【總結(jié)】1第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是
2024-11-07 06:41
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P
2024-10-25 11:37
【總結(jié)】一.單選題(共8題,共16分)1.電路如圖所示,電路的電流I=(A)。(2分)2.每一級(jí)電壓放大倍數(shù)均為50,則兩級(jí)放大電路總電壓放大倍數(shù)是(A)。(2分)2500250025003.三極管作放大管時(shí)一般工作在(A)(2分)
2024-11-17 22:59
【總結(jié)】本文檔由十月團(tuán)隊(duì)收集制作緒論一.符號(hào)約定·大寫字母、大寫下標(biāo)表示直流量。如:VCE、IC等?!ば懽帜浮⒋髮懴聵?biāo)表示總量(含交、直流)。如:vCE、iB等?!ば懽帜?、小寫下標(biāo)表示純交流量。如:vce、ib等?!ど戏接袌A點(diǎn)的大寫字母、小寫下標(biāo)表示相量。如:等。二.信號(hào)(1)模型的轉(zhuǎn)換
2025-04-17 04:37
【總結(jié)】河南科技專修學(xué)院2022-2022學(xué)年度第一學(xué)期期終考試《電子技術(shù)基礎(chǔ)》試題(B)答案一、單項(xiàng)選擇題(20分)1-5ADCBA6-10CAACB二、填空題(20分)12.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏13.-1V、電流、相反、負(fù)反饋、乙類19.差動(dòng)放大電
2025-01-09 03:42
【總結(jié)】電工學(xué)與電子技術(shù)B復(fù)習(xí)題參考答案一、選擇題1、一含源二端網(wǎng)絡(luò),測(cè)得其開路電壓為100V,短路電流為10A,當(dāng)外接10Ω負(fù)載電阻時(shí),負(fù)載電流是(B)A.10A;B.5A;C.15A;D.20A.2、電動(dòng)勢(shì)為10V、內(nèi)阻為2Ω的電壓源變換成電流源時(shí),電流源的電流和內(nèi)阻是(C)A.10A,2Ω;B.10A,2Ω;C.5A,2Ω;D.2A,5Ω.3、正弦交流電壓u=100si
2025-06-23 18:04
【總結(jié)】第一篇:南京工業(yè)大學(xué)模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料_模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第一章半導(dǎo)體二極管 (如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。 。 、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻...
2024-11-13 06:39
【總結(jié)】電力電子技術(shù)講稿11什么是電力電子技術(shù)電力電子與信息電子信息電子技術(shù)——信息處理電力電子技術(shù)——電力變換電子技術(shù)一般即指信息電子技術(shù),廣義而言,也包括電力電子技術(shù)。電力電子技術(shù)——使用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)行變換和控制的技術(shù),即應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)。目前電力電子器件均用半導(dǎo)體制成,
2024-11-04 04:06
【總結(jié)】《電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題一、填空題、正弦量的三要素是指、和。幅值、頻率、初相位、圖示電路中,();()。Ω、Ω()()、額定功率為的電器,額定電壓下,工作小時(shí),消耗的電是度。、已知,則,,,。2、、、30O、差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個(gè)信號(hào),稱為信
2025-04-17 07:29
【總結(jié)】一、復(fù)習(xí)提綱(一)《電工技術(shù)基礎(chǔ)與技能》1.安全用電常識(shí)1)安全用電基本知識(shí):基本電氣安全操作規(guī)程。2)保護(hù)接地保護(hù)接零:保護(hù)接地的原理:保護(hù)接零的方法及其應(yīng)用。3)觸電急救:觸電現(xiàn)場(chǎng)的處理方法、急救方法。2.直流電路1)電路的組成與電路模型:電路模型、電路圖及識(shí)讀電路圖;電路的三種狀態(tài)。2)電路的基本物理量及測(cè)量:電壓、電流、電功率、電能、電動(dòng)勢(shì)
2025-04-17 07:11
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》復(fù)習(xí)一、主要知識(shí)點(diǎn)總結(jié)和要求1.?dāng)?shù)制、編碼其及轉(zhuǎn)換:要求:能熟練在10進(jìn)制、2進(jìn)制、8進(jìn)制、16進(jìn)制、8421BCD、格雷碼之間進(jìn)行相互轉(zhuǎn)換。舉例1:()10=()2=()16=()8421BCD解:()10=()2=()16=()8421BCD2.邏輯門電路:(1)基本概念
2025-04-17 01:44
【總結(jié)】課程教研室電子教研室使用專業(yè)理計(jì)、師計(jì)年級(jí)05級(jí)班級(jí)學(xué)號(hào)考生姓名考試地點(diǎn)————————¤—————¤———————————裝訂線————————¤———————¤——————北華大學(xué)2006-2007學(xué)年第二學(xué)期《數(shù)字電子技術(shù)》課程期末考試試卷(B卷)題號(hào)一二三四五六
2025-06-22 17:27
【總結(jié)】電力電子技術(shù)B卷答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、填空(每空1分,36分)1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率、觸發(fā)
2025-01-08 20:13
【總結(jié)】甘肅聯(lián)合大學(xué)2007—2008學(xué)年第二學(xué)期期末考試《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》試卷A理工學(xué)院級(jí)專業(yè)學(xué)號(hào)姓名題號(hào)一二三四五六總分得分得分評(píng)卷人一.選擇題(請(qǐng)?jiān)诟黝}后面的括號(hào)內(nèi)填入您認(rèn)為正確的答案代號(hào),每小題
2025-06-25 22:06
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測(cè)得晶體管的各個(gè)電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-06-05 21:32