uc2845的應(yīng)用和pwm變壓器設(shè)計(編輯修改稿)
2025-07-26 18:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 首先是振蕩器必須的振蕩,振蕩器要振蕩必須要有一個較小的的啟動電流,較小的的啟動電流又來自較小的的啟動電壓,可是開關(guān)電源開機后,馬上建立起來的唯一的一種電壓,就是375V左右的直流電壓,該電壓經(jīng)啟動電阻R203(200KΩ)直接給UC2845D8的⑦腳供電(正常工作約需15mA電流),此時自饋電沒建立起來,只有靠C225的放電來繼續(xù)啟動,此電容又叫維持啟動電容。開關(guān)變壓器的初級繞組感應(yīng)給自饋電繞組的脈沖電壓,輸出+13V自饋電壓,自饋電建立后,經(jīng)維持啟動電容C224,C225濾波后,給UC2845D8的⑦腳供電,啟動電阻R203也完成任務(wù),R203還接在電路中,兩端有362V電壓(362/200K=),此時沒有R203,電路工作可正常工作。四、吸收回路①定義:消反沖電路或稱阻尼電路。② 組成:由電阻、電容和阻塞二極管組成的鉗位電路。③ 作用:1:降低沒用的反沖電壓。2:消除高頻振蕩(可以有效地保護開關(guān)功率管不受損)。④ 反沖電壓:是指在斷開有電流的電感電路時,產(chǎn)生的自感電壓,吸 收回路是消耗能量的。⑤ 高電壓常用的幾種吸收回路分析,當(dāng)開關(guān)管Q1截止時,初級繞組的反沖電壓為:上“”下“+”,并通過二極管D1給電容器C1充電,由于電路中沒有電阻,所以電容器C1充電電流比較大, 電容器C1兩端電壓一下就能上升到150V,電容器C1吸收的能量就比較多。(瞬間充電完成,馬上又放電)電容器C1的電壓為下“+”上“”,電阻R1也有電流泄漏，它不可能通過二極管D1反向由初級繞組T放電,它就無法振蕩下去,電容器C1上的電壓,只有通過R1放電,將反沖電壓轉(zhuǎn)換成熱能散發(fā)掉。當(dāng)開關(guān)管Q1導(dǎo)通時,電阻R1仍給電容器C1放電,最后C1兩端電壓下降到約125V。總之:電容器C2的充電時間,在Q1截止。C2的放電時間在導(dǎo)通和截止整各個過程。b. 當(dāng)開關(guān)管Q1截止時,初級繞組的反沖電壓為:上“”下“+”,并通過電阻R1給電容器C1充電,C1充電脈沖電流比較大(),在R1上的瞬時電壓降可達200V至多,瞬時功率達60W,平均功率12W。(瞬間充電完成,馬上又放電)電容器C1的電壓為下“+”上“”,C1通過阻尼電阻R1放電(使高頻自由振蕩成低頻自由振蕩,由于R1消耗使振蕩很快衰減)。當(dāng)開關(guān)管Q1導(dǎo)通時,由電源電壓(300V)給C1充電,在阻尼電阻R1上也要消耗能量。c. 當(dāng)開關(guān)管Q1截止時,MOS的D(漏極)反沖電壓最高達600800V,通過電阻R1給電容器C1充電,因反沖電壓較高,所以充電電流很大,反沖電壓消耗大,從而達到保護Q1的目的。當(dāng)開關(guān)管Q1導(dǎo)通時,C1所充的電壓就經(jīng)過Q1放電,為了防止瞬間放電電流過大而加重管子負(fù)擔(dān),所以串聯(lián)電阻R1加以限流,C1的兩端電壓不可能全部放掉,還會乘100V左右電壓。d. 當(dāng)開關(guān)管Q1截止時, 反沖電壓通過二極管D1給電容器C1充電,因反沖電壓較高(600800V),沒有電阻限流,所以充電電流很大,反沖電壓消耗大,從而達到保護Q1的目的(有反沖電壓這一瞬間是充電,其它時間通過R4放電)。當(dāng)開關(guān)管Q1導(dǎo)通時,C1所充的電壓就經(jīng)過R1放電, C1的兩端電壓不可能全部放掉,還會乘100V左右電壓。,初級繞組的反沖電壓為:上“”下“+”, 直接給電容器C1充電,由于電路中沒有電阻,所以電容器C1充電電流比較大,電容器C1兩端電壓一下就能上升到很高電壓,電容器C1吸收的能量就比較多,電容器C1的電壓為下“”上“+”。當(dāng)開關(guān)管Q1導(dǎo)通時,C1所充的電壓就經(jīng)過MOS管,R1,R2放電轉(zhuǎn)換成熱能散發(fā)掉,C1的兩端電壓不可能全部放掉,還會乘100V左右電壓。⑥對圖原理介紹:由C202(103/2KV),R201(27K/3W),D201(MUR110R)組成變壓器緩沖網(wǎng)絡(luò)吸收回路。并與初級繞組兩端并聯(lián),它主要是消除MOS管截止時,產(chǎn)生的高頻振蕩。當(dāng)MOS管導(dǎo)通時,初級繞組中的電流,使變壓器儲存磁能,當(dāng)MOS管截止時,變壓器中的磁能就要轉(zhuǎn)化為電能,在初級繞組的兩端, 產(chǎn)生下正上負(fù)的300多伏的脈沖電壓。由于有較小的寄生電容的存在,變壓器的初級繞組與寄生電容要產(chǎn)生高頻振蕩,向外發(fā)射干擾電磁波。有了該組吸收后路后,自感電壓通過D201給C202充電,把能量儲存在C202電場中,因C202上的電壓不可能通過D201向初級繞組N1放電(截止),所以它就無法振蕩下去,C202上的電壓,只有通過R201放電,將反沖電壓轉(zhuǎn)換成熱能散發(fā)掉,R201溫度比較高。總之:C202的沖電時間,只是在MOS管截止的一瞬間,C202的放電時間,是在MOS管截止和導(dǎo)通的整個過程中。: MOS管吸收回路:C221(221/2KV),R234(27K 3W),D211(MUR1100R)組成。與MOS管兩端并聯(lián)。當(dāng)MOS管截止時,初級繞組N1的兩端,產(chǎn)生下正、上負(fù)的300多伏的脈沖電壓,這個電壓與直流300V串聯(lián)相加后,這時4N90的漏極D和源極S之間約有600~700V的電壓,有了該組吸收回路后,這個很高的脈沖電壓,通過D211給電容器C221充電,將很高的脈沖電壓拉下來當(dāng)MOS管導(dǎo)通時,電容器C221通過MOS和R234放電,防止瞬間放電電流過大,在電路中串聯(lián)一個限流電阻R234,這樣C221的兩端電壓不可能全部放掉,一般會剩100V左右的電壓。: RX201及C207和D206組成24V1次級吸收回路。4: RX202及C208和D208組成24V2次級吸收回路。5: RX203及C209和D209組成12V次級吸收回路。6:RX204及C210和D210組成15V次級吸收回路。(吸收次級整流管的反向尖峰電壓)4N90導(dǎo)通時,變壓器的磁通量增大,此時便將電能積蓄起來,4N90截止時,便將積蓄的電能釋放,變壓器初級繞組中便有剩磁產(chǎn)生,并通過D201反饋到次級,剩磁釋放完后,初級繞組NP的電壓Vmin =*154= Vmax=*286 = Dmin:最小占空比 Lp:初級電感量MOS峰值電壓:Vdsp= Vmax*(1+(R201*Dmin)/(10*Lp)) = Vmax*(1+(R201*Dmin)/(10*Lp) =*(1+(20k*)/(10*)) = MOS峰值電流:Ids = *N3/N1+*(N4+N5)/N1+*N4/N1+*N6/N1
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