計(jì)算機(jī)組成原理試卷(編輯修改稿)
2025-07-04 22:16 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 B：系統(tǒng)總線4 外設(shè)的編址方式通常有（A）和（B）。答案：A統(tǒng)一編址 B 獨(dú)立編址4機(jī)器字長(zhǎng)是指(A )。通常與CPU的寄存器的位數(shù)有關(guān)，字長(zhǎng)越長(zhǎng)，數(shù)的表示范圍(B )，精度也越高。機(jī)器字長(zhǎng)也會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)算速度。答案：A：CPU一次能處理的數(shù)據(jù)的位數(shù)B：越大4 同步通信：指由統(tǒng)一時(shí)鐘控制的通信，控制方式簡(jiǎn)單，靈活性差，當(dāng)系統(tǒng)中各部件工作速度差異較大時(shí)，總線工作效率明顯下降。適合于(A)的場(chǎng)合。異步通信：指(B)的通信，部件間采用應(yīng)答方式進(jìn)行聯(lián)系，控制方式較同步復(fù)雜，靈活性高，當(dāng)系統(tǒng)中各部件工作速度差異較大時(shí)，有利于提高總線工作效率。答案：A：速度差別不大B：沒(méi)有統(tǒng)一時(shí)鐘控制50、 一片容量為32k８的SRAM存儲(chǔ)器芯片，地址線有 條，地址范圍從000016到 答案：157FFFH5 形成指令尋址的方式，稱為指令尋址方式。答案：5 主存：主存儲(chǔ)器，用于存放(A)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫(xiě)，訪問(wèn)速度較高。輔存：輔助存儲(chǔ)器，用于存放(B)，以及一些需要永久保存的信息。答案：A：當(dāng)前正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)B：暫時(shí)不用的程序和數(shù)據(jù)5 Cache的命中率與程序的行為、（A）、組織方式、（B）有關(guān)。答案： B. 塊的大小5 一位十進(jìn)制數(shù)， 。答案：5 尋址方式按操作數(shù)的物理位置不同，前者比后者執(zhí)行速度快。答案：5 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)由(A)系統(tǒng)和軟件系統(tǒng)構(gòu)成，主機(jī)由(B)與控制器、存儲(chǔ)器構(gòu)成。答案：A 硬件B 運(yùn)算器5 PC：Program Counter，程序計(jì)數(shù)器，其功能是(A )，并可自動(dòng)計(jì)數(shù)形成下一條指令地址。答案：A：存放當(dāng)前指令或下一條指令的地址5 二進(jìn)制數(shù)－1011的原碼是(A)，補(bǔ)碼是(B) 。答案：A:11011B: 101015 在輸入輸出系統(tǒng)中，軟件控制方式包括A＿＿＿＿＿方式和B＿＿＿＿＿＿＿＿方式。答案：A 程序查詢B 中斷60、 控制器的設(shè)計(jì)方法有兩種，一種是（A），另一種是（B）。答案：A組合邏輯設(shè)計(jì) B微程序設(shè)計(jì)四、名詞解釋(解釋下列名詞,縮寫(xiě)應(yīng)先寫(xiě)(譯)出全文再解釋)6 軟件答案：由程序構(gòu)成的系統(tǒng)，分為系統(tǒng)軟件和應(yīng)用軟件兩種。6 指令周期答案： 從一條指令的啟動(dòng)到下一條指令的啟動(dòng)的間隔時(shí)間。6 小數(shù)端答案： 高位數(shù)據(jù)和低位數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)次序，將多字?jǐn)?shù)據(jù)的最低字節(jié)存儲(chǔ)在最小地址位置。6 RISC答案：精簡(jiǎn)指令系統(tǒng)計(jì)算機(jī)6 尋址方式答案： 對(duì)指令的地址碼進(jìn)行編碼，以形成操作數(shù)在存儲(chǔ)器中的地址的方式。五、簡(jiǎn)答題()6 比較靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理和特點(diǎn)。答案：SRAM也稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特點(diǎn)是工作速度快，只要電源不撤除，寫(xiě)入SRAM的信息就不會(huì)消失，不需要刷新電路，同時(shí)在讀出時(shí)不破壞原來(lái)存放的信息，一經(jīng)寫(xiě)入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來(lái)作為計(jì)算機(jī)中的高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)。 DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)其襯底間的分布電容來(lái)保存信息，以存儲(chǔ)電荷的多少，即電容端電壓的高低來(lái)表示“1”和“0”。DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元所需的場(chǎng)效應(yīng)管較少，常見(jiàn)的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__場(chǎng)效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會(huì)逐漸消失，一般信息
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