【文章內(nèi)容簡介】 。換算單位為1H=103Mh=106uH=109nH　電感量的大小與線圈匝數(shù)、直徑、內(nèi)部有無磁心、繞制方式等有直接關(guān)系。圈數(shù)越多，電感量越大；線圈內(nèi)有鐵心、磁心的，比無鐵心、磁心的電感量大。2） 品質(zhì)因數(shù)　品質(zhì)因數(shù)是表示線圈質(zhì)量高低的一個(gè)參數(shù)，用字母Q表示。Q值高，線圈損耗就小。3） 分布電容　線圈匝與匝之間具有電容，這一電容稱之為“分布電容”。此外，屏蔽罩之間，多層繞組的層與層之間，繞組與底版見也都存在著分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值下降。為見效分布電容，可減小線圈骨架的直徑，用細(xì)導(dǎo)線繞制線圈，采用間繞法、蜂房式繞法。 規(guī)格標(biāo)注方法　固定電感器的電感量可用數(shù)字直接標(biāo)在電感器的外殼上。電感量的允許誤差用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ即177。5%、177。10%、177。20%表示，直接標(biāo)在電感器的外殼上。1H=103Mh=106uH=109nH 性能測量　如果要準(zhǔn)確測量電感線圈的電感量L和品質(zhì)因數(shù)Q，就需要用專門儀器來進(jìn)行測量，而且測試步驟較為復(fù)雜。　一般用萬用表歐姆擋Rx1或Rx10擋，測電感器的阻值，若為無窮大，表明電感器斷路；如電阻很小，說明電感器正常。在電感量相同的多個(gè)電感器中，如果電阻值小，則表明Q值很高。 晶體管與集成電路[要點(diǎn)提示] 晶體管 集成電路 [內(nèi)容簡介］　　晶體管又稱半導(dǎo)體管，半導(dǎo)體是一類導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。　　集成電路是在半導(dǎo)體晶體管制造工藝的其礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型電子器件。它將有源器件二極管、三極管和無源元件電阻、電容以及連接線等同時(shí)制作在很小的一塊半導(dǎo)體材料或絕緣基片上，成為具有特定功能的電路，然后加外殼封裝成一個(gè)電路單元。這種在結(jié)構(gòu)上形成緊密聯(lián)系的整體電路，稱之為集成電路。集成電路與分立電路相比，具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、電路性能穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn)。 晶體管　　通常將晶體管分立器件分為：晶體二，雙極型晶體管，場效應(yīng)管，可控硅?！?）晶體二極管導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為“半導(dǎo)體”。 通常將可運(yùn)動(dòng)的帶電粒子稱為“載流子”，電子和空穴都是載流子。 N型半導(dǎo)體：在硅晶體中摻入五價(jià)元素（磷、銻），自由電子是多子、空穴是少子。P型半導(dǎo)體：在硅晶體中摻入三價(jià)元素（硼、銦），空穴是多子、自由電子是少子?！N結(jié)的形成　　通過一定的工藝，將一塊完整的半導(dǎo)體的一部分摻雜成N型半導(dǎo)體，另一部分摻雜成P型半導(dǎo)體，形成P區(qū)和N區(qū)。P區(qū)和N區(qū)交界面的過渡區(qū)稱為PN結(jié)。二極管的結(jié)構(gòu)二極管的電路符號(hào)光敏二極管結(jié)構(gòu) 　　在PN結(jié)內(nèi)部有兩種運(yùn)動(dòng)：　（a）擴(kuò)散：由于濃度差而引起的從高濃度到低濃度的運(yùn)動(dòng)。由于多子濃度高，所以擴(kuò)散是多子的運(yùn)動(dòng)。?。╞）漂移：載流子在電場力作用下而產(chǎn)生的定向運(yùn)動(dòng)。少子在內(nèi)電場的作用下而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)是漂移?！　　《嘧拥臄U(kuò)散運(yùn)動(dòng)是空間電荷區(qū)加寬，使內(nèi)電場加強(qiáng)，使少子的漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)。然而少子漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)又使空間電荷區(qū)邊窄；當(dāng)兩種運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，空間點(diǎn)化區(qū)的寬度也就穩(wěn)定下來了。PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴。?）二極管的伏――安特性和主要參數(shù) ?。╝）外加正向電壓當(dāng)PN結(jié)的P區(qū)接電源正極，N區(qū)接電源負(fù)極時(shí)稱為外加正向電壓，簡稱正偏。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電流大大超過漂移運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的電流，形成正向電流IF，稱PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)（b）外加反向電壓當(dāng)PN結(jié)的P區(qū)接電源負(fù)極，N區(qū)接電源正極時(shí)，稱為外加反向電壓，簡稱反偏。漂移運(yùn)動(dòng)而形成的電流超過了擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流，形成反向電流IR，由于漂移電流是少子運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的，所以室溫下反向電流很小。通常稱PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)?！。╟）PN結(jié)伏安特性?、?導(dǎo)通電壓（開啟電壓）　當(dāng)外加電壓較小時(shí)，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)　當(dāng)外加電壓大于導(dǎo)通電壓時(shí)，正向電流i隨u呈指數(shù)關(guān)系增加?！　℃NPN結(jié) UON≥　　硅PN結(jié) UON≥?、?擊穿電壓（U（RB））　　當(dāng)加反向電壓時(shí)，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)，IR很少，可當(dāng)反向電壓大于擊穿電壓U（RB）時(shí)IR急劇增加，可應(yīng)用這個(gè)特性制成穩(wěn)壓管。?。?） 二極管的符號(hào)及其主要參數(shù)?。╝） 符號(hào)：　（b） 參數(shù)：?、?最大正向電流IF　　指允許流過的最大電流；在正常工作狀態(tài)下應(yīng)使IDIF?、?反向擊穿電壓URB　　二極管反向被擊穿時(shí)，對(duì)其施加的反向電壓值?！、?反向電流IR　　在溫室下測得的凡響電流值約為幾十納安。受溫度影響很大?！、?最高工作頻率FT向恢復(fù)時(shí)間tre　　是工作頻率的上限值，當(dāng)電路的工作頻率超過FT時(shí)，二極管失去單向?qū)щ娦?。反向恢?fù)時(shí)間tre二極管在開關(guān)運(yùn)用時(shí)，由導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)所經(jīng)歷的時(shí)間通常為n秒。開啟時(shí)間小于凡響恢復(fù)時(shí)間?！、?溫度影響　　由于二極管內(nèi)含有良種接瘤子，特別是少子的漂移運(yùn)動(dòng)受溫度的影響很大。當(dāng)溫度升高，IR急劇增加。結(jié)電壓也受溫度影響?！。?）二極管極性判別　　將萬用表撥在R＊100或R＊1k電阻擋上，兩支表筆分別接觸二極管的兩個(gè)電極測其阻值，記下此時(shí)的阻值。兩支表筆調(diào)換，再測一次阻值。兩次測量中，阻值小的那一次，測出的是二極管的正向電阻，黑表筆接觸的是二極管的正極，紅表筆接觸的是二極管的負(fù)極，如圖1－25所示。二極管極性判別　 　順便指出。測量一般小功率二的正、反向電阻，不宜使用R*1和R＊10K擋，前者通過二極管的正向電流較大，可能燒毀管子；后者加在二極兩端的反電壓太高，易將管子擊穿?！。?）二極管的性能測量　　二極管性能鑒別的最簡單方法是用萬用表測其正、反向電阻值，阻值相關(guān)越大，說明它的單向?qū)щ娦阅茉胶?。?duì)于檢波二極管或鍺小功率二極管，使用R＊100擋，其正向電阻約為100－1000Ω之間；對(duì)于硅管，約為幾百歐姆到幾千歐姆之間。反向電阻，不論是鍺管還是硅管，一般都在幾百千歐以上，而且硅管比鍺管大?！　?duì)于小功率二極管一般選用R＊100或R＊1K擋；中、大功率二極管一般選用R＊1或R＊10擋。發(fā)光二極管用R＊10K測基正、反向阻值，當(dāng)正向電阻小于50KΩ，反向電阻大于200KΩ時(shí)均為正常?！　y量時(shí)，若二極管的正、反向電阻為無窮大，即表針不動(dòng)時(shí)，說明基內(nèi)部斷路；反之，若其正反向電阻近似為0Ω時(shí)，說明其內(nèi)部有短路故障；如果二極管的正、反向電阻值相差太小，說明其性能變壞或失效。　2) 晶體三極管：（雙極型晶體管）?。?） 三極管基本結(jié)構(gòu)和分類　在一塊半導(dǎo)體晶片上制造兩個(gè)符合要求的PN結(jié)，就構(gòu)成了一個(gè)晶體三極管。按PN結(jié)的組合方式不同。三極管有PNP型和NPN型兩種，如圖1－26所示。它們都有三個(gè)不同不同導(dǎo)電區(qū)域：中間部分稱為基區(qū)；兩端部分一個(gè)稱為發(fā)射區(qū)，另一個(gè)稱為集電區(qū)。每個(gè)導(dǎo)電　區(qū)上有一個(gè)電極，分別稱為基極、發(fā)射極、集電極，常用字母a、b、c表示。發(fā)射區(qū)與基區(qū)交界面處形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)；集電區(qū)與基區(qū)交界面處形成的PN結(jié)稱為集電結(jié)。三極管的基本結(jié)構(gòu)　 發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，因而多數(shù)載流子的濃度很高。 基區(qū)很薄，而且摻雜濃度很低，因而多子濃度很低。集電區(qū)摻雜也較低，它的多子濃度低于發(fā)射區(qū)，所以集電極和發(fā)射極不能互換。（2）晶體三極管的放大原理　　當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管內(nèi)部有以下集中運(yùn)動(dòng)發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子，形成發(fā)射極電流IE，方向與電子運(yùn)動(dòng)的方向相反。電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合：電子到基區(qū)后由向集電區(qū)擴(kuò)散，被集電極吸收形成集電極電流IC，極少的一部分與基區(qū)的空穴符合，形成基區(qū)符合電流IBN。電子被集電極收集：集電結(jié)反向偏置時(shí)，組織集電區(qū)的電子向基區(qū)擴(kuò)散，但有利于吸收基區(qū)擴(kuò)散過來的電子，形成集電區(qū)收集電流ICN。　　三極管放大的原理：即利用發(fā)射極注入的電子在基區(qū)的擴(kuò)散大大超過符合而實(shí)現(xiàn)的。電流之間的關(guān)系：基極電流IB，集電極電流IC，發(fā)射極電流IE，則有：IE=IB+IC IC=βIB　　（β為電流放大系數(shù)）　　三極管的開關(guān)狀態(tài)　　在數(shù)字電路中，三極管經(jīng)常被當(dāng)做開關(guān)使用，管子截止?fàn)顟B(tài)和飽和狀態(tài)是開關(guān)工作時(shí)的兩種穩(wěn)態(tài)，而放大狀態(tài)是管子從一種穩(wěn)態(tài)向另一種穩(wěn)態(tài)過渡的狀態(tài)。 　　 三極管的主要參數(shù)① 共發(fā)射極電流放大系數(shù)β② 集電極——發(fā)射極擊穿電壓UCEO當(dāng)UCE＞gt。UCEO時(shí)，則CE結(jié)被擊穿，管子工作在一種過壓工作狀態(tài)，電流會(huì)急劇增加，管子容易被擊穿損壞。③ 集電極最大電流ICM指集電極允許流過的最大電流值。④ 最大功率PCM指集電極允許的最大功率。 ⑤ 特征頻率fT當(dāng)工作頻率增高時(shí)，β會(huì)下降，當(dāng)f=fT時(shí)，β=1，三極管失去放大能力。⑥ 集電極—發(fā)射極飽和壓降UCES（3）管型判別和電極判別　　所謂管型判別，是指判別一只失掉型號(hào)的管子，是PNP還是NPN，是硅管還是鍺管，是高頻管還是低頻管；而電極判別，則指分辨出它的e、b、c極。 　測判三極管的口訣 　三極管的管型及管腳的判別是電子技術(shù)初學(xué)者的一項(xiàng)基本功，為了幫助讀者迅速掌握測判方法，筆者總結(jié)出四句口訣：“三顛倒，找基極；PN結(jié)，定管型；順箭頭，偏轉(zhuǎn)大；測不準(zhǔn)，動(dòng)嘴巴。”下面讓我們逐句進(jìn)行解釋吧。一、 三顛倒，找基極　　大家知道，三極管是含有兩個(gè)PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。根據(jù)兩個(gè)PN結(jié)連接方式不同，可以分為NPN型和PNP型兩種不同導(dǎo)電類型的三極管，圖1是它們的電路符號(hào)和等效電路。測試三極管要使用萬用電表的歐姆擋，并選擇R100或R1k擋位。圖2繪出了萬用電表歐姆擋的等效電路。由圖可見，紅表筆所連接的是表內(nèi)電池的負(fù)極，黑表筆則連接著表內(nèi)電池的正極。　　假定我們并不知道被測三極管是NPN型還是PNP型，也分不清各管腳是什么電極。測試的第一步是判斷哪個(gè)管腳是基極。這時(shí)，我們?nèi)稳蓚€(gè)電極(如這兩個(gè)電極為2)，用萬用電表兩支表筆顛倒測量它的正、反向電阻，觀察表針的偏轉(zhuǎn)角度；接著，再取3兩個(gè)電極和3兩個(gè)電極，分別顛倒測量它們的正、反向電阻，觀察表針的偏轉(zhuǎn)角度。在這三次顛倒測量中，必然有兩次測量結(jié)果相近：即顛倒測量中表針一次偏轉(zhuǎn)大，一次偏轉(zhuǎn)?。皇Ｏ乱淮伪厝皇穷嵉箿y量前后指針偏轉(zhuǎn)角度都很小，這一次未測的那只管腳就是我們要尋找的基極。二、 PN結(jié)，定管型　　找出三極管的基極后，我們就可以根據(jù)基極與另外兩個(gè)電極之間PN結(jié)的方向來確定管子的導(dǎo)電類型。將萬用表的黑表筆接觸基極，紅表筆接觸另外兩個(gè)電極中的任一電極，若表頭指針偏轉(zhuǎn)角度很大，則說明被測三極管為NPN