freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

材料科學(xué)基礎(chǔ)課后習(xí)題及參考答案(編輯修改稿)

2025-07-16 17:21 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 結(jié)晶速率用什么表征。 3. 分析影響結(jié)晶速率的因素。固相反應(yīng)1.若由MgO和Al2O3球形顆粒之間的反應(yīng)生成MgAl2O4是通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散進(jìn)行的: (1) 畫出其反應(yīng)的幾何圖形并推導(dǎo)出反應(yīng)初期的速度方程。 (2) 若1300℃時DAl3+DMg2+02:基本不動,那么哪一種離子的擴(kuò)散控制著MgAl2O4的生成?為什么? 2.鎳(Ni),測得其重量增量(μg/cm2)如下表:溫 度 時 間 溫 度 時 間 1(h) 2(h) 3(h) 4(h) 1(h) 2(h) 3(h) 4(h) 550 ℃ 9131520650 ℃ 29415065600 ℃ 17232936700 ℃ 567588106 (1) 導(dǎo)出合適的反應(yīng)速度方程; (2) 計算其活化能。 3.由Al2O3和SiO2粉末反應(yīng)生成莫來石,過程由擴(kuò)散控制,擴(kuò)散活化能為50千卡/摩爾,1400℃下,一小時完成10%,求1500℃下,一小時和四小時各完成多少?(應(yīng)用揚德方程計算) 4.粒徑為1μ球狀A(yù)l2O3由過量的MgO微粒包圍,觀察尖晶石的形成,在恒定溫度下,第一個小時有20%的Al2O3起了反應(yīng),計算完全反應(yīng)的時間。 (1) 用揚德方程計算 (2) 用金斯特林格方程計算 (3) 比較揚德方程、金斯特林格方程優(yōu)缺點及適用條件。 5. 當(dāng)測量氧化鋁-水化物的分解速率時,發(fā)現(xiàn)在等溫反應(yīng)期間,重量損失隨時間線性增 加到50%左右,超過50%時重量損失的速率就小于線性規(guī)律。速率隨溫度指數(shù)增加,這是一個由擴(kuò)散控制的反應(yīng)還是由界面一級控制的反應(yīng)?當(dāng)溫度從451℃增至493℃時,速率增大到10倍,計算此過程的活化能(利用表91及圖22進(jìn)行分析) 6. 由Al2O3和SiO2粉末形成莫來石反應(yīng),由擴(kuò)散控制并符合揚德方程,實驗在溫度保持不變的條件下,當(dāng)反應(yīng)進(jìn)行1小時的時候,測知已有15%的反應(yīng)物起反 應(yīng)而作用掉了。 (1) 將在多少時間內(nèi)全部反應(yīng)物都生成產(chǎn)物? (2) 為了加速莫來石的生產(chǎn)應(yīng)采取什么有效措施? 7. 試分析影響固相反應(yīng)的主要因素。 8. 如果要合成鎂鋁尖晶石,可供選擇的原料為MgCOMg(OH)MgO、Al2O33H2O、γAl2OαAl2O3。從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較 好?請說明原因。復(fù) 習(xí) 提 綱 1. 廣義固相反應(yīng)的共同特點;固相反應(yīng)機(jī)理;固相界面上的化學(xué)反應(yīng)的三個過程。 2. 固相反應(yīng)的一般動力學(xué)關(guān)系及其意義;解釋化學(xué)動力學(xué)范圍;解釋擴(kuò)散動力學(xué)范圍的特點,擴(kuò)散動力學(xué)范圍的三個動力學(xué)方程的表達(dá)式、各自所采用的模 型極其適用范圍、有何優(yōu)缺點。 3. 分析影響固相反應(yīng)的因素。燒結(jié)   1.燒結(jié)推動力是什么? 它可憑哪些方式推動物質(zhì)的遷移,各適用于何種燒結(jié)機(jī)理?   2.燒結(jié)過程是怎樣產(chǎn)生的,各階段的特征是什么?    3.下列過程中哪一個能使燒結(jié)體強(qiáng)度增大,而不產(chǎn)生坯體宏觀上的收縮? 試說明之?! ?    (a) 蒸發(fā)冷凝; (b) 體積擴(kuò)散; (c) 粘性流動; (d) 表面擴(kuò)散; (e) 溶解沉淀   4.某氧化物粉末的表面能是1000erg/cm2,燒結(jié)后晶界能是550erg/cm2今用粒徑為1μm的粉料(假定為立方體)壓成1cm3的壓塊進(jìn)行燒結(jié),試計算燒結(jié)時的推動力?! ?5.試就 (a) 推動力來源; (b) 推動力大??; (c) 在陶瓷系統(tǒng)的重要性來區(qū)別初次再結(jié)晶,晶粒長大和二次再全結(jié)晶?! ?6.有人試圖用延長燒結(jié)時間來提高產(chǎn)品致密度,你以為此法是否可行,為什么了?   7.假如直徑為5μm的氣封閉在表而張力為280達(dá)因/厘米的玻璃內(nèi),當(dāng)氣體壓力與表面張力產(chǎn)生的負(fù)壓平衡時,氣孔尺寸是多少?    8. 在1500℃,MgO正常的晶粒長大期間.觀察到晶體在1小時內(nèi)從直徑從1μm長大到10μm ,在此條件下,要得到直徑20μm的晶粒,需燒結(jié)多長時間? 如已知晶界擴(kuò)散活化能為60KCal/mol,試計算在1600℃下4小時后晶粒的大小,為抑制晶粒長大,加入少量雜質(zhì),在1600℃下保溫4小時,晶粒大小又是多少?    9.假定NiCr2O4 的表面能為600erg/cm2,由半徑 的NiO和Cr2O3粉末合成尖晶石。在1200℃和1400℃時Ni2+和Cr3+離子的擴(kuò)散系數(shù)分別為:Ni2+在 NiO中D1473=11011;D1673=31010cm2/s ;Cr3+在Cr2O3中D1473 =71011;D1673=1010cm2/s ,求在1200℃和1400℃燒結(jié)時,開始1秒的線收縮率是多少?(假定擴(kuò)散粒子的半徑為 ?)    10.材料的許多性能如強(qiáng)度、光學(xué)性能等要求其晶粒尺寸微小且分布均勻,工藝上應(yīng)如何控制燒結(jié)過程以達(dá)到此目的?   11.試分析二次再結(jié)晶過程對材料性能有何種效應(yīng)?    12.特種燒結(jié)和常規(guī)燒結(jié)有什么區(qū)別? 試舉例說明。   13.(a) 燒結(jié)MgO時加入少量FeO,在氫氣氛和氧分壓低時都不能促進(jìn)燒結(jié),只有在氧分壓高的氣氛下才促進(jìn)燒結(jié);  (b) 燒結(jié)Al2O3時,氫氣易促進(jìn)致密化而氮氣妨礙致密化。試分析其原因。    14.某磁性氧化物材料被認(rèn)為是遵循正常晶粒長大方程。當(dāng)顆粒尺寸增大超出1μm的平均尺寸時,則磁性和強(qiáng)度等性質(zhì)就變壞, 。燒結(jié)30分鐘使晶粒尺寸長大為原來的3倍。因大坯件翹曲,生產(chǎn)車間主任打算增加燒結(jié)時間。你想推薦的最長時間是多少?腐蝕與防護(hù)1. 名詞解釋及符號意義    全面腐蝕 局部腐蝕 點腐蝕 晶間腐蝕 應(yīng)力腐蝕 腐蝕疲勞 渦流腐蝕 縫隙腐蝕 KISCC da/dt  2. 以不銹鋼在充氣的NaCl溶液中孔腐蝕為例,簡述小孔腐蝕的機(jī)理?! ?. 為提高18Cr9Ni不銹鋼的抗點蝕性能,可在鋼中加入哪些元素?   4. 應(yīng)力腐蝕裂紋擴(kuò)展速率da/dt與KI值之間的關(guān)系如圖 所示,試指出曲線上的兩個端點各代表材料的什么特征值?并根據(jù)此圖說明裂紋擴(kuò)展速率da/dt與KI值的關(guān)系。  5. 影響晶間腐蝕的因素有哪些?  6. 簡述應(yīng)力腐蝕的機(jī)理及減少應(yīng)力腐蝕的措施?! ?. 試述硅酸鹽材料的腐蝕機(jī)理及影響腐蝕的因素。   8. 玻璃的腐蝕有哪幾種形式?簡要說明之。   9. 混凝土的腐蝕有哪幾種形式?簡要說明之。   ?! ?有何主要表現(xiàn)?  ?其特點是什么?物理老化對性能有何影響?疲勞與斷裂1 解釋下列概念    疲勞 低溫疲勞 熱疲勞 韌 脆轉(zhuǎn)化溫度 氫致斷裂 疲勞強(qiáng)度 蠕變強(qiáng)度  2 試述疲勞失效的特點。   3 分析材料高溫下的失效方式?! ? 簡述氫脆的類型。   5 試述氫致開裂機(jī)理。參考答案緒論此試題尚無答案晶體結(jié)構(gòu)略。解:(1)h:k:l=1/2:1/3:1/6=3:2:1,∴該晶面的米勒指數(shù)為(321);(2)(321)略。略。解:MgO為NaCl型,O2做密堆積,Mg2+填充空隙。rO2 =,rMg2+=,z=4,晶胞中質(zhì)點體積:(4/3πr O23+4/3πrMg2+ 3)4,a=2(r++r),晶胞體積=a3,堆積系數(shù)=晶胞中MgO體積/晶胞體積=%,密度=晶胞中MgO質(zhì)量/晶胞體積=。解:體心:原子數(shù) 2,配位數(shù) 8,堆積密度 %;      面心:原子數(shù) 4,配位數(shù) 6,堆積密度 %;      六方:原子數(shù) 6,配位數(shù) 6,堆積密度 %。解:u=z1z2e2N0A/r0(11/n)/4πε0,e=1019,ε0=1012,N0=1023,NaCl:z1=1,z2=1,A=,nNa+=7,nCl=9,n=8,r0=,u NaCl=752KJ/mol;MgO:z1=2,z2=2,A=,nO2=7,nMg2+=,n=7,r0=,uMgO=392KJ/mol;∵uMgO uNaCl,∴MgO的熔點高。略。解:設(shè)球半徑為a,則球的體積為4/3πa3,求的z=4,則球的總體積(晶胞)44/3πa3,立方體晶胞體積:(2a)3=16a3,空間利用率=球所占體積/空間體積=%,空隙率=%=%。解:ρ=m/V晶=,V=1022。1解:Si4+4;K+12;Al3+6;Mg2+6。1略。1解:MgS中a=?,陰離子相互接觸,a=2r,∴rS2=?;CaS中a=?,陰陽離子相互接觸,a=2(r++r),∴rCa 2+=?;CaO中a=?, a=2(r++r),∴rO2=?;MgO中a=?, a=2(r++r),∴rMg2+=?。1解:LiF為NaCl型結(jié)構(gòu),z=4,V=a3,ρ=m/V=,a=?,根據(jù)離子半徑a1=2(r++r)=?,aa1。1解:(1)如圖是一個四面體空隙,O為四面體中心位置。AO=r++r,BC=2r,CE=r,CG=2/3CE=2r/3,AG=2r/3,△OGC∽△EFC,OG/CG=EF/CF,OG=EF/CFCG=r/6,AO=AGOG=r/2,r+=AOr =(/21)r=?,查表知rLi+=? ?,∴O2不能互相接觸?!     。?)體對角線=a=4(r++r),a=?;(3)ρ=m/V=1略。1解:rMg2+與rCa2+不同,rCa2+ rMg2+,使CaO結(jié)構(gòu)較MgO疏松,H2O易于進(jìn)入,所以活潑。18.19.?。?)略;  (2)四面體空隙數(shù)/O2數(shù)=2:1,八面體空隙數(shù)/O2數(shù)=1:1;  (3)(a)CN=4,z+/48=2,z+=1,Na2O,Li2O;(b)CN=6,z+/66=2,z+=2,F(xiàn)eO,MnO;(c)CN=4,z+/44=2,z+=4,ZnS,SiC;(d)CN=6,z+/63=2,z+=4,MnO2。2解:島狀;架狀;單鏈;層狀(復(fù)網(wǎng));組群(雙四面體)。2解:(1)有兩種配位多面體,[SiO4],[MgO6],同層的[MgO6]八面體共棱,如59[MgO6]和49[MgO6]共棱75O2和27O2,不同層的[MgO6]八面體共頂,如1[MgO6]和51[MgO6]共頂是22O2,同層的[MgO6]與[SiO4]共頂,如T[MgO6]和7[SiO4]共頂22O2,不同層的[MgO6]與[SiO4]共棱,T[MgO6]和43[SiO4]共28O2和28O2;(3)z=4;(4)Si4+占四面體空隙=1/8,Mg2+占八面體空隙=1/2。2解:透閃石雙鏈結(jié)構(gòu),鏈內(nèi)的SiO鍵要比鏈5的CaO、MgO鍵強(qiáng)很多,所以很容易沿鏈間結(jié)合力較弱處劈裂成為纖維狀;滑石復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu),復(fù)網(wǎng)層由兩個[SiO4]層和中間的水鎂石層結(jié)構(gòu)構(gòu)成,復(fù)網(wǎng)層與復(fù)網(wǎng)層之間靠教弱的分之間作用力聯(lián)系,因分子間力弱,所以易沿分子間力聯(lián)系處解理成片狀。2解:石墨中同層C原子進(jìn)行SP2雜化,形成大Π鍵,每一層都是六邊形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。由于間隙較大,電子可在同層中運動,可以導(dǎo)電,層間分子間力作用,所以石墨比較軟。2解:(1)Al3+可與O2形成[AlO4]5;Al3+與Si4+處于第二周期,性質(zhì)類似,易于進(jìn)入硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中與Si4+發(fā)生同晶取代,由于鮑林規(guī)則,只能部分取代;(2)Al3+置換Si4+是部分取代,Al3+取代Si4+時,結(jié)構(gòu)單元[AlSiO4][ASiO5],失去了電中性,有過剩的負(fù)電荷,為了保持電中性,將有一些半徑較大而電荷較低的陽離子如K+、Ca2+、Ba2+進(jìn)入結(jié)構(gòu)中;(3)設(shè)Al3+置換了一半的Si4+,則O2與一個Si4+一個Al3+相連,陽離子靜電鍵強(qiáng)度=3/41+4/41=7/4,O2電荷數(shù)為2,二者相差為1/4,若取代超過一半,二者相差必然1/4,造成結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。晶體結(jié)構(gòu)缺陷解:鈉原子空位;鈉離子空位,帶一個單位負(fù)電荷;氯離子空位,帶一個單位正電荷;最鄰近的Na+空位、Cl空位形成的締合中心;Ca2+,帶一個單位正電荷;Ca原子位于Ca原子位置上;Ca2+處于晶格間隙位置?! 〗猓海?)NaClNaCa’+ ClCl + VCl(2)CaCl2CaNa + 2ClCl + VNa’(3)OVNa’ + VCl(4)AgAgVAg’ + Agi解:設(shè)有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子數(shù)為x,晶胞體積V=()3,x=ρVN0/M=,單位晶胞的肖脫基缺陷數(shù)=4x=。解:(a)根據(jù)熱缺陷濃度公式 n/N=exp(E/2RT),E=6eV=61019=1019J,T=298k:n/N=1051,T=1873k:n/N=109;(b)在MgO中加入百萬分之一的AL2O3,AL2O32ALMg + VMg’’ + 3OO,∵[AL2O3]= 106,∴[雜質(zhì)缺陷]=3106/2=106,∴比較可知,雜質(zhì)缺陷占優(yōu)。解:n/N=exp(E/2RT),R=,T=1000k:n/N=103;T=1500k:n/N=102。解:Fe2O32FeFe + 3OO + VFe’’y2yyFe3+2yFe2+13yO,X=1y==,[VFe’’]===102解:Zn(g)Zni + e’, Zn(g) + 1/2O2 = ZnO , Zni + e’+ 1/2O2 ZnO , [ZnO]=[e’],∴PO2[Zni]ρO2(g) OO + VFe’’ + 2hk=[OO][ VFe’’][h]/PO21/2=4[OO][ VFe’’]3/ PO21/2 , [ VFe’’] ∝PO21/6,∴PO2[ VFe’’]ρ 解:刃位錯:位錯線垂直于位錯線垂直于位錯運動方向;螺位錯:位錯線平行于 位錯線平行于位錯運動方向。略。解:排斥,張應(yīng)力重疊,壓應(yīng)力重疊。1解:晶界對位錯運動起阻礙作用。1解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于無序的狀態(tài),而位錯之間的距離可能只有一、兩個原子的大小,不適用于大角度晶界。1解:(1)原子或離子尺寸的影響,△r15%時,可以形成連續(xù)固溶體;△r=15%~30%時,只能形成有限型固溶體;△r30%很難或不能形成固溶體;△r愈大,固溶度愈??;(2)晶體結(jié)構(gòu)類型的影響,只有兩種結(jié)構(gòu)相同和△r15%時才是形成連續(xù)固溶體的充分必
點擊復(fù)制文檔內(nèi)容
電大資料相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖片鄂ICP備17016276號-1