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正文內(nèi)容

cdte結(jié)構(gòu)及制備(編輯修改稿)

2025-08-22 06:57 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 D) 濺射 法 噴涂沉積法( Spray deposition) 絲網(wǎng)印刷沉積法( Screenprint deposition) 二、 CdTe薄膜制備技術(shù) 近空間升華法 特點(diǎn) 厚度均勻、晶粒大小適當(dāng)、高效率、設(shè)備簡(jiǎn)單、沉積速度高、 Cd污染小、易于控制 近空間升華法沉積設(shè)備示意圖 生長(zhǎng)薄膜CdT e 源材料襯底加熱器源材料加熱器襯底 近空間升華法 是目前被用來生產(chǎn)高效率 CdTe薄膜電池最主要的方法 蒸發(fā)源是被置于一與襯底同面積的容器內(nèi),襯底與源材料要盡量靠近放置,使得兩者之間的溫度差盡量小,從而使薄膜的生長(zhǎng)接近理想平衡狀態(tài)。使用化學(xué)計(jì)量準(zhǔn)確的源材料,也可以得到化學(xué)計(jì)量準(zhǔn)確的 CdTe薄膜。一般襯底的溫度可以控制在 450~ 600℃ 之間,而高品質(zhì)的薄膜可以在大約 1um/mi
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