單片機的綜述報告(編輯修改稿)
2025-08-30 01:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 種是 CHMOS 工藝，即互補金屬氧化物的HMOS 工藝。CHMOS 是CMOS 和HMOS 的結(jié)合，除保持了HMOS 的高速度和高密度的特點之外，還具有CMOS 低功耗的特點。我們可以清楚地從以下數(shù)據(jù)看出：8051 的功耗為630mw，而80C51 的功耗只有120mw。這一點在便攜式、手提式或野外作業(yè)儀器設(shè)備上低功耗是非常有意義的。因此，在這些產(chǎn)品中必須使用CHMOS 的單片機芯片。 微型化、單片化 微型化是單片機未來發(fā)展的主要趨勢，因為其一般多應(yīng)用在系統(tǒng)的各個獨立模塊中，若體積過大，則不但會增大設(shè)備功耗，還可能會影響其運行質(zhì)量。因此必須要盡可能的縮小芯片的體積，并對其功能模塊進行擴展，在縮小單片機體積的同時最大限度的保障單片機應(yīng)用功能的綜合性及低功耗優(yōu)勢得到有效實現(xiàn)。 大容量、高性能 以往單片機內(nèi)的ROM為1KB～4KB，RAM為 64～128B。但在需要復(fù)雜控制的場合，該存儲容量是不夠的，必須進行外接擴充。為了適應(yīng)這種領(lǐng)域的要求，須運用新的工藝，使片內(nèi)存儲器大容量化。目前，單片機內(nèi) ROM最大可達64KB，RAM最大為2KB。另外單片機進一步改變CPU 的性能，加快指令運算的速度和提高系統(tǒng)控制的可靠性。采用精簡指令集（RISC）結(jié)構(gòu)和流水線技術(shù)，可以大幅度提高運行速度?，F(xiàn)指令速度最高者已達100MIPS（Million Instruction Per Seconds，即兆指令每秒），并加強了位處理、中斷和定時控制功能。這類單片機的運算速度比標(biāo)準(zhǔn)的單片機高出10 倍以上。由于這類單片機有極高的指令速度，可以使用軟件模擬其 I/O功能，由此引入了虛擬外設(shè)的新概念。 5 第2章 單片機的應(yīng)用領(lǐng)域 工業(yè)控制的應(yīng)用 單片機具有可
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