【文章內(nèi)容簡介】 M3的16根中斷線），提供16個中斷優(yōu)先級。緊密耦合的NVIC實現(xiàn)了更低的中斷處理延遲，直接向內(nèi)核傳遞中斷入口向量表地址，緊密耦合的NVIC內(nèi)核接口，允許中斷提前處理，對后到的更高優(yōu)先級的中斷進行處理，支持尾鏈，自動保存處理器狀態(tài)，中斷入口在中斷退出時自動恢復，不需要指令干預。外部中斷/事件控制器（EXTI）：外部中斷/事件控制器由用于19條產(chǎn)生中斷/事件請求的邊沿探測器線組成。每條線可以被單獨配置用于選擇觸發(fā)事件（上升沿，下降沿，或者兩者都可以），也可以被單獨屏蔽。有一個掛起寄存器來維護中斷請求的狀態(tài)。當外部線上出現(xiàn)長度超過內(nèi)部APB2時鐘周期的脈沖時，EXTI能夠探測到。多達112個GPIO連接到16個外部中斷線。時鐘和啟動：在啟動的時候還是要進行系統(tǒng)時鐘選擇，但復位的時候內(nèi)部8MHz的晶振被選用作CPU時鐘?？梢赃x擇一個外部的416MHz的時鐘，并且會被監(jiān)視來判定是否成功。在這期間，控制器被禁止并且軟件中斷管理也隨后被禁止。同時，如果有需要（例如碰到一個間接使用的晶振失?。琍LL時鐘的中斷管理完全可用。多個預比較器可以用于配置AHB頻率，包括高速APB（PB2）和低速APB（APB1），高速APB最高的頻率為72MHz，低速APB最高的頻率為36MHz。Boot模式：在啟動的時候，Boot引腳被用來在3種Boot選項種選擇一種：從用戶Flash導入，從系統(tǒng)存儲器導入，從SRAM導入。Boot導入程序位于系統(tǒng)存儲器，用于通過USART1重新對Flash存儲器編程。電源供電方案：VDD ，外部電源通過VDD引腳提供，用于I/O和內(nèi)部調(diào)壓器。VSSA和VDDA，外部模擬電壓輸入，用于ADC，復位模塊，RC和PLL，在VDD范圍之內(nèi)（），VSSA和VDDA必須相應連接到VSS和VDD。VBAT，當VDD無效時為RTC，外部32KHz晶振和備份寄存器供電（通過電源切換實現(xiàn)）。電源管理：設(shè)備有一個完整的上電復位（POR）和掉電復位（PDR）電路。這條電路一直有效，用于確保從2V啟動或者掉到2V的時候進行一些必要的操作。當VDD低于一個特定的下限VPOR/PDR時，不需要外部復位電路，設(shè)備也可以保持在復位模式。設(shè)備特有一個嵌入的可編程電壓探測器（PVD），PVD用于檢測VDD，并且和VPVD限值比較，當VDD低于VPVD或者VDD大于VPVD時會產(chǎn)生一個中斷。中斷服務程序可以產(chǎn)生一個警告信息或者將MCU置為一個安全狀態(tài)。PVD由軟件使能。電壓調(diào)節(jié)：調(diào)壓器有3種運行模式：主（MR），低功耗（LPR）和掉電。MR用在傳統(tǒng)意義上的調(diào)節(jié)模式（運行模式），LPR用在停止模式，掉電用在待機模式：調(diào)壓器輸出為高阻，核心電路掉電，包括零消耗（寄存器和SRAM的內(nèi)容不會丟失）。低功耗模式：STM32F103xx支持3種低功耗模式，從而在低功耗，短啟動時間和可用喚醒源之間達到一個最好的平衡點。休眠模式：只有CPU停止工作，所有外設(shè)繼續(xù)運行，在中斷/事件發(fā)生時喚醒CPU；停止模式：允許以最小的功耗來保持SRAM和寄存器的內(nèi)容。，PLL，HSI和HSE RC振蕩器被禁能，調(diào)壓器也被置為正?；蛘叩凸哪Ｊ健ＴO(shè)備可以通過外部中斷線從停止模式喚醒。外部中斷源可以使16個外部中斷線之一，PVD輸出或者TRC警告。待機模式：追求最少的功耗，內(nèi)部調(diào)壓器被關(guān)閉。PLL,HSI和HSE RC振蕩器也被關(guān)閉。在進入待機模式之后，除了備份寄存器和待機電路，SRAM和寄存器的內(nèi)容也會丟失。當外部復位（NRST引腳），IWDG復位，WKUP引腳出現(xiàn)上升沿或者TRC警告發(fā)生時，設(shè)備退出待機模式。進入停止模式或者待機模式時，TRC,IWDG和相關(guān)的時鐘源不會停止。STM32引腳如圖31.圖31 STM32引腳圖 性能特點內(nèi)核：ARM32位CortexM3 CPU，最高工作頻率72MHz。單周期乘法和硬件除法。存儲器：片上集成32512KB的Flash存儲器。664KB的SRAM存儲器。時鐘、復位和電源管理：。上電復位（POR）、掉電復位（PDR）和可編程的電壓探測器（PVD）。416MHz的晶振。內(nèi)嵌出廠前調(diào)校的8MHz RC振蕩電路。內(nèi)部40 kHz的RC振蕩電路。用于CPU時鐘的PLL。帶校準用于RTC的32kHz的晶振。低功耗：3種低功耗模式：休眠，停止，待機模式。為RTC和備份寄存器供電的VBAT。調(diào)試模式：串行調(diào)試（SWD）和JTAG接口。DMA：12通道DMA控制器。支持的外設(shè)：定時器，ADC，DAC，SPI，IIC和UART。3個12位的us級的A/D轉(zhuǎn)換器（16通道）：A/D測量范圍：。雙采樣和保持能力。片上集成一個溫度傳感器。2通道12位D/A轉(zhuǎn)換器：STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE獨有。最多高達112個的快速I/O端口：根據(jù)型號的不同，有26，37，51，80，和112的I/O端口，所有的端口都可以映射到16個外部中斷向量。除了模擬輸入，所有的都可以接受5V以內(nèi)的輸入。最多多達11個定時器：4個16位定時器，每個定時器有4個IC/OC/PWM或者脈沖計數(shù)器。2個16位的6通道高級控制定時器：最多6個通道可用于PWM輸出。2個看門狗定時器（獨立看門狗和窗口看門狗）。Systick定時器：24位倒計數(shù)器。2個16位基本定時器用于驅(qū)動DAC。最多多達13個通信接口：2個IIC接口（SMBus/PMBus）。5個USART接口（ISO7816接口，LIN，IrDA兼容，調(diào)試控制）。3個SPI接口（18 Mbit/s），兩個和IIS復用。CAN接口（）。USB 。SDIO接口。ECOPACK封裝：STM32F103xx系列微控制器采用ECOPACK封裝形式。 架構(gòu)優(yōu)勢 除新增的功能強化型外設(shè)接口外，STM32互連系列還提供與其它STM32微控制器相同的標準接口，這種外設(shè)共用性提升了整個產(chǎn)品家族的應用靈活性，使開發(fā)人員可以在多個設(shè)計中重復使用同一個軟件。新STM32的標準外設(shè)包括10個定時器、兩個12位1Msample/s 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（交錯模式下2Msample/s）、兩個12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器、兩個I2C接口、五個USART接口和三個SPI端口。新產(chǎn)品外設(shè)共有12條DMA通道，還有一個CRC計算單元，像其它STM32微控制器一樣，支持96位唯一標識碼。新系列微控制器還沿續(xù)了STM32產(chǎn)品家族的低電壓和節(jié)能兩大優(yōu)點。，如鋰電池和鎳氫電池，封裝還設(shè)有一個電池工作模式專用引腳Vbat。以72MHz頻率從閃存執(zhí)行代碼，僅消耗 27mA電流。低功耗模式共有四種，可將電流消耗降至兩微安。從低功耗模式快速啟動也同樣節(jié)省電能；啟動電路使用STM32內(nèi)部生成的8MHz信號，將微控制器從停止模式喚醒用時小于6微秒。 能耗模式 意法半導體的EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺是STM32L取得業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的能效性能的關(guān)鍵。這個技術(shù)平臺也被廣泛用于意法半導體的8位微控制器STM8L系列產(chǎn)品。EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺基于意法半導體獨有的130nm制造工藝，為實現(xiàn)超低的泄漏電流特性，意法半導體對該平臺進行了深度優(yōu)化。在工作和睡眠模式下，EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺可以最大限度提升能效。此外，該平臺的內(nèi)嵌閃存采用意法半導體獨有的低功耗閃存技術(shù)。這個平臺還集成了直接訪存（DMA）支持功能，在應用系統(tǒng)運行過程中關(guān)閉閃存和CPU，外設(shè)仍然保持工作狀態(tài)，從而可為開發(fā)人員節(jié)省大量的時間。除最為突出的與制程有關(guān)的節(jié)能特色外，STM32L系列還提供更多其它的功能，開發(fā)人員能夠優(yōu)化應用設(shè)計的功耗特性。通過六個超低功耗模式，STM32L系列產(chǎn)品能夠在任何設(shè)定時間以最低的功耗完成任務。這些可用模式包括：（176。C環(huán)境的初步數(shù)據(jù)）（1），32kHz運行頻率（2） μA低功耗睡眠模式，一個計時器工作（3） μA 停機模式：實時時鐘（RTC）運行，保存上下文，保留RAM內(nèi)容（4） μA 停機模式：無實時時鐘運行，保存上下文，保留RAM內(nèi)容（5）：實時時鐘運行，保存后備寄存器（6）270nA待機模式：無實時時鐘運行，保存后備寄存器STM32L系列新增低功耗運行和低功耗睡眠兩個低功耗模式，通過利用超低功耗的穩(wěn)壓器和振蕩器，微控制器可大幅度降低在低頻下的工作功耗。穩(wěn)壓器不依賴電源電壓即可滿足電流要求。STM32L還提供動態(tài)電壓升降功能，這是一項成功應用多年的節(jié)能技術(shù)，可進一步降低芯片在中低頻下運行時的內(nèi)部工作電壓。在正常運行模式下，閃存的電流消耗最低230μA/MHz，STM32L的功耗/性能比最低185μA/DMIPS。此外，STM32L電路的設(shè)計目的是以低電壓實現(xiàn)高性能，有效延長電池供電設(shè)備的充電間隔。，在電池電壓降低時，可以延長電池供電設(shè)備的工作時間。 液晶顯示模塊 液晶顯示模塊概述 12864 中文 漢字圖形點陣液晶顯示模塊，可顯示漢字及圖形，內(nèi)置8192 個中文漢字（16X16 點陣）、128個字符（8X16 點陣）及64X256 點陣顯示RAM（GDRAM）。主要技術(shù)參數(shù)和顯示特性: 電源：VDD ~+5V(內(nèi)置升壓電路，無需負壓)； 顯示內(nèi)容：128 列 64 行 顯示顏色：黃綠/藍屏/灰屏 顯示角度：6：00 鐘直視 LCD 類型：STN 與MCU 接口：8 位或4 位并行/3 位串行 配置LED 背光多種軟件功能：光標顯示、畫面移位、自定義字符、睡眠模式等 外形尺寸 外觀尺寸：9370 視域尺寸：7339mm外形尺寸如圖32。圖32 LCD12864外形圖 模塊引腳說明 LCD12864引腳說明見表32。表32 LCD引腳說明引腳號引腳名稱方向功能說明1GND模塊的電源地2VCC模塊的電源正端3V0LCD 驅(qū)動電壓輸入端4RS(CS)H/L并行的指令/數(shù)據(jù)選擇信號；串行的片選信號續(xù)表32引腳號引腳名稱方向功能說明5R/W(SID)H/L并行的讀寫選擇信號；串行的數(shù)據(jù)口6E(CLK)H/L并行的使能信號；串行的同步時鐘7DB0H/L數(shù)據(jù)08DB1H/L數(shù)據(jù)19DB2H/L數(shù)據(jù)210DB3H/L數(shù)據(jù)311DB4H/L數(shù)據(jù)412DB5H/L數(shù)據(jù)513DB6H/L數(shù)據(jù)614DB7H/L數(shù)據(jù)715PSBH/L并/串行接口選擇：H并行；L串行16NC空腳17/RSTH/L復位 低電平有效18VOUT倍壓輸出腳 （VDD=+ 有效）19LEDA背光源正極（LED+5V）20LEDK背光源負極（LEDOV） 邏輯工作電壓（VDD）：～ 電源地（GND）：0V工作溫度（Ta）：0～60℃（常溫） / 20～75℃（寬溫） 接口時序 模塊有并行和串行兩種連接方法（時序如下）：（1）8 位并行連接時序圖如圖33和圖34。圖33 MPU寫資料到模塊圖34 MPU從模塊讀出資料（2）串行連接時序如圖35所示。圖35 串行連接時序圖串行數(shù)據(jù)傳送共分三個字節(jié)完成： 第一字節(jié)：串口控制—格式 11111ABC A 為數(shù)據(jù)傳送方向控制：H 表示數(shù)據(jù)從LCD 到MCU，L 表示數(shù)據(jù)從MCU 到LCD B 為數(shù)據(jù)類型選擇：H 表示數(shù)據(jù)是顯示數(shù)據(jù)，L 表示數(shù)據(jù)是控制指令 C 固定為0 第二字節(jié)：（并行）8位數(shù)據(jù)的高4位—格式 DDDD0000 第三字節(jié)：（并行）8位數(shù)據(jù)的低4位—格式 0000DDDD串行接口時序參數(shù)如圖36所示(測試條件：T=25℃ VDD=)。圖36 串行接口時序參數(shù) 外設(shè)部分本次設(shè)計中的模擬信號由外部設(shè)計電路板提供，可調(diào)范圍為0—。電路板的設(shè)計制作采用了三個電位器，采用并聯(lián)的方式控制三路電源，提供三路可調(diào)節(jié)輸出電源。其原理圖如圖37所示。圖37 三路電源原理圖電位器的簡單介紹。電位器是具有三個引出端、阻值可按某種變化規(guī)律調(diào)節(jié)的電阻元件。電位器通常由電阻體和可移動的電刷組成。當電刷沿電阻體移動時，在輸出端即獲得與位移量成一定關(guān)系的電阻值或電壓。電位器既可作三端元件使用也可作二端元件使用。后者可視作一可變電阻器