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正文內(nèi)容

模電黃瑞祥習題答案(編輯修改稿)

2025-07-23 05:26 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 ET,的實際方向為從漏極流進。(c)PDMOSFET,的實際方向為從漏極流出。(d)NEMOSFET,的實際方向為從漏極流進。38解:由于 則 又由于 >,MOSFET處于飽和工作區(qū) 且, 則 代入數(shù)據(jù)得: 得 因為<不符合題意,舍去 又 則 得39解:已知, (a)由于>,MOSFET導通,假設MOSFET工作于飽和區(qū),則 由于,說明MOSFET確實工作在飽和區(qū),假設成立。(b)由于,MOSFET導通,假設MOSFET工作于飽和區(qū)。則 即 由于>,說明MOSFET確實工作在飽和區(qū),假設成立。(c)由于,MOSFET導通。假設MOSFET工作于飽和區(qū)。則 即 由于,說明MOSFEE確實工作在飽和區(qū),假設成立。310解:根據(jù)題意,TT2兩管的、Cox相同,忽略溝道長度調(diào)制效應,由于工作于飽和區(qū),設T2也工作于飽和區(qū),則則 311解:已知PEMOSFET的 忽略溝道長度調(diào)制效應 (1)證:由于 <在任意RS值時均成立 因此,對于任意Rs值,PEMOSFET均工作在飽和區(qū)。 (2)當時,313解:已知PEMOSFET的 忽略溝道長度調(diào)制效應,則 則 解方程得: 由于時 不符合題意,舍去。 314解:由于,,則又由于>,MOSFET處于飽和工作區(qū)且,則代入數(shù)據(jù)得: 因為<不符合題意,舍去又,則得317解:根據(jù)基本鏡像電流源的關(guān)系式(式334)(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)318解:根據(jù)題意,PJFET的,要求,則根據(jù)PJFET在飽和工作時的特性 代入數(shù)據(jù)得: 解方程得:, 由于>,不符合題意,舍去 又由于 320解:根據(jù)題意,,,,, 則 (ID的單位用mA) 假設NJFET工作于飽和區(qū),則 解方程得:, 由于>不符合題意,舍去 小信號模型參數(shù)為 可畫出電路的交流小信號等效電路為:第四章:,,1. 求靜態(tài)工作點;Ω2. 畫出電路的等效電路圖;3. 求輸入電阻、輸出電阻;4. 計算信號源無內(nèi)阻電壓放大倍數(shù)及信號源有內(nèi)阻的電壓放大倍數(shù)。 解:(1)靜態(tài)工作點計算第一級電路的靜態(tài)工作點可直接計算求得:第二級電路的靜態(tài)工作點可按如下方式計算。管的基極電位射極電流因此(2)等效電路T1管的c1極和T2管的e2極相連,T2管的eb2間電阻為,ec2間為恒流源。電阻的大小為:(3)輸入電阻為:其中所以輸出電阻為:(4)放大倍數(shù)將第2級電路的輸入電阻作為第1級電路的負載,先算第一級電路的放大倍數(shù)有其中因此所以第二級電路的電壓放大倍數(shù)為電路總的放大倍數(shù)為由于信號源有內(nèi)阻,所以電壓放大倍數(shù),已知,,試回答下列問題:(1)在時,;當時,問電壓的增益是多少?(2)如果,由于溫度的影響,問折合到輸入端的零點漂移電壓是多少?解:(1) (2)由于,所以,因為所以,晶體管的β均為50,=100Ω,UBEQ≈。試計算RW滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流IEQ,以及動態(tài)參數(shù)Ad和Ri。解:畫出差分對的直流通路,(a)所示。靜態(tài)
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