【文章內(nèi)容簡介】 賴于濃度梯度，而僅由熱振動而產(chǎn)生的擴散?；U散：在置換式固溶體中，兩組元互相擴散。間隙擴散：這是原子擴散的一種機制，對于間隙原子來說，由于其尺寸較小，處于晶格間隙中，在擴散時，間隙原子從一個間隙位置跳到相鄰的另一個間隙位置，形成原子的移動。反應(yīng)擴散:伴隨有化學(xué)反應(yīng)而形成新相的擴散稱為反應(yīng)擴散?？瘴粩U散：擴散原子從正常位置跳動到鄰近的空位，即通過原子與空位交換位置而實現(xiàn)擴散。每次跳遷須有空位遷移與之配合。下坡擴散：組元從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)遷移的擴散的過程稱為下坡擴散。上坡擴散：組元從低濃度區(qū)向高濃度區(qū)遷移的擴散的過程稱為上坡擴散。穩(wěn)態(tài)擴散：擴散組元的濃度只隨距離變化，而不隨時間變化。非穩(wěn)態(tài)擴散:擴散組元的濃度不僅隨距離x 變化，也隨時間變化的擴散稱為非穩(wěn)態(tài)擴散。擴散系數(shù)：相當(dāng)于質(zhì)量濃度為一時，單位時間內(nèi)的擴散通量?；U散系數(shù)：在互擴散當(dāng)中，用來代替兩種原子的方向相反的擴散系數(shù)DD2。體擴散：物質(zhì)在晶體內(nèi)部的遷移過程。表面擴散：是指原子、離子、分子以及原子團(tuán)在固體表面沿表面方向的運動。當(dāng)固體表面存在化學(xué)勢梯度場，擴散物質(zhì)的濃度變化或樣品表面的形貌變化時。晶界擴散：是指原子沿著晶界滲入晶粒。擴散退火：生產(chǎn)上常將鑄件加熱到固相線以下100200℃長時間保溫，以使原子充分?jǐn)U散、成分均勻，消除枝晶偏析，這種熱處理工藝稱做擴散退火?？驴线_(dá)爾效應(yīng):反映了置換原子的擴散機制，兩個純組元構(gòu)成擴散偶，在擴散的過程中，界面將向擴散速率快的組元一側(cè)移動?？率蠚鈭F(tuán):通常把溶質(zhì)原子與位錯交互作用后，在位錯周圍偏聚的現(xiàn)象稱為氣團(tuán)，是由柯垂?fàn)柺紫忍岢?，又稱柯氏氣團(tuán)。螺型位錯：位錯線附近的原子按螺旋形排列的位錯稱為螺型位錯。孿晶:孿晶是指兩個晶體（或一個晶體的兩部分）沿一個公共晶面構(gòu)成鏡面對稱的位向關(guān)系，這兩個晶體就稱為孿晶，此公共晶面就稱孿晶面。孿生:晶體受力后，以產(chǎn)生孿晶的方式進(jìn)行的切變過程叫孿生。物質(zhì)結(jié)晶時，晶體結(jié)構(gòu)位置上的某些離子或原子的位置部分或全部地被介質(zhì)中性質(zhì)相近的其他離子活原子所置換，共同結(jié)晶成的單相晶體，而不改變晶體結(jié)構(gòu)化和鍵性，只引起晶胞參數(shù)微小變化的現(xiàn)象。臨界晶粒：由于新相形核時單位體積的自由能減少，而新相表面的表面自由能增加，所以新相的晶核必須具有或超過一定臨界尺寸r*才能成為穩(wěn)定的晶核，半徑為r*的晶核稱為臨界晶核。臨界形核功：形成臨界晶核所需要的功。臨界分切應(yīng)力:滑移系開動所需的最小分切應(yīng)力；它是一個定值，與材料本身性質(zhì)有關(guān)，與外力取向無關(guān)。臨界變形度:給定溫度下金屬發(fā)生再結(jié)晶所需的最小預(yù)先冷變形量。離異共晶:共晶體中的α相依附于初生α相生長，將共晶體中另一相β推到最后凝固的晶界處，從而使共晶體兩組成相相間的組織特點消失，這種兩相分離的共晶體稱為離異共晶。萊氏體:鐵碳相圖共晶轉(zhuǎn)變的產(chǎn)物，是共晶奧氏體和共晶滲碳體的機械混合物。馬氏體轉(zhuǎn)變：同成分、不變平面切變類型的固態(tài)轉(zhuǎn)變。彌散強化：許多材料由兩相或多相構(gòu)成，如果其中一相為細(xì)小的顆粒并彌散分布在材料內(nèi)，則這種材料的強度往往會增加，稱為彌散強化。原因：由于硬的顆粒不易被切變，因而阻礙了位錯的運動，提高了變形抗力。密勒指數(shù)：由晶面指數(shù)和晶向指數(shù)組成，晶面指數(shù)表示晶面的方向，晶向指數(shù)表示晶體中點陣方向。能量最低原理：電子的排布總是盡可能的使體系的能量最低。能量起伏：是指體系中每個微小體積所實際具有的能量，會偏離體系平均能量水平而瞬時漲落的現(xiàn)象。扭折：位錯交割形成的曲折線段在位錯的滑移面上時，稱為扭折。配位數(shù):晶體結(jié)構(gòu)中任一原子周圍最近鄰且等距離的原子數(shù)。配位多面體:原子或離子周圍與它直接相鄰結(jié)合的原子或離子的中心連線所構(gòu)成的多面體，稱為原子或離子的配位多面體。偏析:合金中化學(xué)成分的不均勻性。偏晶轉(zhuǎn)變：是一個液相L1分解出一個固相和另一成分的液相L2的轉(zhuǎn)變。有可能產(chǎn)生偏晶轉(zhuǎn)變的二元系往往在液態(tài)時兩組元只能部分溶解，或幾乎不溶解平衡分配系數(shù)k0：平衡凝固時固相的溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)wS（成分）和液相溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)wL（成分）之比。平衡凝固：指凝固過程中的每個階段都能達(dá)到平衡，即在相變過程中有充分的時間進(jìn)行組元間的擴散。派納力：晶體滑移需克服晶體點陣對位錯的阻力，即點陣阻力。攀移：通過空位或原子的擴散使刃型位錯離開原滑移面作上下運動。平面狀：在正溫度梯度下，純晶體凝固時，粗糙界面的晶體其生長形態(tài)呈平面狀，界面與相面等溫而平行樹枝晶。去應(yīng)力退火：利用回復(fù)現(xiàn)象將冷變形金屬低溫加熱，既穩(wěn)定組織又保留加工硬化，這種熱處理方法稱去應(yīng)力退火。區(qū)域熔煉：原始質(zhì)量濃度為?0，凝固前端部分的溶質(zhì)濃度不斷下降（k01），后端部分不斷富集，使前端溶質(zhì)減少而得到提純，也叫區(qū)域提純。全位錯:把柏氏矢量等于點陣矢量或其整數(shù)倍的位錯稱為全位錯。點缺陷：最簡單的晶體缺陷，在結(jié)點上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常排列。在空間三維方向上的尺寸都很小，約為一個、幾個原子間距，又稱零維缺陷。包括空位、間隙原子、雜質(zhì)、溶質(zhì)原子等。線缺陷：在一個方向上的缺陷擴展很大，其它兩個方向上尺寸很小，也稱為一維缺陷。主要為位錯。面缺陷：在兩個方向上的缺陷擴展很大，其它一個方向上尺寸很小，也稱為二維缺陷。包括晶界、相界、孿晶界、堆垛層錯等。刃型位錯:晶體中的某一晶面，在其上半部有多余的半排原子面，好像一把刀刃插入晶體中，使這一晶面上下兩部分晶體之間產(chǎn)生了原子錯排，稱為刃型位錯。刃型位錯線可以理解為已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的分界線，它不一定是直線。熱加工：在加工變形的同時產(chǎn)生加工硬化和動態(tài)回復(fù)與再結(jié)晶，并且熱加工產(chǎn)生的加工硬化很快被回復(fù)再結(jié)晶產(chǎn)生的軟化所抵消，所以熱加工體現(xiàn)不出加工硬化現(xiàn)象。熱平衡缺陷：由于熱起伏促使原子脫離點陣位置而形成的點缺陷稱為熱平衡缺陷，這是晶體內(nèi)原子的熱運動的內(nèi)部條件決定的。熔晶轉(zhuǎn)變：是一個固相轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€固相和一個液相的恒溫轉(zhuǎn)變。之所以稱為熔晶轉(zhuǎn)變，是因為固相在溫度下降時可以部分熔化。雙交滑移:如果交滑移后的位錯再轉(zhuǎn)回和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運動，則稱為雙交滑移。時效:過飽和固溶體后續(xù)在室溫或高于室溫的溶質(zhì)原子脫溶過程。施密特因子:亦稱取向因子，為cosΦcosλ, Φ為滑移面與外力F 中心軸的夾角，λ為滑移方向與外力F 的夾角。樹枝晶：樹枝晶的基本結(jié)構(gòu)單元也是折疊鏈片晶，但與球晶不同的是，球晶是在所有半徑方向以相同的速度發(fā)展，樹枝晶則是在特定方向上優(yōu)先發(fā)展，樹枝晶中晶片具有規(guī)則的外形。樹枝狀：在負(fù)溫度梯度下，純晶體凝固時，處于溫度更低的液相中，是凸出的部分的生長速度增大而進(jìn)一步伸向液體中，這種情況下液固界面會形成許多伸向液體的分支的生長方式。同質(zhì)異構(gòu)體:化學(xué)組成相同由于熱力學(xué)條件不同而形成的不同晶體結(jié)構(gòu)。相同的化學(xué)組成，在不同的熱力學(xué)條件下卻能形成不同的晶體結(jié)構(gòu)，表現(xiàn)出不同的物理、化學(xué)性質(zhì)。我們把同一種化學(xué)組成在不同的熱力學(xué)條件下（溫度、壓力、pH等），可以結(jié)晶成為兩種以上不同結(jié)構(gòu)的晶體的現(xiàn)