低頻課程設(shè)計(jì)電阻密碼鎖(編輯修改稿)
2025-07-23 05:38 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 電平，儲(chǔ)能機(jī)構(gòu)導(dǎo)通，電容器快速充電，隨后即便曾經(jīng)搜索到密鑰，但電容器兩端維持高電平從而使通過一級(jí)反相器后的電壓變?yōu)榈碗娖剑l(fā)光二極管仍不導(dǎo)通。 本次設(shè)計(jì)的電路圖如下：實(shí)驗(yàn)電路圖介紹：1. UURRDDDD4等組成窗口電壓比較器。其中RRDD2確定比較器的上下門限電壓UTL=（UCC2UD）R2/（R1+R2），UTH=UTL+2UD（UD為二極管的導(dǎo)通電壓）。當(dāng)UIUTL時(shí)，D3截止，D4導(dǎo)通，比較器輸出為UOPP；當(dāng)UTL=UI=UTH時(shí)，DD4都截止，比較器輸出為0；當(dāng)UIUTH時(shí)，D3導(dǎo)通，D4截止，比較器輸出為UOPP。故可得雙限電壓比較器的傳輸特性如圖a所示：即當(dāng)電路不接入電阻時(shí)，比較器輸出為高；接入正確電阻時(shí)，輸出為低；接入錯(cuò)誤電阻時(shí)，輸出為高。2. URD7等組成單限電壓比較器。因D7的導(dǎo)通壓降很小，該單限比較器相當(dāng)于一個(gè)過零比較器。當(dāng)UI0時(shí)，比較器輸出為UOPP；當(dāng)UI0時(shí)，比較器輸出為UOPP。故可得單限電壓比較器的傳輸特性如圖b、c所示：即當(dāng)電路不接入電阻時(shí)，比較器輸出為高；接入電阻時(shí)為低。3. QDDRRC1等組成儲(chǔ)能機(jī)構(gòu)。當(dāng)三極管Q1發(fā)射極e為高，基極b為高（即當(dāng)電路不接入電阻）時(shí)，Q1不導(dǎo)通，故C1不能充電；當(dāng)Q1的e極為低，b極為低（即正確接入電阻）時(shí)，Q1不導(dǎo)通，C1也不能充電；當(dāng)Q1的e極為高，b極為低（即接入錯(cuò)誤電阻
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