提高運行速度?，F(xiàn)指令速度最高者已達100MIPS（Million Instruction Per Seconds，即兆指令每秒），并加強了位處理、中斷和定時控制功能。這類單片機的運算速度比標準的單片機高出10 倍以上。由于這類單片機有極高的指令速度，可以使用軟件模擬其 I/O功能，由此引入了虛擬外設(shè)的新概念。 5 第2章 單片機的應用領(lǐng)域 工業(yè)控制的應用 單片機具有可
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