印制電路板行業(yè)廢水治理工程技術要求(編輯修改稿)
2025-07-21 04:24 本頁面
【文章內容簡介】 ~5M酸50~100~80000硝酸銅，濃硝酸5堿性蝕刻廢液950~100130000~150000Cu(NH3)2Cl26酸性蝕刻廢液~2M酸50~100150000CuCl2，HCl7褪錫鉛廢液~5M酸50~100100~1000Sn(NO3)2，HNO3(或者氫氟酸/氟化氫胺)8微蝕廢液≤150~100＜30000過硫酸銨APS(過硫酸鈉NPS)+(2~3)%硫酸；或硫酸+雙氧水9高錳酸鉀廢液≥102000~3000100~300高錳酸鉀，膠渣10棕化廢液50~10025000(4~6)%H2SO4,有機添加劑11預浸廢液酸性50~100800~1500SnCl2，HCl，NaCl，尿素12助焊劑廢液3~410000~200001000~2000松香，焊劑載體，活性劑，稀釋劑(熱風整平前使用)13抗氧化劑廢液(OSP)3~4~150001000~2000烷基苯駢咪唑，有機酸，乙酸鉛，CaCl2，苯駢三氮唑，咪唑14膨脹廢液≥7100000~20000010~100有機溶劑丁基卡必醇等15堿性除油廢液≥102000~800010~20堿性，有機化合物，表面活性劑(乳化劑，磷酸三鈉，碳酸鈉)16酸性除油廢液≤12000~500050~300硫酸，磷酸，有機酸，表面活性劑17顯影類廢液≥12~4000300~500Na2CO3(褪膜液為NaOH)18廢酸~3%酸50~10030~100H2SO4，HCl，檸檬酸19廢鈀液(活化液)≤150~10040~80PdCl2，HCl，SnCl2，Na2SnO3 廢水分流原則a) 一類污染物鎳應單獨分流；b) 離子態(tài)銅與絡合態(tài)銅應分流后分別處理；c) 顯影脫膜(退膜、去膜)廢液含高濃度有機物，應單獨分流；一般有機物廢水根據實際需要并核算排放濃度后確定分流去向；d) 氰化物廢水宜單獨分流；含氰化物廢水須避免鐵、鎳離子混入；e) 廢液應單獨分流收集；f) 具體分流應根據處理需要和當地環(huán)保部門要求，確定工程的實際分流種類；5 廢水處理工藝 銅的去除印制電路板行業(yè)廢水中銅有多種存在形式：離子態(tài)銅、絡合態(tài)銅或螯合態(tài)銅，應按不同方法分別進行去除。離子態(tài)銅經混凝沉淀去除。絡合態(tài)或螯合態(tài)銅經過破絡以后混凝沉淀去除?！?離子態(tài)銅去除基本流程：圖1 離子態(tài)銅的化學法處理流程中和混凝時設定控制pH值應根據現場調試確定，設計可按pH 8~9進行藥劑消耗計算?！?絡合態(tài)或螯合態(tài)銅的去除常用破絡方法有：Fe3+可掩蔽EDTA，從而釋放Cu2+；其處理成本廉價，應優(yōu)先采用。硫化物法可有效去除EDTACu，過量的S可采用Fe鹽去除；Fenton氧化可破壞絡合劑的部分結構而改變絡合性能；重金屬捕集劑是螯合劑，能形成更穩(wěn)定的銅螯合物并且是難溶物；離子交換法可交換離子態(tài)的螯合銅，并將其去除。生化處理可改變絡合劑或螯合劑性能，釋放Cu2+，具有廣泛的適用性。具體設計應根據試驗結果確定破絡工藝?！?破絡反應基本流程圖2 絡合銅的基本處理流程三價鹽可掩蔽主要的絡合物EDTA；輔助破絡反應可采用硫化鈉，按沉淀出水Cu；生化處理應便于排泥，以排出生化處理破絡后形成的銅沉淀物。如絡合銅廢水在常規(guī)破絡后可達到排放要求，則不需進入生化系統處理。如果沒有破壞或者掩蔽絡合劑，絡合銅廢水處理后宜單獨排至出水計量槽，以免形成新的絡合銅?！?氰化物的去除 氰化物廢水的處理宜采用二級氯堿法工藝。破氰后的廢水應再進行重金屬的去除?！?破氰基本流程圖3 含氰廢水基本處理流程 處理含氰廢水的氧化劑可采用次氯酸鈉、漂白粉、漂粉精、二氧化氯、雙氧水或液氯。理論有效氯投加量：CN:NaClO=1:。實際由于廢水中還有其它還原物或有機物會消耗有效氯，投藥量宜通過試驗確定?！?反應pH值條件：一級破氰控制pH值10~11，反應時間宜為(10~15)分鐘；~7，反應時間宜為(10~15)分鐘?！?自動控制ORP參考值：一級破氰約(+200~+300)mV，二級破氰約(+4
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