【文章內(nèi)容簡介】 )（擴(kuò)散衰減只與波振面的形狀有關(guān)）A、擴(kuò)散衰減 B、散射衰減 C、吸收衰減 D、以上都是 下面有關(guān)材料衰減的敘述，哪句話是錯(cuò)誤的；（ D ）A、橫渡衰減比縱波嚴(yán)重B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大 C、當(dāng)晶粒度大于波長1/10時(shí)對探傷有顯著影響D、提高增益可完全克服衰減對探傷的影響 波束擴(kuò)散角是晶片尺寸和傳播介質(zhì)中聲波波長的函數(shù)并且隨（ B ）A、頻率增加，晶片直徑減小而減小 B、頻率或晶片直徑減小而增大 C、頻率或晶片直徑減小而減小D、頻率增加，晶片直徑減小而增大 晶片直徑D=20mm的直探頭，在鋼中測得其零幅射角為10186。，該探頭探測頻率約為：（ D ）A、 B、5MHz C、4MHz D、2MHz 直徑中12mm晶片5MHz直探頭在鋼中的指向角是：（ C ） A、176。 B、176。 C、176。 D、176。 Φ14mm，：（ B ）A、27mm B、21mm C、38mm D、以上都不對 上題探頭的非擴(kuò)散區(qū)長度約為：（ A ）A、35mm B、63mm C、45mm D、以上都不對 在非擴(kuò)散區(qū)內(nèi)大平底距聲源距離增大l倍，其回波減弱（ D ）A、6db B、12db C、3db D、0db 利用球面波聲壓公式（P= PoπD2／4λ）得到的規(guī)則反射體反射聲壓公式應(yīng)用條件是：（ D ）A、S≥2N近似正確 B、S≥3N基本正確C、S≥6N正確 D、以上都對 在超聲探頭遠(yuǎn)場區(qū)中：（ B ）A、聲束邊緣聲壓較大 B、聲束中心聲壓最大C、聲束邊緣與中心強(qiáng)度一樣 D、聲壓與聲束寬度成正比 活塞波聲場，聲束軸線上最后一個(gè)聲壓極大值到聲源的距離稱為（ A ）A、近場長度 B、未擴(kuò)散區(qū) C、主聲束 D、超聲場 下列直探頭，在鋼中指向性最好的是（ C ）A、 B、3P14Z C、4P20Z D、5P14Z（ B ）A、用第一零輻射角表示 B、為指向角的一半C、與指向角相同 D、是主聲束輻射錐角之半 超聲場的未擴(kuò)散區(qū)長度（ C ）A、約等于近場長度 B、C、 D、約等于近場長度3倍 遠(yuǎn)場范圍的超聲波可視為（ C ）A、平面波 B、柱面波 C、球面波 D、以上都不對 在探測條件相同的情況下面積比為2的兩個(gè)平底孔，其反射波高相差（ A ）A、6dB B、12dB C、9dB D、3dB 在探測條件相同的情況下，孔徑比為4兩個(gè)球形人工缺陷，其反射波高相差（ B ）A、6dB B、l2dB C、24dB D、8dB 在探測條件相同的情況下，直徑比為2的兩個(gè)實(shí)心圓柱體，其曲底面同波相差（ C ）A、12dB B、9dB C、6dB D、3dB ； 外徑為D，內(nèi)徑為d的實(shí)心圓柱體，以相同的靈敏度在內(nèi)壁和外圓探測，如忽略耦合差異，則底波高度比為（ D ） 同直徑的平底孔在球面波聲場中距聲源距離增大1倍則回波減弱：（ B ）A、6db B、12db C、3db D、9db 同直徑的長橫孔在球面波聲場中距離聲源距離增大1倍回波減弱（ 答案是A，但是覺得應(yīng)該是D）A、6db B、12db C、3db D、9db 在球面波聲場中B平底距聲源距離增大1倍回波減弱：（ A ）A、6db B、12db C、3db D、9db 對于柱面波，距聲源距離增大1倍，聲壓變化是：（ D ）A、增大6db B、減小6db C、增大3db D、減小3db 對于球面波，距聲源距離增大1倍，聲壓變化是：（ B ）A、增大6db B、減小6db C、增大3db D、減小3db 比Φ3mm平底孔回波小7db的同聲程平底孔直徑是：（ B ）A、Φ1mm B、Φ2mm C、Φ4mm D、 比Φ3mm長橫孔反射小7db的同聲程長橫孔直徑是（ A ）A、 B、Φ1mm C、Φ2mm D、 以下敘述中哪一條不是聚焦探頭的優(yōu)點(diǎn)（ C ）A、靈敏度高 B、橫向分辨率高 C、縱向分辨高 D、探測粗晶材料時(shí)信噪比高 以下敘述中，哪一條不是聚焦探頭的缺點(diǎn)（ C ）A、聲束細(xì)，每次掃查探測區(qū)域小，效率低B、每只探頭僅適宜探測某一深度范圍缺陷，通用性差C、由于聲波的干涉作用和聲透鏡的球差，聲束不能完全匯聚一點(diǎn)D、以上都是 A型掃描顯示中，從熒光屏上直接可獲得的信息是：（ C ）A、缺陷的性質(zhì)和大小 B、缺陷的形狀和取向C、缺陷回波的大小和超聲傳播的時(shí)問 D、以上都是 A型掃描顯示，“盲區(qū)”是指：（ C ）A、近場區(qū) B、聲束擴(kuò)散角以外區(qū)域C、始脈沖寬度和儀器阻塞恢復(fù)時(shí)間 D、以上均是 A型掃描顯示中，熒光屏上垂直顯示大小表示：（ A ）A、超聲回波的幅度大小 B、缺陷的位置C、被探材料的厚度 D、超聲傳播時(shí)間 A型掃描顯示中，水平基線代表：（ C ）A、超聲回波的幅度大小 B、探頭移動(dòng)距離C、聲波傳播時(shí)間 D、缺陷尺寸大小 脈沖反射式超聲波探傷儀中，產(chǎn)生觸發(fā)脈沖的電路單元叫做（ C ）A、發(fā)射電路 B、掃描電路 C、同步電路 D、顯示電路 脈沖反射超聲波探傷儀中，產(chǎn)生時(shí)基線的電路單元叫做（ A ）A、掃描電路 B、觸發(fā)電路 C、同步電路 D、發(fā)射電路 發(fā)射電路輸出的電脈沖，其電壓通?？蛇_(dá)（ A ）A、幾百伏到上千伏 B、幾十伏 C、幾伏 D、1伏 發(fā)射脈沖的持續(xù)時(shí)間叫：（ A ）A、始脈沖寬度 B、脈沖周期 C、脈沖振幅 D、以上都不是 ：（ B ）A、重復(fù)頻率 B、工作頻率 C、觸發(fā)脈沖頻率 D、以上都不對 影響儀器靈敏度的旋紐有：（ D ）A、發(fā)射強(qiáng)度和增益旋紐 B、衰減器和抑制C、深度補(bǔ)償 D、以上都是 儀器水平線性的好壞直接影響：（ C ）A、缺陷性質(zhì)判斷 B、缺陷大小判斷C、缺陷的精確定位 D、以上都對 儀器的垂直線性好壞會(huì)影響：（ A）A、缺陷的當(dāng)量比較 B、AVG曲線面板的使用C、缺陷的定位 D、以上都對 接收電路中，放大器輸入端接收的同波電壓約有（ D ）A、幾百伏 B、100V左右 C、10V左右 D、～1V 同步電路每秒鐘產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖數(shù)為（ B ）A、l—2個(gè) B、數(shù)十個(gè)到數(shù)千個(gè)C、與工作頻率相同 D、以上都不對 調(diào)節(jié)儀器面板上的“抑制”旋鈕會(huì)影響探傷儀的（ D ）A、垂直線性 B、動(dòng)態(tài)范圍 C、靈敏度 D、以上全部 放大器的不飽和信號(hào)高度與缺陷面積成比例的范圍叫做放放大器的（B ）A、靈敏度范圍 B、線性范圍 C、分辨力范圍 D、選擇性范圍 單晶片直探頭接觸法探傷中，與探測面十分接近的缺陷往往不能有效地檢出，這是因?yàn)椋海?C ）A、近場干擾 B、材質(zhì)衰減 C、盲區(qū) D、折射 同步電路的同步脈沖控制是指：（ D ）A、發(fā)射電路在單位時(shí)間內(nèi)重復(fù)發(fā)射脈沖次數(shù)B、掃描電站每秒鐘內(nèi)重復(fù)掃描次數(shù)C、探頭晶片在單位時(shí)間內(nèi)向工件重復(fù)幅射超聲波次數(shù)D、以上全部都是 表示探傷儀與探頭組合性能的指標(biāo)有：（ B ）A、水平線性、垂直線性、衰減器精度B、靈敏度余量、盲區(qū)、遠(yuǎn)場分辨力C、動(dòng)態(tài)范圍、頻帶寬度、探測寬度D、垂直極限、水平極限、重復(fù)頻率 使儀器得到滿幅顯示時(shí)Y軸偏轉(zhuǎn)板工作電壓為80V，現(xiàn)晶片接收到的缺陷信號(hào)電壓為40mv，若要使此缺陷以50%垂直幅度顯示，儀器放大器應(yīng)有多大增益量？（ C ）A、74dB B、66dB C、60dB D、80dB 脈沖反射式超聲波探傷儀同步脈沖的重復(fù)頻率決定著：（ C ）A、掃描長度 B、掃描速度 C、單位時(shí)間內(nèi)重復(fù)掃描次數(shù) D、鋸齒波電壓幅度 壓電晶片的基頻是：（ A ）A、晶片厚度的函數(shù) B、施加的脈沖寬度的函數(shù)C、放大器放大特性的函數(shù) D、以上都不對 探頭的分辨力：（ B ）（頻帶寬度大，則脈沖越窄，分辨力越好）A、與探頭晶片直徑成正比 B、與頻帶寬度成正比C、與脈沖重復(fù)頻率成正比 D、以上都不對 當(dāng)激勵(lì)探頭的脈沖幅度增大時(shí)：（ B ）A、儀器分辨力提高 B、儀器分辨力降低，但超聲強(qiáng)度增大C、聲波穿透力降低 D對試驗(yàn)無影響 探頭晶片背面加上阻尼塊會(huì)導(dǎo)致：（ D ）（Qm值降低，盲區(qū)減?。〢、Qm值降低．靈敏度提高 B、Qm值增大，分辨力提高C、Qm值增大，盲區(qū)增大 D、Qm值降低，分辨力提高 為了從換能器獲得最高靈敏度：（ C ）A、應(yīng)減小阻尼塊 B、應(yīng)使用大直徑晶片C、應(yīng)使壓電晶片在它的共振基頻上激勵(lì) D、換能器頻帶寬度應(yīng)盡可能大 超聲試驗(yàn)系統(tǒng)的靈敏度：（ A ）A、取決于探頭高頻脈沖發(fā)生器和放大器B、取決于同步脈沖發(fā)生器C、取決于換能器機(jī)械阻尼D、隨分辨力提高而提高 換能器尺寸不變而頻率提高時(shí)：（ C ）A、橫向分辨力降低 B、聲束擴(kuò)散角增大C、近場長度增大 D、指向性變鈍 一般探傷時(shí)不使用深度補(bǔ)償是因?yàn)樗鼤?huì)：（ B ）A、影響缺陷的精確定位B、影響AVG曲線或當(dāng)量定量法的使用C、導(dǎo)致小缺陷漏撿D、以上都不對 晶片共振波長是晶片厚度的（ A ）A、2倍 B、1/2倍 C、l倍 D、4倍 已知PZT4的頻率常數(shù)是2000m/s，：（A）（N＝tf0）A、 B、 C、 D、 在毛面或曲面工件上作直探頭探傷時(shí)，應(yīng)使用：（ B ）A、硬保護(hù)膜直探頭 B、軟保護(hù)膜直探頭C、大尺寸直探頭 D、高頻直探頭 目前工業(yè)超聲波探傷使用較多的壓電材料是：（ C ）A、石英 B鈦酸鋇 C、鋯鈦酸鉛 D硫酸鋰 聯(lián)合雙直探頭的最主要用途是：（ A ）A、探測近表面缺陷 B、精確測定缺陷長度C、精確測定缺陷高度 D、用于表面缺陷探傷 超聲波探傷儀的探頭晶片用的是下面哪種材料：（ C ）A、導(dǎo)電材料 B磁致伸縮材料 C、壓電材料 D磁性材料 下面哪種材料最適宜做高溫探頭：（ D ）A、石英 B、硫酸鋰 C、鍺鈦酸鉛 D、鈮酸鋰 下面哪種壓電材料最適宜制作高分辨率探頭：（ C ）A、石英 B鋯鈦酸鉛 C、偏鈮酸鉛 D、鈦酸鋇 下列壓電晶體中哪一種作高頻探頭較為適宜（ B ）A、鈦酸鋇(CL=5470m/s) B、鈮酸鋰（CL=7400m/s）C、PZT（CL=4400m/s） D、鈦酸鉛(CL=4200m/S) 表示壓電晶體發(fā)射性能的參數(shù)是（ C ）A、壓電電壓常數(shù)g33 B、機(jī)電耦合系數(shù)KC、壓電應(yīng)變常數(shù)d33 D、以上全部 以下關(guān)于爬波探頭的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（ B ）A、爬波探頭的外形和結(jié)構(gòu)與橫渡斜探頭類似B、當(dāng)縱波入射角大于或等于第二臨界角時(shí)，在第二介質(zhì)中產(chǎn)生爬波(應(yīng)是以第一臨界角附近的角度)C、爬波用于探測表層缺陷D、爬波探測的深度范圍與頻率f和晶片直徑D有關(guān)。 窄脈沖探頭和普通探頭相比（ D ）A、Q值較小 B、靈敏度較低 C、頻帶較寬 D、以上全部 采用聲透鏡方式制作聚焦探頭時(shí)，設(shè)透鏡材料為介質(zhì)1，欲使聲束在介質(zhì)2中聚焦，選用平凹透鏡的條件是（ C ）A、ZlZ2 B、C1 C2 C、C1 C2 D、Z1Zz 探頭軟保護(hù)膜和硬保護(hù)膜相比，突出優(yōu)點(diǎn)是（ C ）A、透聲性能好 B、材質(zhì)衰減小 C、有利消除耦合差異 D、以上全部 以下哪一條，不屬于數(shù)字化智能超聲波探傷儀的優(yōu)點(diǎn)（ B ）A、檢測精度高，定位定量準(zhǔn)確 B、頻帶寬，脈沖窄C、可記錄存貯信號(hào) D、儀器有計(jì)算和自檢功能 以下哪一條，不屬于雙晶探頭的優(yōu)點(diǎn)（ A ）A、探測范圍大 B、盲區(qū)小C、工件中近場長度小 D、雜波少，不屬于雙晶探頭的性能指標(biāo)（ D ）A、工作頻率 B、晶片尺寸 C、探測深度 D、近場長度 斜探頭前沿長度和K值測定的兒種方法中，哪種方法精度最高：（ A ）A、半圓試塊和橫孔法 B、雙孔法C、直角邊法 D、不一定，須視具體情況而定 超聲探傷系統(tǒng)區(qū)別相鄰兩缺陷的能力稱為（ D ）A、檢測靈敏度 B、時(shí)基線性 C、垂直線性 D、分辨力 用以標(biāo)定或測試超聲探傷系統(tǒng)的，含有模擬缺陷的人工反射體的金屬塊叫（ C ）A、晶體準(zhǔn)直器 B、測角器 C、參考試塊 D、工件 對超聲探傷試塊材質(zhì)的基本要求是：（ D ）A、其聲速與被探工件聲速基本一致B、材料中沒有超過Φ2mm平底孔當(dāng)量的缺陷C、材料衰