定時數(shù)據(jù)自動記錄系統(tǒng)設(shè)計畢業(yè)論文(編輯修改稿)
2025-07-15 12:58 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 NYYY讀數(shù)據(jù)存儲數(shù)據(jù) 定時器流程圖主程序及DS18B20的初始化程序如下:MAIN:MOV SP,60H CLR A MOV R1,20H MOV R0,10HCLEAR:MOV @R1,A INC R1 DJNZ R0,CLEAR MOV FLAG,8START:LCALL RESET JNB FLAG1,STARTRESET: SETB DATA_LINE NOP CLR data_line MOV R0,6BH 。主機發(fā)出延時復位低脈沖 MOV R1,04HTSR1: DJNZ R0,$ MOV R0,6BH DJNZ R1,TSR1 SETB data_line 。然后拉高數(shù)據(jù)線 NOP NOP NOP MOV R0,32HTSR2: JNB data_line,TSR3 。等待DS18B20回應(yīng) DJNZ R0,TSR2 JMP TSR4 。 延時TSR3: SETB flag1 。 置標志位,表示DS1820存在 JMP TSR5TSR4: CLR flag1 。 清標志位,表示DS1820不存在 JMP TSR7TSR5: MOV R0,06BHTSR6: DJNZ R0,$ 。 時序要求延時一段時間TSR7: SETB DATA_LINE RET（二）溫度信息的采集通過DS18B20單線總線的所有執(zhí)行處理都從一個初始化序列開始。初始化序列包括一個由總線控制器發(fā)出的復位脈沖和隨后由從機發(fā)出的存在脈沖：復位：首先我們必須對DS18B20芯片進行復位，復位就是由控制器（單片機）給DS18B20單總線至少480uS的低電平信號。當18B20接到此復位信號后則會在15~60uS后回發(fā)一個芯片的存在脈沖。 存在脈沖：在復位電平結(jié)束之后，控制器應(yīng)該將數(shù)據(jù)單總線拉高，以便于在15~60uS后接收存在脈沖，存在脈沖為一個60~240uS的低電平信號。至此，通信雙方已經(jīng)達成了基本的協(xié)議，接下來將會是控制器與18B20間的數(shù)據(jù)通信?？刂破靼l(fā)送ROM指令：雙方打完了招呼之后最要將進行交流了，ROM指令共有5條，每一個工作周期只能發(fā)一條，ROM指令分別是讀ROM數(shù)據(jù)、指定匹配芯片、跳躍ROM、芯片搜索、報警芯片搜索。[8]各自功能如下： Read ROM（讀ROM）[33H] （方括號中的為16進制的命令字）這個命令允許總線控制器讀到DS18B20的64位ROM。只有當總線上只存在一個DS18B20的時候才可以使用此指令。Match ROM（指定匹配芯片）[55H] 這個指令后面緊跟著由控制器發(fā)出了64位序列號，當總線 上有多只DS18B20時，只有與控制發(fā)出的序列號相同的芯片才能做出反應(yīng)，其它芯片將等待下一次復位。這條指令適合單芯片和多芯片掛接。 Skip ROM（跳躍ROM指令）[CCH] 這條指令使芯片不對ROM編碼做出反應(yīng)，在單總線的情況之下，為了節(jié)省時間則可以選用此指令。如果在多芯片掛接時使用此指令將會出現(xiàn)數(shù)據(jù)沖突，導致錯誤出現(xiàn)。 Search ROM（搜索芯片）[F0H] 在芯片初始化后，搜索指令允許總線上掛接多芯片時用排除法識別所有器件的64位ROM。 Alarm Search（報警芯片搜索）[ECH] 在多芯片掛接的情況下，報警芯片搜索指令只對附合溫度高于TH或小于TL報警條件的芯片做出反應(yīng)。只要芯片不掉電，報警狀態(tài)將被保持，直到再一次測得溫度值達不到報警條件為止。 控制器發(fā)送存儲器操作指令：在ROM指令發(fā)送給18B20之后，緊接著（不間斷）就是發(fā)送存儲器操作指令了。操作指令同樣為8位，共6條，存儲器操作指令分別是寫RAM數(shù)據(jù)、讀RAM數(shù)據(jù)、將RAM數(shù)據(jù)復制到EEPROM、溫度轉(zhuǎn)換、將EEPROM中的報警值復制到RAM、工作方式切換。 Write Scratchpad （向RAM中寫數(shù)據(jù)）[4EH]：這是向RAM中寫入數(shù)據(jù)的指令，隨后寫入的兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)將會被存到地址2（報警RAM之TH）和地址3（報警RAM之TL）。寫入過程中可以用復位信號中止寫入。 Read Scratchpad （從RAM中讀數(shù)據(jù)）[BEH]：此指令將從RAM中讀數(shù)據(jù)，讀地址從地址0開始，一直可以讀到地址9，完成整個RAM數(shù)據(jù)的讀出。芯片允許在讀過程中用復位信號中止讀取，即可以不讀后面不需要的字節(jié)以減少讀取時間。 Copy Scratchpad （將RAM數(shù)據(jù)復制到EEPROM中）[48H]：此指令將RAM中的數(shù)據(jù)存入EEPROM中，以使數(shù)據(jù)掉電不丟失。此后由于芯片忙于EEPROM儲存處理，當控制器發(fā)一個讀時間隙時，總線上輸出“0”，當儲存工作完成時，總線將輸出“1”。在寄生工作方式時必須在發(fā)出此指令后立刻超用強上拉并至少保持10MS，來維持芯片工作。 Convert T（溫度轉(zhuǎn)換）[44H]：收到此指令后芯片將進行一次溫度轉(zhuǎn)換，將轉(zhuǎn)換的溫度值放入RAM的第2地址。此后由于芯片忙于溫度轉(zhuǎn)換處理，當控制器發(fā)一個讀時間隙時，總線上輸出“0”，當儲存工作完成時，總線將輸出“1”。在寄生工作方式時必須在發(fā)出此指令后立刻超用強上拉并至少保持500MS，來維持芯片工作。 Recall EEPROM（將EEPROM中的報警值復制到RAM）[B8H]：此指令將EEPROM中的報警值復制到RAM中的第4個字節(jié)里。由于芯片忙于復制處理，當控制器發(fā)一個讀時間隙時，總線上輸出“0”，當儲存工作完成時，總線將輸出“1”。另外，此指令將在芯片上電復位時將被自動執(zhí)行。這樣RAM中的兩個報警字節(jié)位將始終為EEPROM中數(shù)據(jù)的鏡像。 Read Power Supply（工作方式切換）[B4H]：此指令發(fā)出后發(fā)出讀時間隙，芯片會返回它的電源狀態(tài)字，“0”為寄生電源狀態(tài)，“1”為外部電源狀態(tài)。 執(zhí)行或數(shù)據(jù)讀寫：一個存儲器操作指令結(jié)束后則將進行指令執(zhí)行或數(shù)據(jù)的讀寫，這個操作要視存儲器操作指令而定。DS18B20需要嚴格的協(xié)議以確保數(shù)據(jù)的完整性。協(xié)議包括幾種單線信號類型：復位脈沖、存在脈沖、寫0、寫1 、讀0和讀1。所有這些信號，除存在脈沖外，都是由總線控制器發(fā)出的。和DS18B20間的任何通訊都需要以初始化序列開始。一個復位脈沖跟著一個存在脈沖表明DS18B20已經(jīng)準備好發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。DS18B20的復位時序 圖42 DS18B20的復位時序圖DS18B20的讀時序?qū)τ贒S18B20的讀時序分為讀0時序和讀1時序兩個過程。對于DS18B20的讀時隙是從主機把單總線拉低之后，在15us之內(nèi)就得釋放單總線，以讓DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。DS18B20在完成一個讀時序過程，至少需要60us才能完成。 圖43 DS18B20的讀時序圖 DS18B20的寫時序：對于DS18B20的寫時序仍然分為寫0時序和寫1時序兩個過程。對于DS18B20寫0時序和寫1時序的要求不同，當要寫0時序時，單總線要被拉低至少60us，保證DS18B20能夠在15us到45us之間能夠正確地采樣IO總線上的“0”電平，當要寫1時序時，單總線被拉低之后，在15us之內(nèi)就得釋放單總線。 圖44 DS18B20的寫時序圖DS18B20初始化程序上一部分已提到,其采集程序詳見附錄（三）溫度數(shù)據(jù)的LED顯示在檢查到按鍵按下后，驅(qū)動LED將存儲的溫度數(shù)據(jù)依次顯示數(shù)碼管顯示子程序DISPLAY:MOV A, 29HMOV B,10DIV ABMOV B_BIT, A 。MOV A_BIT, B 。MOV DPTR,TABLE 。MOV R5, 4DP1:MOV R1, 250 。LOOP1:MOV A, A_BIT 。MOVC A,
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1