【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 名: 周中一出生年月: 1956年8月出生地: 江蘇通訊地址: Lijsterstraat 10, B9860 Balegem, Belgium電郵: @ 學(xué)科專長(zhǎng)： 生物技術(shù)學(xué)，植物生理生化學(xué)，遺傳學(xué)學(xué)位： 博士研究工作經(jīng)歷： 2000年5月起： Cropdesign NV (比利時(shí)) 生物技術(shù)公司。任 Senior Scientist, 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。 工作方向?yàn)樗巨D(zhuǎn)基因研究，水稻功能基因組學(xué)研究。 1996年1月至2000年4月：獲比利時(shí)根特大學(xué)特授研究基金 (Special Fellowship) 任遺傳學(xué)實(shí)驗(yàn)室研究員 (Research Fellow)。 承擔(dān)項(xiàng)目：水稻受淹時(shí)的分子生理學(xué)反應(yīng)研究。 1993年1月至1995年12月：主持一歐盟自然科學(xué)基金資助的比中合作科研項(xiàng)目(Hormonal Regulation and Signal Transduction in Rice Growth) 中的比利時(shí)部份。 其中國(guó)部份由復(fù)旦大學(xué)合作完成。學(xué)習(xí)經(jīng)歷： 1990年9月至1995年12月：比利時(shí)根特大學(xué)遺傳學(xué)實(shí)驗(yàn)室，生物技術(shù)學(xué)博士研究生。師從著名科學(xué)家 Van Montagu 教授和 Van Der Straeten 教授。 1988年9月至1990年9月：中國(guó)復(fù)旦大學(xué)遺傳所遺傳學(xué)博士研究生(因出國(guó)中斷)。師從著名遺傳學(xué)家談家禎教授。 1985年9月至1988年7月：中國(guó)復(fù)旦大學(xué)遺傳所遺傳學(xué)碩士研究生。師從著名遺傳學(xué)家談家禎教授。 1978年9月至1982年7月：中國(guó)復(fù)旦大學(xué)本科。生物化學(xué)專業(yè)。教育工作經(jīng)歷：1982年8月至1985年8月：中國(guó)中南財(cái)經(jīng)大學(xué)(武漢) 生物化學(xué)助教。學(xué)術(shù)組織比利時(shí)生化學(xué)會(huì)會(huì)員美國(guó)植物生物學(xué)會(huì)會(huì)員回國(guó)講學(xué)申請(qǐng)人：徐志安短期回國(guó)講學(xué)的主要目的、計(jì)劃目的及計(jì)劃： 1,講解鑄造充型和凝固過(guò)程模擬的數(shù)學(xué)和物理模型，計(jì)算機(jī)輔助鑄造工藝設(shè)計(jì)的方法。演示ViewCast軟件的應(yīng)用實(shí)例。 2，與沈陽(yáng)金屬研究所的材料成型過(guò)程數(shù)值模擬實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行合作交流，解決大型鑄鐵件加工性能的問(wèn)題。擬在東北地區(qū)成立數(shù)值計(jì)算中心。 3，與沈陽(yáng)黎明飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)制造公司合作，解決精密鑄造過(guò)程數(shù)值模擬的工藝參數(shù)問(wèn)題。我所已接受該公司的工程師到我中心進(jìn)修和合作研究。個(gè)人簡(jiǎn)介:姓名: 徐志安出生年月: 1956年6月出生地: 上海通訊地址: WTCM Foundry Centre Technologiepark 9, 9052 Zwijnaarde, Beglium電郵: @學(xué)位： 博士留學(xué)人員個(gè)人簡(jiǎn)歷（可另附頁(yè)） 中學(xué)畢業(yè) 上海針織十七廠 (廚師) 上海交通大學(xué)分校,機(jī)械工程系學(xué)習(xí)(學(xué)士) 上海交通大學(xué)分校,機(jī)械工程系助教 上海交通大學(xué),材料科學(xué)與工程系學(xué)習(xí)(碩士) 上海工程技術(shù)大學(xué), 材料工程系助教 比利時(shí)根特大學(xué),應(yīng)用科學(xué)學(xué)院學(xué)習(xí)(博士) 比利時(shí)根特大學(xué),應(yīng)用科學(xué)學(xué)院博士后 比利時(shí)金屬工業(yè)研究所，鑄造研究中心研究員近期學(xué)術(shù)成就 在60屆世界鑄造會(huì)議上獲唯一一篇最佳論文獎(jiǎng) () 獲美國(guó)鑄造學(xué)會(huì)1994年度最佳論文獎(jiǎng) 已發(fā)表論文三十多篇 開發(fā)了View Cast鑄造過(guò)程模擬和輔助工藝設(shè)計(jì)商業(yè)軟件回國(guó)講學(xué)申請(qǐng)人：高偉民任職或掛職工作思路及預(yù)期目標(biāo)現(xiàn)代芯片制造中的光刻及其分辨率增強(qiáng)技術(shù)2003年中國(guó)電子制造業(yè)增長(zhǎng)34%, ，已成為中國(guó)工業(yè)第一大產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模位居世界第三。與此同時(shí)，外商在外投資興建芯片制造晶圓廠的熱度并未降溫。國(guó)內(nèi)已有的華虹NEC、中芯國(guó)際、上海宏力、北京華夏、摩托羅拉天津芯片廠, 。但不可回避的是中國(guó)缺乏核心技術(shù)，電子設(shè)計(jì)水平還不高。在我們熱火朝天地進(jìn)行晶圓廠建設(shè)時(shí)，國(guó)外半導(dǎo)體巨頭正在賣力地研發(fā)新技術(shù)、新材料、新工藝, 90納米以下的芯片制造工藝的研發(fā)已經(jīng)完成并將投入量產(chǎn)。光刻技術(shù)是現(xiàn)代芯片制造業(yè)中的最重要的技術(shù), 但在我國(guó), 光刻技術(shù)無(wú)論在研究開發(fā)還是在實(shí)際應(yīng)用上都未達(dá)到其應(yīng)有的水平, 其結(jié)果就是為了跟上芯片制造業(yè)的迅猛發(fā)展, 中國(guó)就必須付出昂貴的代價(jià)購(gòu)買國(guó)外的核心技術(shù)。光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)就是這種核心技術(shù)之一, 這其中包括離軸照明，光學(xué)鄰近效應(yīng)校正，輔助圖形和相移掩模等方法。這些方法連同先進(jìn)的光刻膠材料一起可使光刻技術(shù)的分辨率接近到理論極限，是現(xiàn)代和未來(lái)光刻工藝中不可或缺的組成部分, 也是中國(guó)芯片制造業(yè)的發(fā)展中無(wú)法回避技術(shù)障礙。本人從事數(shù)年尖端的光刻技術(shù)的研發(fā), 愿借此機(jī)會(huì)向國(guó)內(nèi)介紹當(dāng)前最前沿的65納米以下光刻工藝中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)的基本原理及開發(fā)應(yīng)用的現(xiàn)狀，以期對(duì)國(guó)內(nèi)同行和管理決策者有所啟發(fā), 進(jìn)而為中國(guó)能擺脫羈絆開發(fā)出中國(guó)自己的核心技術(shù)提供幫助。短期回國(guó)講學(xué)的主要目的：1. 介紹國(guó)際最前沿的光刻技術(shù)和工藝， 介紹65納米以下芯片制造中的光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)的開發(fā)應(yīng)用。2. 尋找伙伴，合作研究，共同開發(fā)。個(gè)人簡(jiǎn)介:姓名: 高偉民出生年月: 1963年4月 通訊地址: Clos Louis Banken312, Brussels, Belgium電郵: Gaow_40@學(xué)位： 博士教育和培訓(xùn): 19952000比利時(shí)魯汶大學(xué)物理系，碩士，博士。 1990 荷蘭飛利浦公司電子工程師培訓(xùn)，工程師資格證書。 19811988浙江大學(xué)光學(xué)儀器系，學(xué)士，碩士。工作經(jīng)歷: 2000 大規(guī)模集成電路制造中的光刻技術(shù)和工藝的研究，比利時(shí)IMEC微電子中心，項(xiàng)目經(jīng)理，研究員。 19952000 比利時(shí)魯汶大學(xué)物理系助教兼博士生。 19931997 在中國(guó)地震局地震研究所從事地球物理觀測(cè)技術(shù)的研究和開發(fā)，中歐地球物理觀測(cè)技術(shù)合作負(fù)責(zé)人之一，副研究員。 19901993武漢長(zhǎng)飛光纖光纜有限公司，主管工程師。 19881990 在中國(guó)地震局地震研究所從事地殼形變觀測(cè)技術(shù)的研究和開發(fā)，工程師，助理研究員。發(fā)表論文:19篇國(guó)際雜志,其中11篇為第一作者，約30篇會(huì)議論文和摘要。所獲獎(jiǎng)勵(lì): 多項(xiàng)部、局科技進(jìn)步獎(jiǎng)，其中‘中比盧地球物理觀測(cè)技術(shù)合作’ 項(xiàng)目獲1996國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)(第三名) ?；貒?guó)講學(xué)申請(qǐng)人：趙超短期回國(guó)講學(xué)的主要目的、計(jì)劃申請(qǐng)人趙超從2000年起一直在處?kù)妒澜缜皟擅奈㈦娮友芯恐行模?IMEC，從事超大規(guī)模集成電路的工藝研究。在四年多的時(shí)間里，其研究工作集中于集成電路工藝發(fā)展的瓶頸， CMOS晶體管的替代介電層 (Highk), 的研發(fā)工作。IMEC的Highk項(xiàng)目是當(dāng)時(shí)世界上最重要的Highk Ramp。D項(xiàng)目， 集中了世界上各生產(chǎn)公司的優(yōu)秀研發(fā)人才。項(xiàng)目的參加者包括INTEL， IBM，MOTOLORA，TI， Philips半導(dǎo)體，ST(法意半導(dǎo)體) ，Infinien, TSMC, TOSHIBA等芯片制造公司，和ASM，Applied materials等設(shè)備生產(chǎn)廠家。 趙超在項(xiàng)目中承擔(dān)了納米厚介電薄膜生長(zhǎng)和材料學(xué)方面的工作，其中使用的原子層沉積(Atomic layer deposition) 和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD) 設(shè)備均為ASM和Applied materials提供的領(lǐng)先全世界的最新產(chǎn)品。在這方面所取得的成果一直處?kù)妒澜珙I(lǐng)先水平。在四年的時(shí)間里，趙超除了撰寫了大量的研發(fā)報(bào)告之外，還發(fā)表了與highk有關(guān)的論文41篇 (Author, 11, Coauthor,30)，其中許多為國(guó)際重要學(xué)術(shù)專門會(huì)議的大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告，并獲得發(fā)明專利一項(xiàng)。眾所周知， 集成電路工業(yè)在中國(guó)發(fā)展異常迅猛。 2003年中國(guó)電子制造業(yè)增長(zhǎng)34%, ，已成為中國(guó)工業(yè)第一大產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模位居世界第三。與此同時(shí)，外商在華投資興建芯片制造晶圓廠的熱情越來(lái)越高。國(guó)內(nèi)已有的華虹NEC、中芯國(guó)際、上海宏力、北京華夏、摩托羅拉天津芯片廠, 。但不可回避的是中國(guó)缺乏核心技術(shù)，電子設(shè)計(jì)水平還不高。在我們熱火朝天地進(jìn)行晶圓廠建設(shè)時(shí)，國(guó)外半導(dǎo)體巨頭正在賣力地研發(fā)新技術(shù)、新材料、新工藝, 90納米以下的芯片制造工藝的研發(fā)已經(jīng)完成并將投入量產(chǎn)。申請(qǐng)人希望愿借此機(jī)會(huì)向國(guó)內(nèi)介紹當(dāng)前最前沿的的HIGHk 研發(fā)工作的現(xiàn)狀及應(yīng)有前景，以期對(duì)國(guó)內(nèi)同行有所啟發(fā), 進(jìn)而為中國(guó)提升超大規(guī)模集成電路研發(fā)水平有所幫助。個(gè)人簡(jiǎn)介:姓名: 趙超出生年月: 1962年3月 8 日 通