【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 　 鍺材料國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)晶體管型號(hào)命名法的特點(diǎn)：1) 這種命名法被歐洲許多國(guó)家采用。因此，凡型號(hào)以?xún)蓚€(gè)字母開(kāi)頭，并且第一個(gè)字母是A，B，C，D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠(chǎng)家專(zhuān)利生產(chǎn)的產(chǎn)品。2) 第一個(gè)字母表示材料（A表示鍺管，B表示硅管），但不表示極性（NPN型或PNP型）。3) 第二個(gè)字母表示器件的類(lèi)別和主要特點(diǎn)。如C表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。若記住了這些字母的意義，不查手冊(cè)也可以判斷出類(lèi)別。例如，BL49型，一見(jiàn)便知是硅大功率專(zhuān)用三極管。4) 第三部分表示登記順序號(hào)。三位數(shù)字者為通用品；一個(gè)字母加兩位數(shù)字者為專(zhuān)用品，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)型號(hào)的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185則為NPN型。5) 第四部分字母表示同一型號(hào)的某一參數(shù)（如hFE或NF）進(jìn)行分檔。6) 型號(hào)中的符號(hào)均不反映器件的極性（指NPN或PNP）。極性的確定需查閱手冊(cè)或測(cè)量。 (3) 美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法美國(guó)晶體管或其它半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名法較混亂。這里介紹的是美國(guó)晶體管標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)命名法，即美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）規(guī)定的晶體管分立器件型號(hào)的命名法。如表11所示?！　　　　　　”?1　美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符號(hào)表示用途的類(lèi)型用數(shù)字表示PN結(jié)的數(shù)目美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)登記順序號(hào)用字母表示器件分檔符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義JAN或J軍用品1二極管N　該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)登記多位數(shù)字　　該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)ABCDL　　同一型號(hào)的不同檔別2三極管無(wú)非軍用品3三個(gè)PN結(jié)器件nn個(gè)PN結(jié)器件例：　1) JAN2N2904　　　　　　　　　　　　　2) 1N4001JAN　2　N　2904 1　N　4001　　　　　　　 EIA登記序號(hào)　　　　　　　　　 EIA登記序號(hào)　　　　　 EIA注冊(cè)標(biāo)志　　　　　 EIA注冊(cè)標(biāo)志　　　 三極管　　　　　　　　 二極管　 軍用品美國(guó)晶體管型號(hào)命名法的特點(diǎn)：1) 型號(hào)命名法規(guī)定較早，又未作過(guò)改進(jìn)，型號(hào)內(nèi)容很不完備。例如，對(duì)于材料、極性、主要特性和類(lèi)型，在型號(hào)中不能反映出來(lái)。例如，2N開(kāi)頭的既可能是一般晶體管，也可能是場(chǎng)效應(yīng)管。因此，仍有一些廠(chǎng)家按自己規(guī)定的型號(hào)命名法命名。2) 組成型號(hào)的第一部分是前綴，第五部分是后綴，中間的三部分為型號(hào)的基本部分。3) 除去前綴以外，凡型號(hào)以1N、2N或3NLL開(kāi)頭的晶體管分立器件，大都是美國(guó)制造的，或按美國(guó)專(zhuān)利在其它國(guó)家制造的產(chǎn)品。4) 第四部分?jǐn)?shù)字只表示登記序號(hào)，而不含其它意義。因此，序號(hào)相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN，高頻大功率管，而2N3465為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。5) 不同廠(chǎng)家生產(chǎn)的性能基本一致的器件，都使用同一個(gè)登記號(hào)。同一型號(hào)中某些參數(shù)的差異常用后綴字母表示。因此，型號(hào)相同的器件可以通用。6) 登記序號(hào)數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。 (4) 日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法日本半導(dǎo)體分立器件（包括晶體管）或其它國(guó)家按日本專(zhuān)利生產(chǎn)的這類(lèi)器件，都是按日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（JIS）規(guī)定的命名法（JIS－C－702）命名的。日本半導(dǎo)體分立器件的型號(hào)，由五至七部分組成。通常只用到前五部分。前五部分符號(hào)及意義如表12所示。第六、七部分的符號(hào)及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六部分的符號(hào)表示特殊的用途及特性，其常用的符號(hào)有：M－松下公司用來(lái)表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)隊(duì)參謀部有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)登記的產(chǎn)品。N－松下公司用來(lái)表示該器件符合日本廣播協(xié)會(huì)（NHK）有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的登記產(chǎn)品。Z－松下公司用來(lái)表示專(zhuān)用通信用的可靠性高的器件。H－日立公司用來(lái)表示專(zhuān)為通信用的可靠性高的器件。K－日立公司用來(lái)表示專(zhuān)為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。T－日立公司用來(lái)表示收發(fā)報(bào)機(jī)用的推薦產(chǎn)品。G－東芝公司用來(lái)表示專(zhuān)為通信用的設(shè)備制造的器件。S－三洋公司用來(lái)表示專(zhuān)為通信設(shè)備制造的器件。第七部分的符號(hào)，常被用來(lái)作為器件某個(gè)參數(shù)的分檔標(biāo)志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作為直流放大系數(shù)hFE的分檔標(biāo)志?！　　　　　　　　　”?2　日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示類(lèi)型或有效電極數(shù)S表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIAJ）的注冊(cè)產(chǎn)品用字母表示器件的極性及類(lèi)型用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)用字母表示對(duì)原來(lái)型號(hào)的改進(jìn)產(chǎn)品符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義0光電(即光敏)二極管、晶體管及其組合管S　表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIAJ)注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件APNP型高頻管四位以上的數(shù)字　從11開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)登記的順序號(hào)，不同公司性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)，其數(shù)字越大越是近期產(chǎn)品ABCDEFLL　用字母表示對(duì)原來(lái)型號(hào)的改進(jìn)產(chǎn)品BPNP型低頻管CNPN型高頻管DNPN型低頻管1二極管FP控制極可控硅2三極管、具有兩個(gè)以上PN結(jié)的其他晶體管GN控制極可控硅HN基極單結(jié)晶體管JP溝道場(chǎng)效應(yīng)管KN溝道場(chǎng)效應(yīng)管3LL具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)PN結(jié)的晶體管M雙向可控硅n1具有n個(gè)有效電極或具有n1個(gè)PN結(jié)的晶體管示例：　 1）2SC502A（日本收音機(jī)中常用的中頻放大管）　　　　　　　　　2　S　C　502　A　　　　　　　　　　　　　　　 2SC502型的改進(jìn)產(chǎn)品　　　　　　　　　　　　　　　 日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)　　　　　　　　　　　　 NPN型高頻三極管　　　　　　　　　　　 日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品　　　　　　　　　　 三極管（兩個(gè)PN結(jié)） 2）2SA495（日本夏普公司GF－9494收錄機(jī)用小功率管）　　　　　　　　　2　S　A　495　　　　　　　　　　　　　　 日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)　　　　　　　　　　　　　 PNP高頻管　　　　　　　　　　　 日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品　　　　　　　　　 三極管（兩個(gè)PN結(jié)）　　日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法有如下特點(diǎn)：1) 型號(hào)中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類(lèi)型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。2) 第二部分均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品，而不表示材料和極性。3) 第三部分表示極性和類(lèi)型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4) 第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會(huì)（EIAJ）注冊(cè)登記的順序號(hào)，并不反映器件的性能，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號(hào)能反映產(chǎn)品時(shí)間的先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。5) 第六、七兩部分的符號(hào)和意義各公司不完全相同。6) 日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標(biāo)記的型號(hào)，常采用簡(jiǎn)化標(biāo)記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡(jiǎn)化為D764，2SC502A簡(jiǎn)化為C502A。7) 在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當(dāng)高頻管用。8) 日本通常把Pcm179。1W的管子，稱(chēng)做大功率管。 2．常用半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)　　　　　　　　　　　表13　部分半導(dǎo)體二極管的參數(shù)類(lèi)型參　　　　數(shù)型　　　　　號(hào)最大整流電流/mA正向電流/mA正向壓降(在左欄電流值下)/V反向擊穿電壓/V最高反向工作電壓/V反向電流/mA零偏壓電容/pF反向恢復(fù)時(shí)間/ns普通檢波二極管2AP9163。16179。163。1179。4020163。250163。1fH(MHz)1502AP7179。5179。1501002AP11163。25179。10163。1163。10163。250163。1fH(MHz)402AP17163。15179。10163。100鍺開(kāi)關(guān)二極管2AK1179。150163。13010163。3163。2002AK240202AK5179。200163。6040163。2163。1502AK10179。10163。17050163。2 163。1502AK13179。250163。60402AK147050硅開(kāi)關(guān)二極管2CK70A~E179。10163。A179。30B179。45C179。60D179。75E179。90A179。20B179。30C179。40D179。50E179。60163。163。32CK71A~E179。20163。42CK72A~E179。30163。1163。52CK73A~E179。50163。12CK74A~D179。1002CK75A~D179。1502CK76A~D179。200　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 類(lèi)型參　　　　數(shù)型　　　　　號(hào)最大整流電流/mA正向電流/mA正向壓降(在左欄電流值下)/V反向擊穿電壓/V最高反向工作電壓/V反向電流/mA零偏壓電容/pF反向恢復(fù)時(shí)間/ns整流二極管2CZ52B　L　H2163。125L 600同2AP普通二極管2CZ53B　L　M6163。150L 10002CZ54B　L　M10163。150L 10002CZ55B　L　M201163。150L 10002CZ56BL　B653163。25L　10001N4001L　400730150L　100051N5391L　539950