【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 LI 指令來(lái)置位和清零。? Bit 6 – T: 位拷貝存儲(chǔ)位拷貝指令BLD 和BST 利用T 作為目的或源地址。BST 把寄存器的某一位拷貝到T，而B(niǎo)LD 把T 拷貝到寄存器的某一位。? Bit 5 – H: 半進(jìn)位標(biāo)志半進(jìn)位標(biāo)志H 表示算術(shù)操作發(fā)生了半進(jìn)位。此標(biāo)志對(duì)于BCD 運(yùn)算非常有用。詳見(jiàn)指令集的說(shuō)明。? Bit 4 – S: 符號(hào)位, S = N ⊕ VS 為負(fù)數(shù)標(biāo)志N 與2 的補(bǔ)碼溢出標(biāo)志V 的異或。詳見(jiàn)指令集的說(shuō)明。? Bit 3 – V:2 的補(bǔ)碼溢出標(biāo)志支持2 的補(bǔ)碼運(yùn)算。詳見(jiàn)指令集的說(shuō)明。? Bit 2 – N: 負(fù)數(shù)標(biāo)志表明算術(shù)或邏輯操作結(jié)果為負(fù)。詳見(jiàn)指令集的說(shuō)明。? Bit 1 – Z: 零標(biāo)志表明算術(shù)或邏輯操作結(jié)果為零。詳見(jiàn)指令集的說(shuō)明。? Bit 0 – C: 進(jìn)位標(biāo)志（9）通用寄存器文件寄存器文件針對(duì)AVR 增強(qiáng)型 RISC 指令集做了優(yōu)化。為了獲得需要的性能和靈活性，寄存器文件支持以下的輸入/ 輸出方案：? 輸出一個(gè) 8 位操作數(shù)，輸入一個(gè) 8 位結(jié)果。? 輸出兩個(gè) 8 位位操作數(shù)，輸入一個(gè) 8 位結(jié)果。? 輸出兩個(gè) 8 位位操作數(shù)，輸入一個(gè) 16 位結(jié)果。? 輸出一個(gè) 16 位位操作數(shù)，輸入一個(gè) 16 位結(jié)果。CPU 32 個(gè)通用工作寄存器的結(jié)構(gòu)（10）堆棧指針堆棧指針主要用來(lái)保存臨時(shí)數(shù)據(jù)、局部變量和中斷/ 子程序的返回地址。堆棧指針總是指向堆棧的頂部。要注意AVR 的堆棧是向下生長(zhǎng)的，即新數(shù)據(jù)推入堆棧時(shí)，堆棧指針的數(shù)值將減小。堆棧指針指向數(shù)據(jù)SRAM 堆棧區(qū)。在此聚集了子程序堆棧和中斷堆棧。調(diào)用子序和使能中斷之前必須定義堆?？臻g，且堆棧指針必須指向高于0x60 的地址空間。使用PUSH指令將數(shù)據(jù)推入堆棧時(shí)指針減一；而子程序或中斷返回地址推入堆棧時(shí)指針將減二。使用POP 指令將數(shù)據(jù)彈出堆棧時(shí)，堆棧指針加一；而用RET 或RETI 指令從子程序或中斷返回時(shí)堆棧指針加二。AVR的堆棧指針由I/O空間中的兩個(gè)8位寄存器實(shí)現(xiàn)。實(shí)際使用的位數(shù)與具體器件有關(guān)。請(qǐng)注意某些AVR 器件的數(shù)據(jù)區(qū)太小，用SPL 就足夠了。此時(shí)將不給出SPH 寄存器。指令執(zhí)行時(shí)序這一節(jié)介紹指令執(zhí)行過(guò)程中的訪問(wèn)時(shí)序。AVR CPU 由系統(tǒng)時(shí)鐘clkCPU 驅(qū)動(dòng)。此時(shí)鐘直接來(lái)自選定的時(shí)鐘源。芯片內(nèi)部不對(duì)此時(shí)鐘進(jìn)行分頻。Figure 5 說(shuō)明了由Harvard 結(jié)構(gòu)決定的并行取指和指令執(zhí)行，以及可以進(jìn)行快速訪問(wèn)的寄存器文件的概念。這是一個(gè)基本的流水線概念，性能高達(dá)1 MIPS/MHz，具有優(yōu)良的性價(jià)比、功能/ 時(shí)鐘比、功能/ 功耗比。（11）復(fù)位與中斷處理AVR有不同的中斷源。每個(gè)中斷和復(fù)位在程序空間都有獨(dú)立的中斷向量。所有的中斷事件都有自己的使能位。當(dāng)使能位置位，且狀態(tài)寄存器的全局中斷使能位I 也置位時(shí)，中斷可以發(fā)生。根據(jù)程序計(jì)數(shù)器PC 的不同，在引導(dǎo)鎖定位BLB02 或BLB12 被編程的情況下，中斷可能被自動(dòng)禁止。這個(gè)特性提高了軟件的安全性。詳見(jiàn) P 209“ 存儲(chǔ)器編程” 的描述。程序存儲(chǔ)區(qū)的最低地址缺省為復(fù)位向量和中斷向量。完整的向量列表請(qǐng)參見(jiàn)P 43“ 中斷”列表也決定了不同中斷的優(yōu)先級(jí)。向量所在的地址越低，優(yōu)先級(jí)越高。RESET 具有最高的優(yōu)先級(jí)，第二個(gè)為INT0 – 外部中斷請(qǐng)求0。通過(guò)置位通用中斷控制寄存器 (GICR) 的IVSEL，中斷向量可以移至引導(dǎo)Flash的起始處，參見(jiàn)P 43“中斷” 。編程熔絲位BOOTRST也可以將復(fù)位向量移至引導(dǎo)Flash 的起始處。具體參見(jiàn)P 196“ 支持引導(dǎo)裝入程序 －在寫(xiě)的同時(shí)可以讀(RWW, ReadWhileWrite) 的自我編程能力” 。任一中斷發(fā)生時(shí)全局中斷使能位I 被清零，從而禁止了所有其他的中斷。用戶軟件可以在中斷程序里置位I 來(lái)實(shí)現(xiàn)中斷嵌套。此時(shí)所有的中斷都可以中斷當(dāng)前的中斷服務(wù)程序。執(zhí)行RETI 指令后I 自動(dòng)置位。從根本上說(shuō)有兩種類(lèi)型的中斷。第一種由事件觸發(fā)并置位中斷標(biāo)志。對(duì)于這些中斷，程序計(jì)數(shù)器跳轉(zhuǎn)到實(shí)際的中斷向量以執(zhí)行中斷處理程序，同時(shí)硬件將清除相應(yīng)的中斷標(biāo)志。中斷標(biāo)志也可以通過(guò)對(duì)其寫(xiě)”1” 的方式來(lái)清除。當(dāng)中斷發(fā)生后，如果相應(yīng)的中斷使能位為0，則中斷標(biāo)志位置位，并一直保持到中斷執(zhí)行，或者被軟件清除。類(lèi)似的，如果全局中斷標(biāo)志被清零，則所有已發(fā)生的中斷都不會(huì)被執(zhí)行，直到I 置位。然后掛起的各個(gè)中斷按中斷優(yōu)先級(jí)依次執(zhí)行。2. 點(diǎn)陣顯示器（1）8*8點(diǎn)陣原理圖（2）8*8點(diǎn)陣實(shí)物圖圖為88點(diǎn)陣LED外觀及引腳圖，其等效電路如圖（2）所示，只要其對(duì)應(yīng)的X、Y軸順向偏壓，即可使LED發(fā)亮。例如如果想使左上角LED點(diǎn)亮，則Y0=1，X0=0即可。應(yīng)用時(shí)限流電阻可以放在X軸或Y軸（3）8*8點(diǎn)陣掃描方式LED一般采用掃描式顯示，實(shí)際運(yùn)用分為三種方式（1）點(diǎn)掃描（2）行列掃描1664=1024Hz，周期小于1ms即可。若使用第二和第三種方式，則頻率必須大于168=128Hz。此外一次驅(qū)動(dòng)一列或一行（8顆LED）時(shí)需外加驅(qū)動(dòng)電路提高電流，否則LED亮度會(huì)不足。（4）8*8點(diǎn)陣應(yīng)用舉例點(diǎn)陣內(nèi)部結(jié)構(gòu)及外形如下，8X8點(diǎn)陣共由64個(gè)發(fā)光二極管組成，且每個(gè)發(fā)光二極管是放置在行線和列線的交叉點(diǎn)上，當(dāng)對(duì)應(yīng)的某一行置1電平，某一列置0電平，則相應(yīng)的二極管就亮；如要將第一個(gè)點(diǎn)點(diǎn)亮，則9腳接高電平13腳接低電平，則第一個(gè)點(diǎn)就亮了；如果要將第一行點(diǎn)亮，則第9腳要接高電平，而（11116）這些引腳接低電平，那么第一行就會(huì)點(diǎn)亮；如要將第一列點(diǎn)亮，則第13腳接低電平，而（115）接高電平，那么第一列就會(huì)點(diǎn)亮。 一般我們使用點(diǎn)陣顯示漢字是用的16*16的點(diǎn)陣宋體字庫(kù)，所謂16*16，是每一個(gè)漢字在縱、橫各16點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)顯示的。也就是說(shuō)得用四個(gè)8*8點(diǎn)陣組合成一個(gè)16*16的點(diǎn)陣。如下圖所示，要顯示“你”則相應(yīng)的點(diǎn)就要點(diǎn)亮，由于我們的點(diǎn)陣在列線上是低電平有效，而在行線上是高電平有效，所以要顯示“你”字的話，它的位代碼信息要取反，即所有列（13~16腳）送(1111011101111111，0xF7，0x7F)，而第一行（9腳）送1信號(hào)，然后第一行送0。再送第二行要顯示的數(shù)據(jù)（13~16腳）送(1111011101