【文章內(nèi)容簡介】 掌握數(shù)字系統(tǒng)的真值表表達方式；掌握邏輯代數(shù)的基本公理和常用定理，能夠使用真值表進行各種定理的完備證明；熟悉對偶定理的概念，能夠使用加圈方式進行邏輯設(shè)計；了解展開定理的概念，能夠根據(jù)真值表寫出標準邏輯運算式：最小項和表達式、最大項積表達式；熟悉真值表的卡諾圖表現(xiàn)形式，能夠利用卡諾圖得出最小和表達式（最簡“與或”表達式）；理解無關(guān)項的含義，并能利用無關(guān)項進行邏輯化簡。邏輯門電路了解邏輯狀態(tài)的電平表達概念，理解開關(guān)電路的基本概念；了解MOS器件的基本開關(guān)特性；掌握CMOS邏輯電路的基本結(jié)構(gòu)，能夠使用晶體管構(gòu)成反相器、與非門和或非門電路，并在此基礎(chǔ)上構(gòu)成與門和或門電路。了解CMOS器件的電平范圍、驅(qū)動能力、延遲時間和動態(tài)功耗等基本概念。組合電路分析與設(shè)計 掌握組合電路的基本概念及分析方法；掌握組合電路的設(shè)計方法（SSI）對于給定設(shè)計要求，能夠建立真值表或函數(shù)關(guān)系式。對于給定的真值表或函數(shù)關(guān)系式，能夠利用卡諾圖得出最簡與或式，并采用基本的門電路進行連接，畫出對應(yīng)的邏輯電路圖。 掌握二進制編碼器、7段譯碼器、奇偶校驗電路、加法器的設(shè)計方法。掌握利用集成譯碼器（741374139）及附加電路進行組合電路設(shè)計的方法；掌握利用集成數(shù)據(jù)選擇器（741574153）進行組合電路設(shè)計的方法；時序電路分析與設(shè)計了解鎖存器和觸發(fā)器的基本概念，掌握D鎖存器和主從D觸發(fā)器的基本結(jié)構(gòu)；了解同步設(shè)計的基本概念，了解建立時間、寄存器傳輸時間與時鐘周期之間的基本關(guān)系；掌握簡單有限狀態(tài)機的結(jié)構(gòu)、表達方式；能夠根據(jù)給出的邏輯圖對有限狀態(tài)機進行分析；能夠根據(jù)指定任務(wù)，進行有限狀態(tài)機的設(shè)計：建立狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖，并由此進行綜合設(shè)計，得出對應(yīng)的轉(zhuǎn)移方程、激勵方程和輸出方程，并以邏輯電路圖整體表達。掌握簡單計數(shù)器、序列信號發(fā)生器、序列信號檢測器的基本設(shè)計方法；掌握常用集成計數(shù)器（74163）的使用方式，能夠使用該器件進行模N計數(shù)器的設(shè)計；掌握移位寄存器基本概念，能夠使用集成移位寄存器（74194）進行相關(guān)設(shè)計；了解移位寄存器型計數(shù)器的基本概念，了解環(huán)形計數(shù)器、扭環(huán)計數(shù)器、線性反饋移位寄存器計數(shù)器的結(jié)構(gòu)和性能特點。模擬電路部分（50%）第一章 半導體材料及二極管半導體基礎(chǔ)知識（了解）：本征半導體與雜質(zhì)半導體（P型與N型），本征激發(fā)與復(fù)合，雜質(zhì)電離，空穴導電原理，多子與少子，漂移電流與擴散電流的概念。PN結(jié)的形成、耗盡層、空間電荷區(qū)和勢壘區(qū)的含義，PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕粚ΨQPN結(jié)。二極管特性（了解）：二極管單向?qū)щ娞匦约岸O管方程，二極管伏安特性曲線及其溫度特性，二極管導通電壓與反向飽和電流，二極管的直流電阻與交流電阻（估算式），硅二極管與鍺二極管的區(qū)別。二極管的反向擊穿特性；二極管的電容效應(yīng)。二極管應(yīng)用（掌握）：二極管模型：理想二極管模型；恒壓源模型；二極管折線模型。二極管單向?qū)щ娞匦詰?yīng)用：半波與全波整流電路；單向與雙向限幅電路；二極管開關(guān)電路。二極管反向擊穿特性應(yīng)用：穩(wěn)壓電路的穩(wěn)壓原理，簡單穩(wěn)壓電路的分析與計算，穩(wěn)壓二極管的串并聯(lián)等效。第二章 雙極型晶體三極管BJT原理（了解）NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置時內(nèi)部載流子傳輸（一般了解），放大偏置的外電流關(guān)系，放大偏置時的vBE、vCE作用（正向電壓的指數(shù)控制作用和反向電壓的基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)），BJT的截止與飽和狀態(tài)。BJT靜態(tài)伏安特性曲線（掌握）共射輸入特性曲線和輸出特性曲線（三個區(qū)）及特點。BJT參數(shù)（掌握） ,β￣ ,α,β, ICBO, ICEO , ICM ,PCM ,BVCEO 和 fT的含義BJT管型判別和BJT的放大、截止與飽和狀態(tài)判別。BJT模型（掌握）BJT的小信號等效模型：簡化模型（g m參數(shù)和β參數(shù)模型）及其模型參數(shù)的求解式。BJT的混合π等效模型：會畫完整模型和了解模型參數(shù)的物理含義。第三章 BJT放大電路放大器的一些基本概念（正確理解） 信號源（內(nèi)阻，源電壓，源電流），負載電阻，輸入輸出電壓（電流），耦合電容與旁路電容，直流通路與交流通路，交流地，工作點，小信號放大過程。BJT偏置電路（掌握）掌握工作點的估算，基極分壓射極偏置電路的穩(wěn)Q原理和穩(wěn)定條件。BJT三種基本組態(tài)放大器（掌握）小信號放大器指標（正確理解）：端增益，源增益，輸入與輸出電阻，管端輸入與輸出電阻。CE、CC、CB放大電路、指標及特點（掌握特等電路分析法，記公式）。交流負載線，放大器動態(tài)范圍，截止與飽和失真（針對CE放大器）。多級放大器（掌握） 級間耦合方式，直流放大器的特殊問題，放大器通用模型，多級放大器指標計算。第四章 MOSFET及基本放大電路FET原理（了解）了解FET的分類、電路符號，了解N溝道JFET及N溝道增強MOSFET的工作原理，放大區(qū)的溝道狀態(tài)及vGS和vOS此時對iD的影響FET特性曲線（掌握）以N溝道JFET為重點，了解FET的結(jié)構(gòu)特性曲線和輸出特性曲線，掌握放大區(qū)的平方律公式。FET偏置電路（自給偏壓和混合偏置）（掌握）掌握工作點的估算方法，了解P溝道FET與N溝道FET偏置極性的差別。FET的小信號模型（掌握）理解gm的含義及計算式，理解rds含義，完整模型和低頻模型。FET的CS和CD組態(tài)放大器（掌握）放大器電路、指標計算及特點。第五章 放大器的頻率響應(yīng)放大器頻率響應(yīng)的概念及描述（了解） 產(chǎn)生頻率響應(yīng)的原因，放大器頻率特性函數(shù)，fL 、fH 、BW的定義，幅頻特性和相頻特性函數(shù)，頻率失真（幅頻失真、相頻失真）及其與非線性失真的區(qū)別，對數(shù)頻率特性曲線——波特圖的概念。放大器的增益函數(shù)，零、極點（了解）。放大器的低、高頻截止頻率的估算（掌握） 用短路時間常數(shù)法估算fL，用開路時間常數(shù)法估算fH。第六章 模擬集成單元電路恒流源(理解電路原理和特點) 恒流源電路的原理和模型，基本鏡像恒流源、比例恒流源和微電流恒流源電路和特點，有源負載放大器原理。差動放大器（重點掌握基本概念和分析方法） 差放的信號分解（vic、vid與任模信號關(guān)系），各種差放電路，工作點估算，差放的指標（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric , Ro）及用單邊等放電路法求指標，差放抑制零漂的原因，差放的小信號范圍及大信號限幅特性（了解）。OCL和OTL功率輸出電路（掌握）功放的分類，乙類功放優(yōu)于甲類功放的特點，乙類功放的交越失真及克服方法。OCL和OTL電路原理及滿激勵指標（掌握），功率管極限參數(shù)（ICM ,PCM ,BVCEO）對OCL和OTL功放的限制，實用電路分析（定性），復(fù)合管（正確復(fù)合方式）。第七章 負反饋技術(shù)單環(huán)理想模型（了解） 基本概念：原輸入xs、凈輸入xi和反饋信號xf ，A放大器、B網(wǎng)絡(luò)， 開環(huán)增益A與Af閉環(huán)增益，反饋系數(shù)B，反饋深度F，環(huán)路傳輸系數(shù)T，基本反饋方程，正反饋與負反饋，深度負反饋。四種反饋類型及其雙口網(wǎng)絡(luò)模型。實際反饋放大器類型及極性的判斷（掌握）負反饋對放大電路的影響（定性了解） 了解和理解負反饋穩(wěn)定閉環(huán)增益、展寬通頻帶、減少非線性失真、改變輸入輸出電阻和穩(wěn)定工作點的作用在深負反饋條件下正確計算Af和Avsf（掌握）負反饋放大器的穩(wěn)定性（掌握）產(chǎn)生自激振蕩的原因，自激條件，用已知的T(jω)和A(jω)的波特圖判斷穩(wěn)第八章 集成運算放大器集成運放電路組成及特點（定性了解）了解集成運放的主要參數(shù)：Avd，KCMR，Rid， Ro ，BWG ，SR，VIO ，d VIO/dT，Iio ，d Iio/dT理想運放分析法（重點掌握） 虛短路與虛開路法則，理想運放分析法成立的原因，兩個基本的運放負反饋電路、公式及特點。運放的線性應(yīng)用電路（重點掌握） 代數(shù)和運算電路，差動放大器，積分器與微分器，運用理想運放分析法分析各種實用的線性應(yīng)用電路。三、題型及分值數(shù)字電路部分：填空題：40%電路分析：30%電路設(shè)計：30%模擬電路部分：填空題:40%；計算題: 60% 考試科目復(fù)試 無機化學考試形式筆試（閉卷）考試時間120分鐘考試總分200分（推免生復(fù)試100分）一、總體要求主要考察學生掌握《無機化學》的基本知識、基本理論的情況，以及應(yīng)用這些知識與理論對無機化合物基本性質(zhì)、變化規(guī)律等進行分析和解釋的能力，考查學生對無機化合物及離子的物質(zhì)分離鑒別能力。二、內(nèi)容及比例第一部分 無機化學中的基本理論第一章 緒論了解無機化學的內(nèi)容、目的、研究方法、與發(fā)展前景。第二章 物質(zhì)的狀態(tài)了解物質(zhì)聚集狀態(tài)，掌握理想氣體與實際氣體的運動方程、氣體的分壓定律與擴散定律。了解這些定律在實際中的應(yīng)用。第三章 原子結(jié)構(gòu)了解氫原子光譜，掌握玻爾理論的基本要點、成功點與不足。了解核外電子的運動狀態(tài)的描述方法。掌握波函數(shù)和原子軌道，幾率密度與電子云，重點掌握波函數(shù)與電子云的徑向分布圖和角度分布圖、四個量子數(shù)等基本概念，會用四個量子數(shù)描述核外電子的運動狀態(tài)。必須掌握核外電子排布規(guī)律、以及它元素周期系之間的關(guān)系。重點掌握元素性質(zhì)（原子半徑、電負性、電離能、電子親合能等）與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系（即在周期表中的變化規(guī)律）。第四章 化學鍵與分子結(jié)構(gòu)了解化學鍵的基本含義、特征等；了解離子鍵、離子的形成過程、掌握離子鍵理論、離子，離子晶體、晶格能等基本內(nèi)容，重點掌握離子半徑比與配位數(shù)之間的關(guān)系、離子鍵的離子性百分數(shù)表示及計算方法。了解共價鍵理論的形成與基本特征，必須掌握價鍵理論、雜化軌道理論、價層電子對互斥理論的基本內(nèi)容，以及利用這些理論來判斷分子的空間結(jié)構(gòu)；了解分子軌道理論的基本內(nèi)容，必須掌握同核雙原子分子（如NOFC2）的分子軌道能級圖、異核雙原子分子（如HF、CO、NO等）的分子軌道能級圖。掌握金屬鍵理論與金屬晶體；掌握分子間作用力和氫鍵；了解分子晶體和原子晶體。掌握鍵參數(shù)的基本內(nèi)容、表示方法、和實際應(yīng)用。第五章 氫和稀有氣體了解氫元素在自然界中的存在；掌握氫元素的成鍵特征；掌握氫基本化學性質(zhì)與氫化物；掌握氫的制備方法與應(yīng)用；了解氫能源和稀有氣體發(fā)現(xiàn)的科學意義；重點掌握稀有元素的重要反應(yīng)及其主要價態(tài)化合物；理解稀有元素的成鍵特征及其解釋。第六章 化學熱力學初步了解化學熱力學的基本內(nèi)容和在化學中的應(yīng)用；理解熱力學中常用的術(shù)語（如體系、環(huán)境、狀態(tài)函數(shù)、 U、W、H、S、G等）；掌握熱力學第一定律及計算，蓋斯定律及熱化學有關(guān)的計算；必須掌握化學反應(yīng)的自發(fā)性及其判斷，以及吉布斯——赫姆霍茲方程及相關(guān)計算（如利用該方程討論反應(yīng)條件）。 第七章 化學反應(yīng)速率（選講）了解化學反應(yīng)速度的概念；理解反應(yīng)速度理論簡介，掌握化學反應(yīng)速率的表示方法和影響化學反應(yīng)速度的因素；掌握阿侖尼烏斯方程式；理解催化劑的有關(guān)知識。第八章 化學平衡理解化學平衡的基本含義和特征；必須掌握平衡常數(shù)與反應(yīng)自由能變的關(guān)系；掌握化學平衡移動原理，以及移動方向的判定方法與依據(jù)；了解影響化學平衡的基本因素和化學平衡原理在實際中的應(yīng)用。第九章 溶液（選講內(nèi)容）了解分散體系的分類和溶液的基本特征；掌握溶液濃度的表示方法；掌握溶解度原理；理解影響物質(zhì)溶解性的因素；掌握非電解質(zhì)稀溶液的依數(shù)性的基本內(nèi)容與相關(guān)計算；理解它產(chǎn)生的原因；了解非電解質(zhì)稀溶液依數(shù)性在實踐中的應(yīng)用。掌握溶膠的制備方法與基本性質(zhì)；理解溶膠的聚沉和穩(wěn)定性。了解溶膠在實際中的應(yīng)用。第十章 電解質(zhì)溶液了解電解質(zhì)溶液的基本性質(zhì)和分類；掌握水溶液中弱電解溶液理論；理解強電解溶液理論；掌握電離平衡常數(shù)、離子氛、離子活度與活度系數(shù)、離子強度等基本概念；了解水溶液中酸堿性劃分的標準；掌握水的離子積、pH值的含義和相關(guān)計算；了解酸堿指示劑；必須掌握弱酸和弱堿的電離平衡相關(guān)計算（重點在一元弱酸和一元弱堿）；理解影響電解質(zhì)電離平衡的因素，掌握同離子效應(yīng)、鹽效應(yīng)對平衡的影響；了解緩沖溶液的作用原理，掌握緩沖溶液的相關(guān)計算和配制使用。理解酸堿理論的發(fā)展，掌握不同酸堿理論下酸堿的基本含義（如布朗酸堿概念；路易斯酸堿概念），了解酸堿強度的表示方法；掌握難溶性強電解質(zhì)的溶解沉淀平衡基本內(nèi)容，必須掌握溶度積與溶解度之間的關(guān)系，以及利用溶度積的相關(guān)計算；了解沉淀溶解平衡的移動和在實踐中的應(yīng)用。理解鹽類水解的基本內(nèi)容，掌握鹽類水解強度的表示方法與相關(guān)計算；了解影響鹽類水解的因素和實際應(yīng)用。第十一章 氧化還原反應(yīng)理解氧化還原反應(yīng)的基本概念（包括氧化值概念）；掌握及配平氧化還原反應(yīng)方程式的方法；了解電極電勢的產(chǎn)生；掌握電極的種類、表示方法與特征；了解標準電極電勢概念和使用；掌握電池電動勢與化學反應(yīng)Gibbs自由能變化的關(guān)系；了解影響電極電勢與電動勢的元素；必須掌握能斯特方程式及相關(guān)計算（如電池電動勢與各種平衡常數(shù)之間的相關(guān)計算）。掌握電極電勢、電勢圖的應(yīng)用；了解原電池與電解池的區(qū)別，掌握法拉第定律；了解化學電源簡介，重點在燃料電池及其他新型電池。第二部分 元素化學與配位化學等一、元素化學S區(qū)和p區(qū)元素：了解ⅠA、ⅡA、ⅢA、ⅣA、ⅤA、ⅥA、ⅦA元素在自然界中的存在，掌握它們的基本性質(zhì)，及其重要化合物的制備、重要反應(yīng)和應(yīng)用；掌握常見化合物的分離、鑒定等。了解它們在實際中的應(yīng)用。ds區(qū)元素了解ⅠB、ⅡB族元素在自然界中的存在，掌握的基本性質(zhì)，及其重要化合物的制備、重要反應(yīng)和應(yīng)用；掌握常見化合物的鑒定、Hg22+與Hg2+的轉(zhuǎn)化等。了解Hg的安全使用。過渡元素了解過渡元素在自然界中的存在，掌握它們之間的性質(zhì)規(guī)律（第一過渡系列元素為主）及其主要價態(tài)化合物。重點掌握，Ti、Cr、V、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pt的基本性質(zhì)，及其重要化合物的制備、重要反應(yīng)和應(yīng)用；掌握常見化合