常用電子元器件(ppt93)(編輯修改稿)
2025-01-19 04:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 、 數(shù)字電路及家用電器中作調(diào)諧頻率自動微調(diào)使用 .主要參數(shù) :結(jié)電容 :指在一特寂的反偏壓下 ,變?nèi)荻O管的 PN結(jié)電容 .結(jié)電容變化范圍 :在工作電壓范圍內(nèi)結(jié)電容的變化范圍 .電容比 :是結(jié)電容變化范圍內(nèi)最大電容與最小電容之比 .Q值 :是變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù) ,它反映了對回路能量的損耗 .LED:概念 :發(fā)光二極管是一種將電信號轉(zhuǎn)換成光信號的半導(dǎo)體器件 ,具有單向?qū)щ娦?,正向?qū)〞r才能發(fā)光 .分類 :按發(fā)光管發(fā)光顏色 :紅色、橙色、綠色（又細(xì)分黃綠、標(biāo)準(zhǔn)綠和純綠）、藍(lán)光等 .發(fā)光二極管中也包含二種以下顏色的芯片 ,做成多彩燈 .根據(jù)發(fā)光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無色 ,上述各種顏色的發(fā)光二極管還可分成有色透明、無色透明、有色散射和無色散射四種類型 .按發(fā)光管出光面特征 :圓燈、方燈、矩形、面發(fā)光管、側(cè)向管、表面安裝用微型管等 .按發(fā)光強(qiáng)度和工作電流 :普通（發(fā)光強(qiáng)度 10mcd。高亮（發(fā)光強(qiáng)度 10～ 100mcd)。超高（發(fā)光強(qiáng)度 100mcd). 判斷 :： 普通二極管一般為玻璃封裝和塑料封裝 ,外殼上均印有型號和標(biāo)記 .標(biāo)記有箭頭、色點、色環(huán)三種 .箭頭所指方向或靠近色環(huán)一端為陰極 ,有色點一端為陽極 .負(fù)極 負(fù)極：對于點接觸型玻璃外殼二極管 ,如果標(biāo)記已磨掉 ,則可將外殼上的漆層（黑色或白色）輕輕刮掉一點 ,透過玻璃看那頭是金屬觸針 ,那頭是 N型鍺片 .有金屬觸針的那頭就是正極 . :用萬用表 R*100或 R*1K檔 ,任意測量二極管的兩根引線 ,如果量出的電阻只有幾百歐姆（正向電阻） ,則黑表筆（既萬用表內(nèi)電池正極）所接引線為正極 ,紅表筆（既萬用表內(nèi)電源負(fù)極）所接引線為負(fù)極 . :? 用萬用表 R*10K檔測正 ,反向電阻 ,一般正向電阻小于 30K,反向電阻大于 、反向電阻均為零 ,說明內(nèi)部擊穿短路 .若正、反電阻均為無窮大 ,說明內(nèi)部開路 .三 極 管 :半導(dǎo)體三極管也稱雙極型晶體管 ,晶體三極管 ,簡稱三極管 ,是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件 . 作用 :把微弱信號放大成輻值較大的電信號 ,也用作無觸點開關(guān) . : :硅管 、 鍺管 :NPN、 PNP :開關(guān)管 、 功率管 、 達(dá)林頓管 、光敏管等 . : :a.特征 頻率 fT:當(dāng) f=fT時 ,三極管完全失去電流放大功能 .如果工作頻率大于 fT,電路將不 正常 工作 .b.工作電壓 /電流 :用這個參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍 .c.hFE:電流放大倍數(shù) .d.VCEO:集電極發(fā)射極反向擊穿電壓 ,表示臨界飽和時的飽和電壓 .e.PCM:最大允許耗散功率 .f.封裝形式：指定該管的外觀形狀 ,如果其它參數(shù)都正確，封裝不同將導(dǎo)致組件無法在 . :? 先假設(shè)三極管的某極為 ”基極 ”,將黑表筆接在假設(shè)基極上 ,再將紅表筆依次接到其余兩個電極上 ,若兩次測得的電阻都大 (約幾K到幾十 K),或者都小 (幾百至幾 K),對換表筆重復(fù)上述測量 ,若測得兩個阻值相反 (都很小或都很大 ),則可確定假設(shè)的基極是正確的 ,否則另假設(shè)一極為 ”基極 ”,重復(fù)上述測試 ,以確定基極 .? 當(dāng)基極確定后 ,將黑表筆接基極 ,紅表筆筆接基它兩極若測得電阻值都很少 ,則該三極管為 NPN,反之為 PNP.? 判斷集電極 C和發(fā)射極 E,以 NPN為例 :把黑表筆接至假充的集電極 C,紅表筆接到假設(shè)的發(fā)射極 E,并用手捏住 B和 C極 ,讀出表頭所示 C,E電阻值 ,然后將紅 ,黑表筆反接重測 .若第一次電阻比第二次小 ,說明原假設(shè)成立 .場 效 應(yīng) 管 :場效應(yīng)晶體管（ FieldEffectTransistor縮寫 (FET)）簡稱場效應(yīng)管 .由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ,也稱為單極型晶體管 .它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件 .特點 :具有輸入電阻高（ 108～ 109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點 ,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者 .作用 :場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大 .由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高 ,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 .場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān) .場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 .常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 .場效應(yīng)管可以用作可變電阻 .場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源 . :場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型 (MOS)兩大類 按溝道材料 :結(jié)型和絕緣柵型各分 N溝道和 P溝道兩種 .按導(dǎo)電方式 :耗盡型與增強(qiáng)型 ,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型 ,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的 ,也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和 MOS場效應(yīng)晶體管 ,而 MOS場效應(yīng)晶體管又分為 N溝耗盡型和增強(qiáng)型 。P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類 .見下圖 : :Idss—飽和漏源電流 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中 ,柵極電壓 UGS=0時的漏源電流 .Up—夾斷電壓 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中 ,使漏源間剛截止時的柵極電壓 .Ut—開啟電壓 .是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中 ,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓 .gM—跨導(dǎo) .是表示柵源電壓 UGS—對漏極電流 ID的控制能力 ,即漏極電流 ID變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值 .gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù) .BVDS—漏源擊穿電壓 .是指柵源電壓 UGS一定時 ,場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓 .這是一項極限參數(shù) ,加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 BVDS.PDSM—最大耗散功率 ,也是一項極限參數(shù) ,是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率 .使用時 ,場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于 PDSM并留有一定余量 .IDSM—最大漏源電流 .是一項極限參數(shù) ,是指場效應(yīng)管正常工作時 ,漏源間所允許通過的最大電流 .場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM :判定柵極 G:將萬用表撥至 R1k檔 ,用萬用表的負(fù)極任意接一電極 ,另一只表筆依次去接觸其余的兩個極 ,測其電阻 .若兩次測得的電阻值近似相等 ,則負(fù)表筆所接觸的為柵極 ,另外兩電極為
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