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正文內(nèi)容

單片機(jī)控制的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動技術(shù)畢業(yè)論文(編輯修改稿)

2025-07-20 17:40 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 ,而降速時按一定規(guī)律增大。 PWM發(fā)生電路主要芯片的工作原理1.芯片4585 (1)芯片4585的用途:對于A和B兩組4位并行數(shù)值進(jìn)行比較,來判斷它們之間的大小是否相等。(2)芯片4585的功能表:輸入輸出比較級取AB3AB2AB1A0、B0ABA=BABABA=BABA3B3*****1001A3=B3A2B2****1001A3=B3A2=B2A1B1***1001A3=B3A2=B2A1=B1A0B0**1001A3=B3A2=B2A1=B1A0=B0001001A3=B3A2=B2A1=B1A0=B0010010A3=B3A2=B2A1=B1A0B0100100A3=B3A2=B2A1B1****100A3=B3A2B2*****100A3B3******100 芯片4585的功能表(3)芯片4585的引腳圖:2.芯片4040 芯片4040是一個12位的二進(jìn)制串行計數(shù)器,所有計數(shù)器位為主從觸發(fā)器,計數(shù)器在時鐘下降沿進(jìn)行計數(shù)。當(dāng)CR為高電平時,它對計數(shù)器進(jìn)行清零,由于在時鐘輸入端使用施密特觸發(fā)器,故對脈沖上升和下降時間沒有限制,所有的輸入和輸出均經(jīng)過緩沖。芯片4040提供了16引線多層陶瓷雙列直插、熔封陶瓷雙列直插、塑料雙列直插以及陶瓷片狀載體等4種封裝形式。(1)芯片4040的極限值:電源電壓范圍:—18V輸入電壓范圍:—VDD+輸入電流范圍:177。10mA貯存溫度范圍:65176。C—150176。C(2)芯片4040引出端功能符號:CP: 時鐘輸入端 CR:清除端 Q0—Q11:計數(shù)脈沖輸出端 VDD: 正電源 VSS: 地端(3)芯片4040功能表:輸入輸出CPCR↑↓*LLH保持計數(shù)所有輸出端均為L(4)芯片4040的引腳圖: 功率放大驅(qū)動電路設(shè)計該驅(qū)動電路采用了IR2110集成芯片,該集成電路具有較強(qiáng)的驅(qū)動能力和保護(hù)功能。 芯片IR2110性能及特點IR2110是美國國際整流器公司利用自身獨有的高壓集成電路以及無閂鎖CMOS技術(shù),于1990年前后開發(fā)并且投放市場的,IR2110是一種雙通道高壓、高速的功率器件柵極驅(qū)動的單片式集成驅(qū)動器。它把驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)MOSFET或IGBT所需的絕大部分功能集成在一個高性能的封裝內(nèi),外接很少的分立元件就能提供極快的功耗,它的特點在于,將輸入邏輯信號轉(zhuǎn)換成同相低阻輸出驅(qū)動信號,可以驅(qū)動同一橋臂的兩路輸出,驅(qū)動能力強(qiáng),響應(yīng)速度快,工作電壓比較高,可以達(dá)到600V,其內(nèi)設(shè)欠壓封鎖,成本低、易于調(diào)試。高壓側(cè)驅(qū)動采用外部自舉電容上電,與其他驅(qū)動電路相比,它在設(shè)計上大大減少了驅(qū)動變壓器和電容的數(shù)目,使得MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路設(shè)計大為簡化,而且它可以實現(xiàn)對MOSFET和IGBT的最優(yōu)驅(qū)動,還具有快速完整的保護(hù)功能。與此同時,IR2110的研制成功并且投入應(yīng)用可以極大地提高控制系統(tǒng)的可靠性。降低了產(chǎn)品成本和減少體積。 IR2110的引腳圖以及功能引腳1(LO)與引腳7(HO):對應(yīng)引腳12以及引腳10的兩路驅(qū)動信號輸出端,使用中,分別通過一電阻接主電路中下上通道MOSFET的柵極,為了防止干擾,通常分別在引腳1與引腳2以及引腳7與引腳5之間并接一個10KΩ的電阻。引腳2(COM):下通道MOSFET驅(qū)動輸出參考地端,使用中,與引腳13(Vss)直接相連,同時接主電路橋臂下通道MOSFET的源極。引腳3(Vcc):直接接用戶提供的輸出極電源正極,并且通過一個較高品質(zhì)的電容接引腳2。引腳5(Vs):上通道MOSFET驅(qū)動信號輸出參考地端,使用中,與主電路中上下通道被驅(qū)動MOSFET的源極相通。與引腳6(VB):通過一陰極連接到該端陽極連接到引腳3的高反壓快恢復(fù)二極管,與用戶提供的輸出極電源相連,對Vcc的參數(shù)要求為大于或等于—,而小于或等于+20V。引腳9(VDD):芯片輸入級工作電源端,使用中,接用戶為該芯片工作提供的高性能電源,為抗干擾,該端應(yīng)通過一高性能去耦網(wǎng)絡(luò)接地,該端可與引腳3(Vcc)使用同一電源,也可以分開使用兩個獨立的電源。引腳10(HIN)與引腳12(LIN):驅(qū)動逆變橋中同橋臂上下兩個功率MOS器件的驅(qū)動脈沖信號輸入端。應(yīng)用中,接用戶脈沖形成部分的對應(yīng)兩路輸出,+,這里Vss 與Vcc分別為連接到IR2110的引腳13(Vss)與引腳9(VDD)端的電壓值。引腳11(SD):保護(hù)信號輸入端,當(dāng)該引腳為高電平時,IR2110的輸出信號全部被封鎖,其對應(yīng)的輸出端恒為低電平,而當(dāng)該端接低電平時,則IR2110的輸出跟隨引腳10與12而變化。引腳13(Vss):芯片工作參考地端,使用中,直接與供電電源地端相連,所有去耦電容的一端應(yīng)接該端,同時與引腳2直接相連。引腳引腳1引腳4:為空引腳。芯片參數(shù):1.IR2110的極限參數(shù)和限制:最大高端工作電源電壓VB: 門極驅(qū)動輸出最大(脈沖)電流IOMAX:2A最高工作頻率fmax:1MHz工作電源電壓Vcc:貯存溫度Tstg:55至150176。C工作溫度范圍TA:40至125176。C允許最高結(jié)溫Tjmax:150176。C邏輯電源電壓VDD:+25V允許參考電壓Vs臨界上升率dVs/dt:50000V/μs高端懸浮電源參考電壓Vs:VB25V至VB+高端懸浮輸出電壓VHO:+邏輯輸入電壓VIN:+邏輯輸入?yún)⒖茧妷篤ss:Vcc25V至Vcc+低端輸出電壓VLO:+功耗PD:2.IR2110的推薦工作條件:高端懸浮電源絕對值電壓VB:Vs+10V至Vs+20V低端輸出電壓VLO:0至Vcc低端工作電源電壓Vcc:10V至20V邏輯電
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