freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

電動(dòng)車無線防盜警報(bào)器設(shè)計(jì)(編輯修改稿)

2025-07-27 08:28 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 調(diào)是否滿意。(2)不同系列的音樂集成電路,它們的工作電壓差異較大,若大于這個(gè)電壓音調(diào)就會(huì)失真,~5V。使用時(shí)應(yīng)注意正確選擇工作電壓,才能保證集成電路的正確工作。(3)外接電阻阻值大小與輸出樂曲的音調(diào)有關(guān),阻值小時(shí)音調(diào)高,阻值大時(shí)音調(diào)低,調(diào)試時(shí)應(yīng)注意阻值的選取。(4)有的系列電路雖能驅(qū)動(dòng)壓電蜂鳴器,但輸出的電流極小,對(duì)于這類集成電路在外接功放時(shí)要注意。(5)音樂集成電路由CMOS電路構(gòu)成,因此焊接時(shí)應(yīng)將電烙鐵外殼可靠接地,或待電烙鐵燒熱后切斷電源用余熱進(jìn)行焊接。 音樂集成電路報(bào)警模塊設(shè)計(jì)該模塊用到了整流二極管[7]、晶體三極管、直流繼電器及音樂集成電路等電器元件,下面將對(duì)各個(gè)元件的工作原理及型號(hào)的選用做詳細(xì)的介紹。 晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的pn結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于pn 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑制作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。 當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),pn結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為整流二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管最重要的特性就是單向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。下面通過簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)說明二極管的正向特性和反向特性。(1)正向特性 在電子電路中,將整流二極管的正極接在高電位端,負(fù)極接在低電位端,二極管就會(huì)導(dǎo)通,這種連接方式稱為正向偏置。當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí),整流二極管仍然不能導(dǎo)通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,)以后,整流二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(,),稱為二極管的“正向壓降”。 (2)反向特性 在電子電路中,二極管的正極接在低電位端,負(fù)極接在高電位端,此時(shí)二極管中幾乎沒有電流流過,此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài),這種連接方式,稱為反向偏置。整流二極管處于反向偏置時(shí),仍然會(huì)有微弱的反向電流流過二極管,稱為漏電流。當(dāng)整流二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值,反向電流會(huì)急劇增大,二極管將失去單向?qū)щ娞匦裕@種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。在本設(shè)計(jì)中對(duì)整流二極管并沒有太多的性能要求,只要具備了二極管的單向?qū)щ娦跃涂梢粤?,在電路中起到保護(hù)電子元件的作用。所以本設(shè)計(jì)將采用IN4007型鍺二極管。 晶體三極管的選用晶體三極管[8]是一種電流放大器件,有集電極C,基極B,發(fā)射極E三個(gè)極。晶體三極管按材料分常見的有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式,使用最多的是硅NPN和PNP兩種,兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的。我們僅以NPN型硅三極管的共發(fā)射極放大電路為例來說明一下三極管放大電路的基本原理。圖42 NPN型硅三極管引腳圖如上圖42所示,我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個(gè)電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個(gè)箭頭來表示電流的方向。三極管的放大作用就是:集電極電流Ic受基極電流Ib的控制,并且基極電流Ib很小的變化,會(huì)引起集電極電流Ic很大的變化,Ic 的變化量與Ib變化量之比稱作三極管的放大倍數(shù)β。如果我們將一個(gè)變化的小信號(hào)加到基極跟發(fā)射極之間,這就會(huì)引起基極電流Ib的變化,Ib的變化被放大后,導(dǎo)致了Ic很大的變化。如果集電極電流Ic是流過一個(gè)電阻R的,那么根據(jù)電壓計(jì)算公式可以算得,這電阻上電壓就會(huì)發(fā)生很大的變化。我們將這個(gè)電阻上的電壓取出來,就得到了放大后的電壓信號(hào)了。 三極管在實(shí)際的放大電路中使用時(shí),還需要加合適的偏置電路。首先是由于三極管BE結(jié)的非線性(相當(dāng)于一個(gè)二極管),基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產(chǎn)生(對(duì)于硅管,)。,基極電流Ib就可以認(rèn)為是0。,如果不加偏置的話,這么小的信號(hào)就不足以引起基極電流Ib的改變(,基極電流都是0)。如果我們事先在三極管的基極上加上一個(gè)合適的電流(叫做偏置電流,上圖中那個(gè)電阻Rb就是用來提供這個(gè)電流的,所以它被叫做基極偏置電阻),那么當(dāng)一個(gè)小信號(hào)跟這個(gè)偏置電流疊加在一起時(shí),小信號(hào)就會(huì)導(dǎo)致基極電流Ib的變化,而基極電流Ib的變化,就會(huì)被放大并在集電極上輸出。另一個(gè)原因就是輸出信號(hào)范圍的要求,如果沒有加偏置,那么只有對(duì)那些增加的信號(hào)放大,而對(duì)減小的信號(hào)無效(因?yàn)闆]有偏置時(shí)集電極電流為0,不能再減小了)。而加上偏置,事先讓集電極有一定的電流,當(dāng)輸入的基極電流Ib變小時(shí),集電極電流Ic就可以減?。划?dāng)輸入的基極電流Ib增大時(shí),集電極電流Ic就增大。這樣減小的信號(hào)和增大的信號(hào)都可以被放大了。 對(duì)于PNP型三極管,分析方法類似,不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反。三極管的工作狀態(tài)可以分為三個(gè)區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū),根據(jù)三極管發(fā)射極和集電極偏置情況,可以判別其工作狀態(tài):(1)對(duì)于NPN三極管來說,當(dāng)Ube≤0時(shí),三極管發(fā)射極處于反向偏置,Ib≈0,三極管工作在截止區(qū);(2)當(dāng)晶體三極管發(fā)射極處于正向偏置而集電極處于反向偏置時(shí),三極管工作在放大區(qū),Ic隨Ib近似作線性變化;(3)當(dāng)發(fā)射極和集電極均處于正向偏置狀態(tài)時(shí),三極管工作在飽和區(qū),Ic基本上不隨Ib而變化,失去了放大功能。在本設(shè)計(jì)中三極管選用型號(hào)為S9014 NPN型硅三極管。 電磁繼電器的選用繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中,它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電的一種“自動(dòng)開關(guān)”,在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。 電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點(diǎn)簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定的電壓,線圈中就會(huì)流過一定的電流,從而產(chǎn)生電磁效應(yīng),銜鐵就會(huì)在電磁力吸引的作用下克服返回彈簧的拉力吸向鐵芯,從而帶動(dòng)銜鐵的動(dòng)觸點(diǎn)與靜觸點(diǎn)(常開觸點(diǎn))吸合。當(dāng)線圈斷電后,電磁的吸力也隨之消失,銜鐵就會(huì)在彈簧的反作用力返回原來的位置,使動(dòng)觸點(diǎn)與原來的靜觸點(diǎn)(常閉觸點(diǎn))吸合。這樣吸合、釋放,從而達(dá)到了在電路中的導(dǎo)通、切斷的目的。對(duì)于繼電器的“常開、常閉”觸點(diǎn),可以這樣來區(qū)分:繼電器線圈未通電時(shí)處于斷開狀態(tài)的靜觸點(diǎn),稱為“常開觸點(diǎn)”;處于接通狀態(tài)的靜觸點(diǎn)稱為“常閉觸點(diǎn)”。在本設(shè)計(jì)中為了安全保護(hù)須在音樂集成電路中接入電磁繼電器,而繼電器的選用為了達(dá)到供電電壓的一致從而選用5V直流繼電器。本設(shè)計(jì)中音樂集成電路的設(shè)計(jì)如圖43所示。當(dāng)無線接收模塊(LRT15CTM4S紅外接收遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)模塊)收到無線發(fā)射模塊(彩色電視遙控器)的脈沖信號(hào)后,單片機(jī)接收到該脈沖信號(hào)后讓P27口上電,當(dāng)P27口有高電平輸出時(shí),通過基極偏置電阻R1給三極管加一偏置電流,三極管Q1正向偏置,直流繼電器KA吸合,音樂集成電路發(fā)出報(bào)警信號(hào),播放一遍音樂后便處在預(yù)警狀態(tài),當(dāng)彈簧開關(guān)KM1受到外界振動(dòng)信號(hào)觸發(fā)后將會(huì)再次接通音樂集成電路,達(dá)到電動(dòng)車防盜報(bào)警的目的。圖43 音樂集成電路報(bào)警模塊 本章小結(jié)本章對(duì)音樂集成電路報(bào)警模塊所采用的整流二極管、晶體三極管、直流繼電器及音樂集成電路等電器元件的工作原理進(jìn)行了詳細(xì)的介紹,并設(shè)計(jì)了適合本設(shè)計(jì)所需的音樂集成電路報(bào)警模塊,講解了該模塊的工作原理。5 安裝與調(diào)試安裝是產(chǎn)品開發(fā)結(jié)構(gòu)化的表現(xiàn),合理的安裝可以節(jié)約空間,使產(chǎn)品結(jié)構(gòu)緊湊。調(diào)試對(duì)產(chǎn)品開發(fā)來說是必須的,也是產(chǎn)品開發(fā)過程中非常重要的一部分,主要分為硬件調(diào)試和軟件調(diào)試。硬件調(diào)試是指在硬件全部焊接好以后,檢查是否有焊錯(cuò)、漏焊、虛焊、元件有沒有接錯(cuò)、接反的過程。軟件調(diào)試是指在軟件開發(fā)過程中及時(shí)改正測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)的軟件錯(cuò)誤。下面將介紹本設(shè)計(jì)中有關(guān)硬件和軟件部分的安裝與調(diào)試。 硬件安裝本設(shè)計(jì)采用AT89C51單片機(jī)作為本設(shè)計(jì)的核心,下面將介紹AT89C51單片機(jī)的相關(guān)特性及參數(shù)。 AT89C51單片機(jī)相關(guān)特性及參數(shù)介紹AT89C51是美國(guó)ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓,高性能CMOS8位單片機(jī),片內(nèi)含4K字節(jié)的可反復(fù)擦寫Flash只讀存儲(chǔ)器和128字節(jié)的隨機(jī)存儲(chǔ)器,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS51指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲(chǔ)單元。圖51 AT89C51單片機(jī)引腳圖?與MCS51產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼容 ?4K字節(jié)可反復(fù)擦寫Flash只讀存儲(chǔ)器 ?1000次擦寫周期?數(shù)據(jù)保留時(shí)間:10年?全靜態(tài)工作:0Hz~24Hz?三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器?1288位內(nèi)部RAM?32可編程I/O線?兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器?6個(gè)中斷源 ?可編程串行通道?低功耗空閑和掉電模式?片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路AT89C51單片機(jī)提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能:4K字節(jié)Flash閃存,128字節(jié)內(nèi)部RAM,32個(gè)I/O口線,兩個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器,一個(gè)向量?jī)蓸O中斷機(jī)構(gòu),一個(gè)全雙工串行通信口,片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí),AY89C51單片機(jī)還可降至0Hz的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式:空閑方式停止CPU的工作,但允許RAM、定時(shí)/計(jì)數(shù)器、串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作;掉電方式保存RAM中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。引腳功能[9]說明VCC:供電電壓。GND:接地。P0口:P0口為一個(gè)8位漏極開路雙向I/O口,即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí),每腳可吸收8個(gè)TTL邏輯門電路。當(dāng)端口寫1可作為高阻抗輸入端用。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí),這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。在Flash編程時(shí),P0口接收指令字節(jié),而在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié),校驗(yàn)時(shí)要求外接上拉電阻。P1口:P1口為一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口,P1口輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門電路。對(duì)端口寫“1”,通過內(nèi)部上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口使用,并當(dāng)某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)回輸出一個(gè)電流。在Flash編程和程序校驗(yàn)期間,P1口接收低8位地址。P2口:P2口為一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2口的輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門電路,對(duì)端口寫“1”,通過內(nèi)部上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口使用,并當(dāng)某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)回輸出一個(gè)電流。在訪問外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,P2口送出高8位地址數(shù)據(jù);在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2口線上的內(nèi)容在整個(gè)訪問期間不改變。在Flash編程和程序檢驗(yàn)時(shí),P2口也接收高位地址和其他控制信號(hào)。表51 P3口特殊功能端口引腳第二功能RXD(串行輸入口)TXD(串行輸出口)INT0(外部中斷0)INT1(外部中斷1)T0(定時(shí)∕計(jì)數(shù)器)T1(定時(shí)∕計(jì)數(shù)器)WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通)RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)P3口:P3口為一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2口的輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門電路,對(duì)端口寫“1”,通過內(nèi)部上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口使用,并當(dāng)某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。P3口還接收一些用于Flash閃存編程和程序檢驗(yàn)的控制信號(hào)。P3口也可作為特殊功能口,其功能見表51。RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí),要保持RST腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。ALE/PROG:當(dāng)訪問外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),地址鎖存允許的輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。在Flash編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí),ALE端以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的正脈沖信號(hào),因此它可用作對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。然而要注意的是:每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將跳過一個(gè)ALE脈沖。對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過對(duì)特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位,可禁止ALE操作。該位置位后,只有一條OVX和MOVC指令A(yù)LE才會(huì)被激活。此外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置ALE無效。PSEN:程序存儲(chǔ)允許輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)AT89C51由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效,即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間,當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,這兩次有效的PSEN信號(hào)不出現(xiàn)。EA/VPP:外部訪問允許。欲使CPU僅訪問為部程序存儲(chǔ)器(地址為0000H~FFFFH),EA端必須保持低電平(接地)。需要注意的是:如果加密位LB1被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。當(dāng)EA端為高電平(接Vcc端),CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器總的指令。Flash存儲(chǔ)器編
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
教學(xué)課件相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖片鄂ICP備17016276號(hào)-1