freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

基于單片機的萬年歷設計畢業(yè)論文-在線瀏覽

2024-09-06 06:02本頁面
  

【正文】 變高將清除UIE位,UIE位不受任何DS12C887內(nèi)部功能的影響,但會由RST信號清0.(6)第5位:鬧鐘使能(AIE),AIE位是可讀/寫位,置為1時,允許寄存器C中的鬧鐘中斷標志(AF)位驅(qū)動產(chǎn)生IRQ信號,在三個時鐘字節(jié)與三個鬧鐘字節(jié)相等的每一時刻,都會產(chǎn)生一個鬧鐘中斷,如果AIE位清0,AF位并不觸法IRQ信號。(7)第6位:周期性中斷使能(PIE),PIE位為可讀/寫位,允許寄存器C中的周期性中斷標志(PF)位將IRQ引腳驅(qū)動為低電平PIE位置1時,以寄存器A中RE3RS0位指定的速率將IRQ引腳驅(qū)動為低電平,并產(chǎn)生周期性中斷。PIE不受任何DS12C887內(nèi)部功能的影響,但會由RST信號清0。SET位為可讀/寫位,不受RST信號或DS12C887的內(nèi)部功能影響。(2)第4位:更新結(jié)束中斷標志位(UF),每次更新結(jié)束后,UF位都將置1。該位可通過讀取寄存器C或RST信號清除。如果ALE位也為1,則UF位的1狀態(tài)會使IRQF位置1,并且使IRQ引腳有效。(4)第6位:周期性中斷標志(PF),該位為只讀位,當分頻器電路中所選的分支檢測到一個邊沿信號時該位置1。PF置1與PIE位的狀態(tài)無關(guān)。該位可通過讀取寄存器C或RST信號清除。該位可通過讀取寄存器C或RST信號清除。這些位讀取時為0,但不能被寫入。該位不受RST信號影響。利用此引腳選擇兩種總線類型中的一種,連接到Vcc時選擇Motorola總線時序,連接GND或懸空時選擇Intel總線時序。(b)2和3腳(NC):空腳,不用連接。地址于總線周期的開始發(fā)送到總線上,并由AS信號的下降沿鎖存到DS12C887內(nèi)部。讀周期中,DS12C887于DS信號后期(Motorola時序中的DS和RW均為高,Intel時序中DS位低,RW為高)將數(shù)據(jù)發(fā)送到總線上。(d)12腳(GND):地,參考電壓為0V;(e)13腳(CS):片選信號輸入。在Motorola時序中DS和AS信號工作期間,Intel時序中DS和RW信號工作期間,CS必須保持有效。當Vcc低于Vpf時,DS12C887內(nèi)部通過禁止CS輸入來拒絕訪問。(f)14腳(AS):地址選通輸入。在AS的下降沿,將地址鎖存到DS12C887內(nèi)部,無論CS信號是否有效,AS的下一個上升沿都將清除地址。如果在CS信號無效的情況下執(zhí)行了讀或?qū)懖僮?,則必須在CS信號有效時且在讀寫訪問前,重新發(fā)送一次地址選通信號。RW引腳有兩種操作模式。DS位高時,RW為高電平時表示讀周期,RW為低電平則表示寫周期。在此模式下,RW引腳與普通的RAM的寫使能信號(WE)工作方式類似。(h)16腳(NC):空腳,不用連接。DS引腳根據(jù)MOT引腳電平有兩種模式。在讀周期中,DS表明DS12C887將要驅(qū)動雙向總線。當MOT接GND時,選擇Intel總線時序,DS表示讀取DS12C887數(shù)據(jù)驅(qū)動總線的時間周期,此模式下,DS引腳與普通RAM的輸出使能信號(OE)工作類似。低電平有效,該引腳對時鐘、日歷或RAM不起作用,上電時可將RST引腳首先保持低電平,以等待電源穩(wěn)定下來。當RST為低電平,而且Vcc大于Vpf時,將產(chǎn)生以下操作: A:周期性中斷使能(PIE)位清0 B:鬧鐘中斷使能(AIE)位清0 C:更新結(jié)束中斷使能(UIE)位清0 D:周期性中斷標志(PF)位清0 E:鬧鐘中斷標志(AF)位清0 F:更新結(jié)束中斷標志(UF)位清0 G:中斷請求狀態(tài)標志(IRQF)位清0 H:IRQ引腳置為高阻狀態(tài) I:直到RST恢復為高電平才能訪問器件 J:方波輸出使能(SQWE)位清0在典型的應用中,可將RET與Vcc連接。(k)19腳(IRQ):中斷請求輸出。處理器程序通常讀取C寄存器來清除IRQ引腳輸出。IRQ引腳為為漏極開路輸出,需要使用一個外接上拉電阻與Vcc相連。SQW引腳能提供RTC內(nèi)部15級分頻器的13個分頻比之一。當Vcc低于Vpf時,SQW信號無法輸出。VCC在正常范圍內(nèi)時,可訪問器件的所有功能,并且進行數(shù)據(jù)的讀寫。 如圖AD0AD7為數(shù)據(jù)和地址復用的雙向總線,CS為片選信號,AS為地址選通輸入,RW為讀寫輸入,DS位為數(shù)據(jù)選通或讀輸入,IRQ位為鬧鈴中斷,它們分別于MCU的不同I/O口連接。由于本設計使用的是Intel總線模式,所以Motorala總線模式在此不做詳細的介紹,(b)寫時序中,當片選信號CS為低,AS為高,DS為高,RW為高時將地址放到總線上,一個AS下降沿將地址鎖存到DS12C887內(nèi)部。(c),當片選信號CS為低,AS為高,DS為高,RW為高將地址放到總線上,一個AS下降沿將地址鎖存到DS12C887內(nèi)部。 Motorola總線讀/(a) (b) (c) (d):void write_time(uchar add,uchar date)//該程序的作用是向DS12C887內(nèi)部寫地址或數(shù)據(jù){ time_cs=0。//拉高AS time_ds=1。// 拉高RW P1=add。//AS下降沿將地址鎖存 time_rw=0。// 向總線放數(shù)據(jù) time_rw=1。// 拉高AS time_cs=1。// 片選開 time_as=1。// 拉高DS time_rw=1。// 向總線放地址 time_as=0。// DS拉低 ee=P1。// DS上升沿將數(shù)據(jù)讀出 time_as=1。// 片選關(guān) return(ee)。10%);(c)3腳(VL):液晶顯示偏壓信號,外接10K電位器到地,用于調(diào)節(jié)液晶顯示亮度;(d)4腳(RS);數(shù)據(jù)或命令選擇端(H/L),高電平選擇數(shù)據(jù),低電平選擇命令;(e)5腳(R/W):讀、寫選擇端(H/L),高電平選擇讀數(shù)據(jù),低電平選擇寫數(shù)據(jù);(f)6腳(E)信號使能端;(g)714腳(D0D7):雙向分時數(shù)據(jù)、命令引腳;(h)15腳(BLA):液晶顯示驅(qū)動電壓正壓信號(為了防止液晶屏過壓損毀常外接10歐左右的限流電阻);(i)16腳(BLK):液晶顯示驅(qū)動電壓負壓信號; 1602液晶工作時序(d),(e),(f); (d) (e) (f)下面詳細分析:由于本設計僅僅用于顯示,因此對于該器件讀操作不作詳細介紹,(e)可知:(a)寫數(shù)據(jù):(e)圖知,當RS為高電平RW為低電平時,為向液晶內(nèi)寫數(shù)據(jù),然后當拉高E時,將數(shù)據(jù)寫入液晶;(b)寫命令:(e)圖可知,當RS為低電平RW為低電平時,為向液晶內(nèi)些命令,當拉高E時,將命令寫入液晶;(a)顯示模式:(b)顯示開關(guān)及光標設置:(c)數(shù)據(jù)指針設置:(d)其它設置; 1602液晶主要程序分析(參照讀、寫指令時序,因為我們不讀取液晶,所以初始化中將WR始終拉低)void write_(uchar )∕∕該程序的作用是向1602液晶內(nèi)寫指令{ lcdrs=0。 ∕∕延時5ms P0=。 ∕∕延時5ms lcden=1。 ∕∕延時5ms lcden=0。 ∕∕rs拉低時表明向1602內(nèi)寫數(shù)據(jù) delay(5)。 ∕∕將數(shù)據(jù)放到數(shù)據(jù)線上 delay(5)。 將en拉高 delay(5)。 ∕∕將en拉低后數(shù)據(jù)寫入} 紅外發(fā)射系統(tǒng)主要采用一些特定的編碼芯片,將不同的按鍵進行編碼,然后經(jīng)38kHz的載頻進行二次調(diào)制以提高發(fā)射效率,達到降低電源功耗的目的然后再通過紅外發(fā)射二極管產(chǎn)生紅外線向空間發(fā)射(a)典型的LM7461M芯片構(gòu)成的紅外發(fā)射系統(tǒng): (a)由于本設計不涉及紅外發(fā)射系統(tǒng)的原理分析,因此在此不作詳細分析,(b): (b)該波形一共有三部分構(gòu)成分別由引導碼、用戶碼、鍵控碼組成,接著就是8位用戶碼和8位用戶反碼,8位鍵控碼和8位鍵控反碼;紅外接收過程實際就是發(fā)射的逆過程,下面詳細分析(a)紅外一體化接收頭,(c),(d); (c) (d)圖中3腳為供電端();2腳接地端;1腳為數(shù)據(jù)端口,為了提高靈敏度,;(b)(e) (e)由接收到的波形圖可以看出,它和發(fā)射波形在高低電平上剛好相反,任然由引導碼、用戶碼、鍵控碼組成,因此可通過單片機對其進行解碼操作!(e)解碼操作:解碼的關(guān)鍵是如何識別“0”和“1”(f),可以利用單片機的定時計數(shù)器來對紅外碼進行時間的監(jiān)控。開始延時,若讀到的電平為低,說明該位為“0”,反之則為“1”,為了可靠起見,,否則如果該位為“0”,讀到的已是下一位的高電平,因此?。?)/2=。//定時器/計數(shù)器裝初值 TL0=0。//啟動定時器/計數(shù)器 while(!ir)。//關(guān)閉定時器/計數(shù)器 return TH0*256+TL0。 //定時器/計數(shù)器裝初值 TL0=0。 //啟動定時器/計數(shù)器 while(ir)。 //關(guān)閉定時器/計數(shù)器 return TH0*256+TL0。//等待低電平 temp=low_ir_time()。//如果低電平持續(xù)時間小于8500,或者大于9500,那么跳過未執(zhí)行的語句,轉(zhuǎn)到初始條件判斷 temp=high_ir_time()。//同上 for(i=0。i++)//讀4個8位的碼 { for(j=0。j++)//讀8位的碼 { temp=low_ir_time()。//,如果是就繼續(xù); temp=high_ir_time()。//,如果是就繼續(xù); aa[i]=aa[i]1。//最高位寫1 } } } if(aa[2]=~aa[3])//判斷鍵控碼和鍵控反碼是不是相同 { display_IR_CODE()。它擁有超小的體積,超低的硬件開消,抗干擾能力強,精度高,附加功能強等優(yōu)點,使得DS18B20備受歡迎。 DS18B20溫度傳感器的主要特性全數(shù)字溫度轉(zhuǎn)換及輸出,先進的單總線數(shù)據(jù)通信,最高12位分辨率,精度可達177。C ~+125176。F ~+257176。 DS18B20溫度傳感器基本原理(a),(b) (a) (b)各引腳功能:(a)1腳(GND):參考電壓為0V;(b)2腳(DQ):單總線分時復用數(shù)據(jù)端;(c)3腳(VDD):溫度傳感器的電源供電端(); DS18B20溫度傳感器配置寄存器該寄存器為DS18B20提供分辨率設置,對R0、R1不同配置可以為DS18B20分配不同的分辨率,如下表: DS18B20溫度傳感器暫存器中溫度數(shù)值的存儲形式在DS18B20中用兩個字節(jié)的空間來存儲數(shù)據(jù)(LSB用來存儲低8位,MSB用來存儲高8位),如下表所示:分析:(a)DS18B20中LSB低4位為溫度值的小數(shù)位,高4位為溫度值的整數(shù)位;在MSB中高5位為符號位,當溫度值大于或等于0℃時高5位均為0,當溫度值小于0℃時,高5位均為1,因此,可以通過判斷S位來判斷溫度處在零下還是零上,MSB中低3位為溫度值的整數(shù)位;(b)DS18B20溫度數(shù)值處理方式:LSB與MSB一共16位,因此,此時的分辨率為1∕℃例如:此時寄存器內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)為MSB+LSB(0000000010100010)轉(zhuǎn)化為十進制數(shù)為162, ℃;但是如果表示負溫度時, 那么寄存器內(nèi)部(S=0)的時數(shù)據(jù)為MSB+LSB(1111111001101111),按位去反(0000000110010000)轉(zhuǎn)化為十進制數(shù)為401, ℃。ROM指令為8位長度,功能是對片內(nèi)的64位光刻ROM進行操作。誠然,單總線上可以同時掛接多個器件,并通過每個器件上所獨有的ID號來區(qū)別,一般只掛接單個18B20芯片時可以跳過ROM指令(注意:此處指的跳過ROM指令并非不發(fā)送ROM指令,而是用特有的一條“跳過指令”)。(e)控制器發(fā)送存儲器RAM操作指令:在ROM指令發(fā)送給18B20之后,緊接著(不間斷)就是發(fā)送存儲器操作指令了。 DS18B20芯片內(nèi)部ROM操作指令(a)Read ROM(讀ROM)[33H] (方括號中的為16進制的命令字);這個命令允許總線控制器讀到DS18B20的64位ROM。(b)Match ROM(指定匹配芯片)[55H];這個指令后面緊跟著由控制器發(fā)出了64位序列號,當總線上有多只DS18B20時,只有與控制發(fā)出的序列號相同芯片才可以做出反應,其它芯片將等待下一次復位。(c)Skip ROM(跳躍ROM指令)[CCH];這條指令使MCU不對ROM編碼做出反應,在單總線的情況之下,為了節(jié)省時間可以選用此指令(即總線上只有一個DS18B20時),如果在多芯片掛接時使用此指令將會出現(xiàn)數(shù)據(jù)沖突,導致錯誤出現(xiàn)。(e)Alarm Search(報警芯片搜索)[ECH];在多芯片掛接的情況下,報警芯片搜索指令只對附合溫度高于TH或小于TL報警條件的芯片做出反應。 DS18B20溫度傳感器芯片內(nèi)部存儲器RAM操作指令(a)Write Scratchpad (向RAM中寫數(shù)據(jù))[4EH];這是向RAM中寫入數(shù)據(jù)的指令,隨后寫入的兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)將會被存到地址2(報警RAM之TH)和地址3(報警RAM之TL)。(b)Read Scratchpad (從RAM中讀數(shù)據(jù))[BEH];此指令將從RAM中讀數(shù)據(jù),讀地址從地址0開始,一直可以讀到地址9,完成整個RAM數(shù)據(jù)的讀出。(c)Copy Scratchpad (將RAM數(shù)據(jù)復制到EEPROM中)[48H];此指令將RAM中數(shù)據(jù)存入EEPROM中,以使數(shù)據(jù)掉電不丟失。在寄生工作方式時必須在發(fā)出此指令后立
點擊復制文檔內(nèi)容
電大資料相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1