【總結(jié)】電力電子技術(shù)復習資料一、簡答題1、晶閘管導通的條件是什么?(1)晶閘管陽極和陰極之間施加正向陽極電壓(2)晶閘管門極和陰極之間必須施加適當?shù)恼蛎}沖電壓和電流2、有源逆變實現(xiàn)的條件是什么?(1)晶閘管的控制角大于90度,使整流器輸出電壓Ud為負(2)整流器直流側(cè)有直流電動勢,其極性必須和晶閘管導通方向一致,其幅值應大于變流器直流側(cè)的平均電壓
2025-08-11 03:32
【總結(jié)】第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴,少數(shù)載流子為自由電子,不能移動的雜質(zhì)離子帶負電。2、三極管的內(nèi)
2025-04-17 01:43
【總結(jié)】第一章半導體二極管一.半導體的基礎(chǔ)知識---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導體。----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*P
2024-10-25 11:37
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復習試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴散
2024-10-29 08:43
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(脈沖)復習題1一、填空題1、數(shù)字量取值是離散的,我們常用________和_______兩個數(shù)字來表示輸入和輸出信號的狀態(tài)。2、完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換(1)()10=()2 (2)(4F)16=()10(3)()2=()103、邏輯代數(shù)的三種基本運算是________、_____
2025-04-17 01:11
【總結(jié)】第1章習題及答案.=5V,V,二極管的正向壓降可忽略不計,試分別畫出輸出電壓的波形。解:(a)圖:當E時,=E,當E時,。(c)圖:當E時,。(d)圖:當E時,;當E時,。畫出波形如圖所示。.有兩個穩(wěn)壓管DZ1和DZ2,,。,3V
2025-06-28 21:55
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題答案本文由cluo95貢獻pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機查看。第1章習題及答案.在圖題所示的各電路圖中E=5V,ui?10sin?tV,二極管的正向壓降可忽略不計,試分別畫出輸出電壓uo的波形。+
2024-10-28 08:14
【總結(jié)】......電子技術(shù)B復習資料整理濟南大學2008-2009學年第一學期考試試卷(A卷) 2濟南大學2008-2009學年第一學期電子技術(shù)(A卷)答案及評分標準 5濟南大學2010~2011學年第一學期課程考試試卷(A卷) 9濟南
2025-04-17 06:56
【總結(jié)】中國石油大學(華東)現(xiàn)代遠程教育《數(shù)字電子技術(shù)》綜合復習資料第一章一、填空題(每空2分)。1.22=()2。2.=()2。3.16)9(A=()2。4
2024-11-07 10:37
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》復習一、主要知識點總結(jié)和要求1.數(shù)制、編碼其及轉(zhuǎn)換:要求:能熟練在10進制、2進制、8進制、16進制、8421BCD、格雷碼之間進行相互轉(zhuǎn)換。舉例1:()10=()2=()16=()8421BCD解:()10=()2=()16=()8421BCD2.邏輯門電路:(1)基本概念
2025-04-17 01:44
【總結(jié)】大學《模擬電子技術(shù)》模電期末考試模擬試題一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(導通),反偏時(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;
2025-06-18 08:48
【總結(jié)】TianhuangTeachingApparatuses天煌教儀模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalofAnalogElectronicsTechnology天煌教儀杭州天科技術(shù)實業(yè)有限公司杭州天煌電器設(shè)備廠第一部分模擬電路部分
2024-11-07 16:25
【總結(jié)】《電子技術(shù)基礎(chǔ)——(數(shù)電)》課程學習指導資料編寫賈紹芝適用專業(yè):電氣工程及其自動化適用層次:業(yè)余(???四川大學網(wǎng)絡(luò)教育學院二零零三年十一月1《數(shù)字電子技術(shù)》課程學習指導資料編寫:賈紹芝
2024-11-07 20:41
【總結(jié)】......一.選擇填空1.在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于C,而少數(shù)載流子的濃度則與A有很大關(guān)系。2.P型半導體中空穴是A,帶C電;自由
2025-06-23 23:31
【總結(jié)】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導體叫()。摻入3價雜質(zhì)元素形成的半導體叫(),它主要靠導電()。A.空穴B.本征半導體C.P型半導體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運動較強,PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.擴散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-21 19:42