【總結(jié)】1南京信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院試卷答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)2022/2022學(xué)年第__一_學(xué)期期末考試A卷課程名稱:電子技術(shù)基礎(chǔ)考試時(shí)間:100分鐘制定人王晶2022年
2025-01-09 03:45
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導(dǎo)體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價(jià)電子擺脫共價(jià)鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征
2025-08-11 02:51
【總結(jié)】期末考試試題 課程名稱《數(shù)字電子技術(shù)》適用專業(yè)自動(dòng)化、測(cè)控 考試時(shí)間(120)分鐘 一、填空題(22分每空2分) 1、,?! ?、JK觸發(fā)器的特性方程為:。 3、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器中,兩個(gè)狀態(tài)一個(gè)為態(tài),另一個(gè)為
2025-05-31 18:03
【總結(jié)】期末考試試題課程名稱《數(shù)字電子技術(shù)》適用專業(yè)自動(dòng)化、測(cè)控考試時(shí)間(120)分鐘一、填空題(22分每空2分)1、,。2、JK觸發(fā)器的特性方程為:。3、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器中,兩個(gè)狀態(tài)一個(gè)為態(tài),另一個(gè)為
2025-03-25 02:54
【總結(jié)】模電復(fù)習(xí)資料第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。
2025-04-17 04:47
【總結(jié)】行政管理期末考試模擬試題作?1.第1題行政領(lǐng)導(dǎo)者職位的特點(diǎn)不包括()“事”為中心確定的“人”為中心確定的答案:C標(biāo)準(zhǔn)答案:C您的答案:題目分?jǐn)?shù):此題得分:?2.第2題影響政策執(zhí)行的因素不包括()答案:D標(biāo)準(zhǔn)答案:D您的答案:題目分?jǐn)?shù):此題得分:?3.第
2025-06-28 01:32
【總結(jié)】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級(jí)放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級(jí)。4、三極管的輸出特性
2024-11-05 05:29
【總結(jié)】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-21 19:42
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號(hào)是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-22 14:53
【總結(jié)】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-06-28 20:13
【總結(jié)】高三語(yǔ)文期末考試模擬試題及答案第I卷閱讀題甲必考題一、現(xiàn)代文閱讀(9分,每小題3分)閱讀下面的文字,完成1~3題。新世紀(jì)現(xiàn)實(shí)主義電影的三重景觀王一川從新世紀(jì)以來(lái),特別是過(guò)去五年來(lái)中國(guó)大陸電影創(chuàng)作來(lái)看,稱得上具備現(xiàn)實(shí)主義范式內(nèi)涵的影片呈現(xiàn)出多種不同的復(fù)雜情況。從被刻畫的當(dāng)代社會(huì)現(xiàn)實(shí)的平常層面到奇崛層面的邏輯結(jié)構(gòu)去歸納,可看到如下三個(gè)層面:一是回到個(gè)體日常生活流,
2025-08-05 18:15
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)
2025-06-25 00:52
【總結(jié)】八年級(jí)數(shù)學(xué)下學(xué)期期末考試模擬試卷及答案詳解一、選擇題(每小題3分,共30分)1、在函數(shù)y=中,自變量x的取值范圍是()A. B. C. D.2、下列計(jì)算正確的是()A.B. ?。茫 。模?、下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是
2025-06-24 14:46
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的
2024-11-06 03:05
【總結(jié)】1《數(shù)字電子技術(shù)》課程測(cè)試試卷及答案2姓名:學(xué)號(hào):專業(yè)班級(jí):總成績(jī):題號(hào)一二三四五總分得分核分人一、填空題(每空1分,共10分)1.?dāng)?shù)字電路分為兩大類,分別是組合邏輯電路和時(shí)
2024-10-20 22:30