【總結(jié)】1、器件概述2、電力二極管3、晶閘管第2講電力電子器件之一第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件
2024-12-28 22:24
【總結(jié)】電力電子技術(shù)1.電力電子技術(shù)的內(nèi)容?電力電子學,又稱功率電子學(PowerElectronics)。它主要研究各種電力電子器件,以及由這些電力電子器件所構(gòu)成的各式各樣的電路或裝置,以完成對電能的變換和控制。?它既是電子學在強電(高電壓、大電流)或電工領(lǐng)域的一個分支,又是電工學在弱電(低電壓、小電流)或電子領(lǐng)域的一個分支,或者說
2024-12-30 22:23
【總結(jié)】18/18
2025-08-03 05:35
【總結(jié)】1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)第1章電力電子器件
2025-05-14 22:17
【總結(jié)】短溝道效應(yīng)當MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【總結(jié)】第一章電力電子器件電力電子器件(2)晶閘管?1.晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理?2.晶閘管的基本特性?3.晶閘管的主要參數(shù)?4.晶閘管的派生器件1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管(Thyristor)——硅晶體閘流管的簡稱又稱:可控硅整流器SCR,簡稱可控硅。晶閘管
2025-01-17 09:01
【總結(jié)】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當今時代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點。熱電轉(zhuǎn)化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點
2024-12-31 22:44
【總結(jié)】第五節(jié)其它新型電力電子器件?電力晶體管GTR?可關(guān)斷晶閘管GTO?功率場效應(yīng)晶體管MOSFET?絕緣柵雙極晶體管IGBT?靜電感應(yīng)晶體管SIT?靜電感應(yīng)晶閘管SITH?MOS晶閘管MCT?MOS晶體管MGT一、雙極型器件GTO、GTR、SITH1、電力晶體管G
2025-01-01 02:39
【總結(jié)】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)1-2電子技術(shù)的基礎(chǔ)
【總結(jié)】材料類型在光纖通信用的光器件的研究中,研究思路有三個方面:①積極尋找各種新型材料;②揭示新型材料的物理效應(yīng)與新的應(yīng)用途徑;③進一步完善現(xiàn)有的微電子工藝。1半導(dǎo)體材料第五章光電子器件物理基礎(chǔ)(A)制造光纖通信用光器件:半導(dǎo)體材料、非半導(dǎo)體材料和其它材料。半導(dǎo)體材料:直接帶隙材料、間接帶隙材料直接帶隙材料:一個電子和一
2024-12-29 07:10
【總結(jié)】ModernPowerElectronicsTechnology姓名:學號:學院(系):自動化學院專業(yè):電氣工程題目:電力電子器件在感應(yīng)加熱電源中的應(yīng)用指導(dǎo)老師:20
2025-06-06 23:29
【總結(jié)】DOCUMENTNO:發(fā)行版本VERSION:頁數(shù)PAGINATION:69
2025-04-12 04:00
【總結(jié)】遼寧省軟件產(chǎn)品登記申報指南(試行)一、軟件產(chǎn)品是指向用戶提供的計算機軟件、信息系統(tǒng)或者設(shè)備中嵌入的軟件或者在提供計算機信息系統(tǒng)集成、應(yīng)用服務(wù)等技術(shù)服務(wù)時提供的計算機軟件。建議軟件產(chǎn)品名稱為:品牌(公司簡稱&注冊商標)+產(chǎn)品用途與功能+“軟件”或“系統(tǒng)”+版本號。二、軟件產(chǎn)品登記的申報程序企業(yè)網(wǎng)上注冊未通過
2025-04-02 00:18
【總結(jié)】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負)電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運動,空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當采用耗盡近似時,N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44