如何看懂mosfet規(guī)格書(編輯修改稿)
2025-08-20 05:28 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 容值都是隨著VDS電壓改變而改變的，如下圖：在 LLC 拓撲中，減小死區(qū)時間可以提高效率，但過小的死區(qū)時間會導致無法實現(xiàn) ZVS。因此選擇在 VDS 在低壓時 Coss 較小的 MOSFET 可以讓 LLC 更加容易實現(xiàn) ZVS，死區(qū)時間也可以適當減小，從而提升效率。6Qg, Qgs, Qgd從此圖中能夠看出：1. Qg并不等于Qgs+Qgd?。?. Vgs高，Qg大，而Qg大，驅動損耗大7SOASOA曲線可以分為4個部分：1). Rds_on的限制，如下圖紅色線附近部分此圖中：當VDS=1V時，Y軸對應的ID為2A，Rds=VDS/ID= ==Tj=150℃時，Rds(on)=10V時，Y軸對應的ID為20A，Rds=VDS/ID= ==Tj=150℃時，Rds(on)，此部分曲線中，SOA表現(xiàn)為Tj_max時RDS(on) datasheet上往往只有Tc=25和80℃時的SOA，但實際應用中不會剛好就是在Tc=25或者80℃，這時候就得想辦法把25℃或者80℃時的SOA轉換成實際Tc時的曲線。怎樣轉換呢？有興趣的可以發(fā)表一下意見......2).最大脈沖電流限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET的最大脈沖電流限制，). VBR(DSS)擊穿電壓限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET VBR(DSS)的限制，最大電壓不能超過VBR(DSS) ==所以在雪崩時，SOA圖是沒有參考意義的4). 器件所能夠承受的最大的損耗限制，如下圖紅色線附近部分上述曲線是怎么來的？這里以圖中紅線附近的那條線（10us）來分析。上圖中，1處電壓、電流分別為：88V, 59A，2處電壓、電流分別為：600V, 。MOSFET要工作在SOA，即要讓MOSFET的結溫不超過Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC為瞬態(tài)熱阻.SOA圖中，D=0，即為single pulse，紅線附近的那條線上時間是10us即10^5s，從瞬態(tài)熱阻曲線上可以得到ZthJC=*10^2從以上得到的參數(shù)可以計算出：1處的Tj約為：25+88*59**10^2=℃2處的Tj約為：25+600***10^2=℃MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃時的SOA，但實際應用中不會剛好就是在Tc=25或者80℃，這時候就得想辦法把25℃或者80℃時的SOA轉換成實際Tc時的曲線。怎樣轉換呢？有興趣的可以發(fā)表一下意見~把25℃時的SOA轉換成100℃時的曲線：1). 在2
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