【文章內(nèi)容簡介】 ，高電平選擇數(shù)據(jù)，低電平選擇命令；（e）5腳（R／W）：讀、寫選擇端（H／L），高電平選擇讀數(shù)據(jù)，低電平選擇寫數(shù)據(jù)；（f）6腳（E）信號使能端；（g）714腳（D0D7）：雙向分時數(shù)據(jù)、命令引腳；（h）15腳（BLA）：液晶顯示驅(qū)動電壓正壓信號（為了防止液晶屏過壓損毀常外接10歐左右的限流電阻）；（i）16腳（BLK）：液晶顯示驅(qū)動電壓負壓信號； 1602液晶工作時序（d），（e），（f）； （d） （e） （f）下面詳細分析：由于本設(shè)計僅僅用于顯示，因此對于該器件讀操作不作詳細介紹，（e）可知：（a）寫數(shù)據(jù)：（e）圖知，當RS為高電平RW為低電平時，為向液晶內(nèi)寫數(shù)據(jù)，然后當拉高E時，將數(shù)據(jù)寫入液晶；（b）寫命令：（e）圖可知，當RS為低電平RW為低電平時，為向液晶內(nèi)些命令，當拉高E時，將命令寫入液晶；（a）顯示模式：（b）顯示開關(guān)及光標設(shè)置：（c）數(shù)據(jù)指針設(shè)置：（d）其它設(shè)置； 1602液晶主要程序分析（參照讀、寫指令時序，因為我們不讀取液晶，所以初始化中將WR始終拉低）void write_(uchar )∕∕該程序的作用是向1602液晶內(nèi)寫指令{ lcdrs=0。∕∕rs拉低時表明向1602內(nèi)寫指令 delay(5)。 ∕∕延時5ms P0=。 ∕∕將指令放到數(shù)據(jù)線上 delay(5)。 ∕∕延時5ms lcden=1。 ∕∕將en拉高 delay(5)。 ∕∕延時5ms lcden=0。 ∕∕將en拉低后指令寫入}void write_data(uchar date)∕∕該程序的作用是向1602液晶內(nèi)寫數(shù)據(jù){ lcdrs=1。 ∕∕rs拉低時表明向1602內(nèi)寫數(shù)據(jù) delay(5)。 ∕∕延時5ms P0=date。 ∕∕將數(shù)據(jù)放到數(shù)據(jù)線上 delay(5)。 ∕∕延時5ms lcden=1。 將en拉高 delay(5)。 ∕∕延時5ms lcden=0。 ∕∕將en拉低后數(shù)據(jù)寫入} 紅外發(fā)射系統(tǒng)主要采用一些特定的編碼芯片，將不同的按鍵進行編碼，然后經(jīng)38kHz的載頻進行二次調(diào)制以提高發(fā)射效率，達到降低電源功耗的目的然后再通過紅外發(fā)射二極管產(chǎn)生紅外線向空間發(fā)射（a）典型的LM7461M芯片構(gòu)成的紅外發(fā)射系統(tǒng)： （a）由于本設(shè)計不涉及紅外發(fā)射系統(tǒng)的原理分析，因此在此不作詳細分析，（b）： （b）該波形一共有三部分構(gòu)成分別由引導碼、用戶碼、鍵控碼組成，接著就是8位用戶碼和8位用戶反碼，8位鍵控碼和8位鍵控反碼；紅外接收過程實際就是發(fā)射的逆過程，下面詳細分析（a）紅外一體化接收頭，（c），（d）； （c） （d）圖中3腳為供電端（）；2腳接地端；1腳為數(shù)據(jù)端口，為了提高靈敏度，；（b）（e） （e）由接收到的波形圖可以看出，它和發(fā)射波形在高低電平上剛好相反，任然由引導碼、用戶碼、鍵控碼組成，因此可通過單片機對其進行解碼操作！（e）解碼操作：解碼的關(guān)鍵是如何識別“0”和“1”（f），可以利用單片機的定時計數(shù)器來對紅外碼進行時間的監(jiān)控。 （f）從位的定義我們可以發(fā)現(xiàn)“0”、“1”，不同的是高電平的寬度不同，“0”,“1”,所以必須根據(jù)高電平的寬度區(qū)別“0”和“1”。，開始延時，若讀到的電平為低，說明該位為“0”，反之則為“1”，為了可靠起見，,否則如果該位為“0”，讀到的已是下一位的高電平，因此?。?）/2=。uint low_ir_time()//此程序的作用是檢測低電平的時間{ TH0=0。//定時器/計數(shù)器裝初值 TL0=0。//定時器/計數(shù)器裝初值 TR0=1。//啟動定時器/計數(shù)器 while(!ir)。//等待 TR0=0。//關(guān)閉定時器/計數(shù)器 return TH0*256+TL0。//返回低電平持續(xù)時間}uint high_ir_time()//此程序的作用是檢測高電平的時間{ TH0=0。 //定時器/計數(shù)器裝初值 TL0=0。 //定時器/計數(shù)器裝初值 TR0=1。 //啟動定時器/計數(shù)器 while(ir)。 //等待 TR0=0。 //關(guān)閉定時器/計數(shù)器 return TH0*256+TL0。 //返回高電平持續(xù)時間}while(1) { restart: while(ir)。//等待低電平 temp=low_ir_time()。 if((temp8500)||(temp9500)) continue。//如果低電平持續(xù)時間小于8500，或者大于9500，那么跳過未執(zhí)行的語句，轉(zhuǎn)到初始條件判斷 temp=high_ir_time()。 if((temp4000)||(temp5000)) continue。//同上 for(i=0。i4。i++)//讀4個8位的碼 { for(j=0。j8。j++)//讀8位的碼 { temp=low_ir_time()。 if((temp200)||(temp800)) goto restart。//，如果是就繼續(xù)； temp=high_ir_time()。 if((temp200)||(temp2000)) goto restart。//，如果是就繼續(xù)； aa[i]=aa[i]1。//右移 if(temp1120)//判斷是不是1，如果是1就繼續(xù)，否則跳過，默認為0； { aa[i]=aa[i]|0x80。//最高位寫1 } } } if(aa[2]=~aa[3])//判斷鍵控碼和鍵控反碼是不是相同 { display_IR_CODE()。 } } DS18B20溫度傳感器電路設(shè)計： DS18B20溫度傳感器概述溫度傳感器的種類眾多，在應用與高精度、高可靠性的場合時美國DALLAS（達拉斯）公司生產(chǎn)的DS18B20溫度傳感器當仁不讓。它擁有超小的體積，超低的硬件開消，抗干擾能力強，精度高，附加功能強等優(yōu)點，使得DS18B20備受歡迎。對于我們普通的電子愛好者來說，DS18B20的優(yōu)勢更是我們學習單片機技術(shù)和開發(fā)溫度相關(guān)的小產(chǎn)品的不二選擇，本設(shè)計即采用由美國達拉公司生產(chǎn)的DS18B20溫度傳感器。 DS18B20溫度傳感器的主要特性全數(shù)字溫度轉(zhuǎn)換及輸出，先進的單總線數(shù)據(jù)通信，最高12位分辨率，精度可達177。，12位分辨率時的最大工作周期為750毫秒，檢測溫度范圍為–55176。C ~+125176。C (–67176。F ~+257176。F)，內(nèi)置EEPROM，限溫報警功能，64位光刻ROM，內(nèi)置產(chǎn)品序列號方便多機掛接，多樣封裝形式適應不同硬件系統(tǒng)。 DS18B20溫度傳感器基本原理（a），（b） （a） （b）各引腳功能：（a）1腳（GND）：參考電壓為0V；（b）2腳（DQ）：單總線分時復用數(shù)據(jù)端；（c）3腳（VDD）：溫度傳感器的電源供電端（）； DS18B20溫度傳感器配置寄存器該寄存器為DS18B20提供分辨率設(shè)置，對R0、R1不同配置可以為DS18B20分配不同的分辨率,如下表： DS18B20溫度傳感器暫存器中溫度數(shù)值的存儲形式在DS18B20中用兩個字節(jié)的空間來存儲數(shù)據(jù)（LSB用來存儲低8位，MSB用來存儲高8位），如下表所示：分析：（a）DS18B20中LSB低4位為溫度值的小數(shù)位，高4位為溫度值的整數(shù)位；在MSB中高5位為符號位，當溫度值大于或等于0℃時高5位均為0，當溫度值小于0℃時，高5位均為1，因此，可以通過判斷S位來判斷溫度處在零下還是零上，MSB中低3位為溫度值的整數(shù)位；（b）DS18B20溫度數(shù)值處理方式：LSB與MSB一共16位，因此，此時的分辨率為1∕℃例如：此時寄存器內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)為MSB+LSB（0000000010100010）轉(zhuǎn)化為十進制數(shù)為162， ℃；但是如果表示負溫度時， 那么寄存器內(nèi)部（S=0）的時數(shù)據(jù)為MSB+LSB（1111111001101111），按位去反（0000000110010000）轉(zhuǎn)化為十進制數(shù)為401， ℃。因此，可以根據(jù)S位來判斷溫度的正負； DS18B20溫度傳感器工作時序由于DS18B20是單總線分時復用芯片，因此在操作時要遵守嚴格的工作時序，（a），（b），（c） （a） （b） （c） 控制器對DS18B20操作流程（要想操作DS18B20，必須要做到三步：復位、發(fā)送ROM指令、發(fā)送RAM指令）（a）復位：首先我們必須對DS18B20芯片進行復位，（a），復位就是由控制器（單片機）給DS18B20單總線由高電平拉低至480uS960uS的低電平信號，然后由MCU釋放總線，當18B20接到此復位信號后則會在1560uS后回發(fā)一個芯片的存在脈沖（即由DS18B20將總線拉低60240uS），當控制器接收到存在脈沖后表明復位成功，否則放棄此次復位操作，延時一段時間，準備下一步操作；（b）向DS18B20內(nèi)部寫“0”或“1”：（b），MCU首先將單總線由高電平拉至低電平，并保持超過1uS后，如果寫“0”，就繼續(xù)拉低總線，保持至少60uS（但是不要超過120uS）的時間，DS18B20會在從總線一開始被拉低的1560uS的時間內(nèi)對總線進行采樣，如果檢測到總線為低電平就表明寫“0”；當MCU首先將總線由高電平拉至低電平，并保持1uS后，如果寫“1”，控制器就將總線拉高（即釋放總線），保持至少60uS（但是不要超過120uS）的時間，DS18B20會在從總線一開始被拉低的1560uS的時間內(nèi)對總線進行采樣，如果檢測到總線為高電平就表明寫“1”；注意，如上圖（d）中在寫0或1時之間至少要保持1uS的時間，不可連續(xù)操作；（c）從DS18B20內(nèi)部讀“0”或“1”：（c），當控制器從DS18B20內(nèi)部讀0或1時，控制器首先將總線由高電平拉至低電平，并保持超過1uS后，將總線拉低（即釋放總線），DS18B20會對這一操作立即作出反應，迅速將要輸出的數(shù)據(jù)放到總線上，控制器會在下降沿開始的115uS內(nèi)對總線進行采樣，如果MCU檢測到總線為低電平，則表明DS18B20輸出了0，如國檢測到總線為高電平，則表明DS18B20輸出了1；（d）控制器發(fā)布ROM指令：雙方達成協(xié)議之后接下來將要進行通信了，ROM指令共有5條，每一個工作周期只能發(fā)一條，ROM指令分別是讀ROM數(shù)據(jù)、指定匹配芯片、跳躍ROM、芯片搜索、報警芯片搜索。ROM指令為8位長度，功能是對片內(nèi)的64位光刻ROM進行操作。其主要目的是為了分辨一條總線上掛接的多個器件并作處理。誠然，單總線上可以同時掛接多個器件，并通過每個器件上所獨有的ID號來區(qū)別，一般只掛接單個18B20芯片時可以跳過ROM指令（注意：此處指的跳過ROM指令并非不發(fā)送ROM指令，而是用特有的一條“跳過指令”）。ROM指令在下文有詳細的介紹。（e）控制器發(fā)送存儲器RAM操作指令：在ROM指令發(fā)送給18B20之后，緊接著（不間斷）就是發(fā)送存儲器操作指令了。操作指令同樣為8位，共6條，存儲器操作指令分別是寫RAM數(shù)據(jù)、讀RAM數(shù)據(jù)、將RAM數(shù)據(jù)復制到EEPROM、溫度轉(zhuǎn)換、將EEPROM中的報警值復制到RAM、工作方式切換。 DS18B20芯片內(nèi)部ROM操作指令（a）Read ROM（讀ROM）[33H] （方括號中的為16進制的命令字）；這個命令允許總線控制器讀到DS18B20的64位ROM。只有當總線上只存在一個DS18B20的時候才可以使用此指令，如果掛接不只一個，當通信時將會發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。（b）Match ROM（指定匹配芯片）[55H]；這個指令后面緊跟著由控制器發(fā)出了64位序列號，當總線上有多只DS18B20時，只有與控制發(fā)出的序列號相同芯片才可以做出反應，其它芯片將等待下一次復位。這條指令適應單芯片和多芯片掛接（本設(shè)計不涉及）。（c）Skip ROM（跳躍ROM指令）[CCH]；這條指令使MCU不對ROM編碼做出反應，在單總線的情況之下，為了節(jié)省時間可以選用此指令（即總線上只有一個DS18B20時），如果在多芯片掛接時使用此指令將會出現(xiàn)數(shù)據(jù)沖突，導致錯誤出現(xiàn)。（d）search ROM（搜索芯片）[F0H]；芯片初始化后，搜索指令允許總線上掛接多芯片時用排除法識別所有器件的64位ROM。（e）Alarm Search（報警芯片搜索）[ECH]；在多芯片掛接的情況下，報警芯片搜索指令只對附合溫度高于TH或小于TL報警條件的芯片做出反應。只要芯片不掉電，報警狀態(tài)將被保持，直到再一次測得溫度值達不到報警條件為止。 DS18B20溫度傳感器芯片內(nèi)部存儲器RAM操作指令（a）Write Scratchpad （向RAM中寫數(shù)據(jù)）[4EH]；這是向RAM中寫入數(shù)據(jù)的指令，隨后寫入的兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)將會被存到地址2（報警RAM之TH）和地址3（報警RAM之TL）。寫入過程中可以用復位信號中止寫入。（b）Read Scratchpad （從RAM中讀數(shù)據(jù)）[BEH]；此指令將從RAM中讀數(shù)據(jù)，讀地址從地址0開始，一直可以讀到地址9，完成整個RAM數(shù)據(jù)的讀出。芯片允許在讀過程中用復位信號中止讀取，即可以不讀后面不需要的字節(jié)以減少讀取時間。（c）Copy Scratchpad （將RAM數(shù)據(jù)復制到EEPROM中）[48H]；此指令將RAM中數(shù)據(jù)存