freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

計(jì)算機(jī)組成原理試卷(編輯修改稿)

2025-07-04 22:16 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 B:系統(tǒng)總線4 外設(shè)的編址方式通常有(A)和(B)。答案:A統(tǒng)一編址 B 獨(dú)立編址4機(jī)器字長是指(A )。通常與CPU的寄存器的位數(shù)有關(guān),字長越長,數(shù)的表示范圍(B ),精度也越高。機(jī)器字長也會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)算速度。答案:A:CPU一次能處理的數(shù)據(jù)的位數(shù)B:越大4 同步通信:指由統(tǒng)一時(shí)鐘控制的通信,控制方式簡單,靈活性差,當(dāng)系統(tǒng)中各部件工作速度差異較大時(shí),總線工作效率明顯下降。適合于(A)的場合。異步通信:指(B)的通信,部件間采用應(yīng)答方式進(jìn)行聯(lián)系,控制方式較同步復(fù)雜,靈活性高,當(dāng)系統(tǒng)中各部件工作速度差異較大時(shí),有利于提高總線工作效率。答案:A:速度差別不大B:沒有統(tǒng)一時(shí)鐘控制50、 一片容量為32k8的SRAM存儲(chǔ)器芯片,地址線有 條,地址范圍從000016到 答案:157FFFH5 形成指令尋址的方式,稱為指令尋址方式。答案:5 主存:主存儲(chǔ)器,用于存放(A)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫,訪問速度較高。輔存:輔助存儲(chǔ)器,用于存放(B),以及一些需要永久保存的信息。答案:A:當(dāng)前正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)B:暫時(shí)不用的程序和數(shù)據(jù)5 Cache的命中率與程序的行為、(A)、組織方式、(B)有關(guān)。答案: B. 塊的大小5 一位十進(jìn)制數(shù), 。答案:5 尋址方式按操作數(shù)的物理位置不同,前者比后者執(zhí)行速度快。答案:5 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)由(A)系統(tǒng)和軟件系統(tǒng)構(gòu)成,主機(jī)由(B)與控制器、存儲(chǔ)器構(gòu)成。答案:A 硬件B 運(yùn)算器5 PC:Program Counter,程序計(jì)數(shù)器,其功能是(A ),并可自動(dòng)計(jì)數(shù)形成下一條指令地址。答案:A:存放當(dāng)前指令或下一條指令的地址5 二進(jìn)制數(shù)-1011的原碼是(A),補(bǔ)碼是(B) 。答案:A:11011B: 101015 在輸入輸出系統(tǒng)中,軟件控制方式包括A_____方式和B________方式。答案:A 程序查詢B 中斷60、 控制器的設(shè)計(jì)方法有兩種,一種是(A),另一種是(B)。答案:A組合邏輯設(shè)計(jì) B微程序設(shè)計(jì)四、名詞解釋(解釋下列名詞,縮寫應(yīng)先寫(譯)出全文再解釋)6 軟件答案:由程序構(gòu)成的系統(tǒng),分為系統(tǒng)軟件和應(yīng)用軟件兩種。6 指令周期答案: 從一條指令的啟動(dòng)到下一條指令的啟動(dòng)的間隔時(shí)間。6 小數(shù)端答案: 高位數(shù)據(jù)和低位數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)次序,將多字?jǐn)?shù)據(jù)的最低字節(jié)存儲(chǔ)在最小地址位置。6 RISC答案:精簡指令系統(tǒng)計(jì)算機(jī)6 尋址方式答案: 對指令的地址碼進(jìn)行編碼,以形成操作數(shù)在存儲(chǔ)器中的地址的方式。五、簡答題()6 比較靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理和特點(diǎn)。答案:SRAM也稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,其特點(diǎn)是工作速度快,只要電源不撤除,寫入SRAM的信息就不會(huì)消失,不需要刷新電路,同時(shí)在讀出時(shí)不破壞原來存放的信息,一經(jīng)寫入可多次讀出,但集成度較低,功耗較大。SRAM一般用來作為計(jì)算機(jī)中的高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)。 DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory),它是利用場效應(yīng)管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息,以存儲(chǔ)電荷的多少,即電容端電壓的高低來表示“1”和“0”。DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元所需的場效應(yīng)管較少,常見的有4管,3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高,功耗也較低,但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__場效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會(huì)逐漸消失,一般信息
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
教學(xué)教案相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖片鄂ICP備17016276號-1