【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ）。A．變間隙式 B．變面積式C．變介電常數(shù)式 D．空氣介質(zhì)變間隙式電容式傳感器通常用來測(cè)量（D ）。A．交流電流 B．電場(chǎng)強(qiáng)度 C．重量 D．位移下列不屬于電容式傳感器測(cè)量電路的是（ D ）A．調(diào)頻測(cè)量電路 B．運(yùn)算放大器電路C．脈沖寬度調(diào)制電路 D．相敏檢波電路電容式傳感器做成差動(dòng)結(jié)構(gòu)后，靈敏度提高了（ A ）倍A．1 B．2 C．3 D．0二、填空題電容式傳感器利用了將非電量的變化轉(zhuǎn)換為 電容量 的變化來實(shí)現(xiàn)對(duì)物理量的測(cè)量。 電容式傳感器根據(jù)其工作原理的不同可分為 變極距型 電容式傳感器、 變面積型 電容式傳感器和 變介質(zhì)型 電容式傳感器。變極距型電容式傳感器的靈敏度是指單位距離改變引起的 電容相對(duì)變化量 。變極距型電容式傳感器單位輸入位移所引起的靈敏度與兩極板初始間距成 反比 關(guān)系。電容式傳感器中，變介電常數(shù)式多用于 液位 的測(cè)量；電容式傳感器中，變面積式常用于較大的 位移量 的測(cè)量。變間距電容傳感器的靈敏度與　 電容極板初始距離 成反比，所以適合于微小位移的測(cè)量。變面積式電容傳感器的靈敏度與 位移量 成正比，所以不適合微小位移的測(cè)量。電容式傳感器的靈敏度是指單位距離改變引起的 電容相對(duì)變化量 。電容式傳感器利用了將 非電量 的變化轉(zhuǎn)化為 電容量 的變化來實(shí)現(xiàn)對(duì)物理量的測(cè)量。電容傳感器的輸入被測(cè)量與輸出被測(cè)量間的關(guān)系，除 ② （①變面積型，②變極距型， ③變介電常數(shù)型）外是線性的。電容式傳感器將非電量變化轉(zhuǎn)換為 電容量 的變化來實(shí)現(xiàn)對(duì)物理量的測(cè)量，廣泛應(yīng)用與 位移 、 振動(dòng) 、角度、 加速度 等機(jī)械量的精密測(cè)量。1移動(dòng)電容式傳感器動(dòng)極板，導(dǎo)致兩極板有效覆蓋面積A發(fā)生變化時(shí)，將導(dǎo)致電容量變化，傳感器電容改變量 與動(dòng)極板水平位移成 線性 關(guān)系、與動(dòng)極板角位移成 線性 關(guān)系。 1忽略邊緣效應(yīng)，變面積型電容式傳感器輸入量與輸出量的關(guān)系為 線性 （線性、非線性），變介質(zhì)型電容式傳感器輸入量與輸出量的關(guān)系為 線性 （線性、非線性），變極距型電容式傳感器輸入量與輸出量的關(guān)系為 非線性 （線性、非線性）。1變極距型電容傳感器做成差動(dòng)結(jié)構(gòu)后，靈敏度提高了 1 倍，而非線性誤差轉(zhuǎn)化為 平方 關(guān)系而得以大大降低。第六章 壓電式傳感器一、單項(xiàng)選擇題對(duì)石英晶體，下列說法正確的是（ A ）。A. 沿光軸方向施加作用力，不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，也沒有電荷產(chǎn)生。B. 沿光軸方向施加作用力，不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，但會(huì)有電荷產(chǎn)生。C. 沿光軸方向施加作用力，會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，但沒有電荷產(chǎn)生。D. 沿光軸方向施加作用力，會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，也會(huì)有電荷產(chǎn)生。石英晶體和壓電陶瓷的壓電效應(yīng)對(duì)比正確的是（ B ）A. 壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性也比石英晶體好B. 壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性不如石英晶體好C. 石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性也比壓電陶瓷好D. 石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性不如壓電陶瓷好兩個(gè)壓電元件相并聯(lián)與單片時(shí)相比說法正確的是（ D ） A. 并聯(lián)時(shí)輸出電壓不變，輸出電容是單片時(shí)的一半B. 并聯(lián)時(shí)輸出電壓不變，電荷量增加了2倍C. 并聯(lián)時(shí)電荷量增加了2倍，輸出電容為單片時(shí)2倍D. 并聯(lián)時(shí)電荷量增加了一倍，輸出電容為單片時(shí)的2倍兩個(gè)壓電元件相串聯(lián)與單片時(shí)相比說法正確的是（ B ）A. 串聯(lián)時(shí)輸出電壓不變，電荷量與單片時(shí)相同B. 串聯(lián)時(shí)輸出電壓增大一倍，電荷量與單片時(shí)相同C. 串聯(lián)時(shí)電荷量增大一倍，電容量不變D. 串聯(lián)時(shí)電荷量增大一倍，電容量為單片時(shí)的一半壓電陶瓷傳感器與壓電石英晶體傳感器的比較是（　A ）。A．前者比后者靈敏度高 B．后者比前者靈敏度高C．前者比后者性能穩(wěn)定性好 D．前者機(jī)械強(qiáng)度比后者的好壓電石英晶體表面上產(chǎn)生的電荷密度與（ C ）。A．晶體厚度成反比 B．晶體面積成正比C．作用在晶片上的壓力成正比 D．剩余極化強(qiáng)調(diào)成正比壓電式傳感器目前多用于測(cè)量（ B ）。A．靜態(tài)的力或壓力 B．動(dòng)態(tài)的力或壓力C．位移 D．溫度壓電式加速度傳感器是適合測(cè)量下列哪種信號(hào)（ D ）。A. 適于測(cè)量任意 B. 適于測(cè)量直流 C. 適于測(cè)量緩變 D. 適于測(cè)量動(dòng)態(tài)石英晶體在沿機(jī)械軸y方向的力作用下會(huì)（ B ）。A．產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng) B. 產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)C．不產(chǎn)生壓電效應(yīng) D. 產(chǎn)生逆向壓電效應(yīng)在運(yùn)算放大器放大倍數(shù)很大時(shí)，壓電傳感器輸入電路中的電荷放大器的輸出電壓與（ A ）成正比。A．輸入電荷 C．電纜電容 1石英晶體在沿電軸X方向的力作用下會(huì)（ D ）A. 不產(chǎn)生壓電效應(yīng) B. 產(chǎn)生逆向壓電效應(yīng) C. 產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng) D．產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)1關(guān)于壓電式傳感器中壓電元件的連接，以下說法正確的是（ A ）A．與單片相比，并聯(lián)時(shí)電荷量增加1倍、電容量增加1倍、輸出電壓不變 B. 與單片相比，串聯(lián)時(shí)電荷量增加1倍、電容量增加1倍、輸出電壓增大1倍C．與單片相比，并聯(lián)時(shí)電荷量不變、電容量減半、輸出電壓增大1倍 D. 與單片相比，串聯(lián)時(shí)電荷量不變、電容量減半、輸出電壓不變二、填空題壓電式傳感器是以某些介質(zhì)的 壓電效應(yīng) 作為工作基礎(chǔ)的。將電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械能的壓電效應(yīng)稱為 逆壓電效應(yīng) 。石英晶體沿 Z軸/光軸 方向施加作用力不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，沒有點(diǎn)電荷產(chǎn)生。壓電陶瓷需要有 外電場(chǎng) 和 壓力 的共同作用才會(huì)具有壓電效應(yīng)。壓電式傳感器可等效為一個(gè) 電荷源Q 和一個(gè) 電容器C 并聯(lián)，也可等效為一個(gè)與 電容 相串聯(lián)的電壓源。壓電式傳感器是一種典型的 有源 傳感器（或發(fā)電型傳感器），其以某些電介質(zhì)的 壓電效應(yīng) 為基礎(chǔ)，來實(shí)現(xiàn)非電量電測(cè)的目的。壓電式傳感器的工作原理是基于某些 壓電 材料的壓電效應(yīng)。用石英晶體制作的壓電式傳感器中，晶面上產(chǎn)生的 電荷量 與作用在晶面上的壓強(qiáng)成正比，而與晶片 幾何尺寸 和面積無關(guān)。沿著壓電陶瓷極化方向加力時(shí)，其 晶粒的極化方向 發(fā)生變化，引起垂直于極化方向的平面上 壓電特性 的變化而產(chǎn)生壓電效應(yīng)。壓電式傳感器具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，但不能測(cè)量隨時(shí)間緩慢變化 的被測(cè)量。特別是不能測(cè)量 靜態(tài)量 。1壓電式傳感器使用 電荷 放大器時(shí)，輸出電壓幾乎不受聯(lián)接電纜長(zhǎng)度變化的影響。1壓電式傳感器在使用電壓前置放大器時(shí)，連接電纜長(zhǎng)度會(huì)影響系統(tǒng) 輸出電壓 ；而使用電荷放大器時(shí)，其輸出電壓與傳感器的 壓電系數(shù) 成正比。1壓電式傳感器的輸出須先經(jīng)過前置放大器處理，此放大電路有 電荷放大器 和 電壓放大器 兩種形式。1某些電介質(zhì)當(dāng)沿一定方向?qū)ζ涫┝Χ冃螘r(shí)內(nèi)部產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時(shí)在它的表面產(chǎn)生符號(hào)相反的電荷，當(dāng)外力去掉后又恢復(fù)不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為 正壓電 效應(yīng)；在介質(zhì)極化方向施加電場(chǎng)時(shí)電介質(zhì)會(huì)產(chǎn)生形變，這種效應(yīng)又稱 逆壓電 效應(yīng)。1石英晶體的X軸稱為 電軸 _，垂直于X軸的平面上 壓電效應(yīng) 最強(qiáng)；Y軸稱為 機(jī)械軸 ，沿Y軸的 機(jī)械變形 最明顯；Z軸稱為光軸或中性軸，Z軸方向上無壓電效應(yīng)。1壓電效應(yīng)將 機(jī)械能 轉(zhuǎn)變?yōu)? 電能 ，逆壓電效應(yīng)將 電能 轉(zhuǎn)化為 機(jī)械能 。1壓電材料的主要特性參 壓電系數(shù) 、 彈性系數(shù) 、 介電常數(shù) 、 居里點(diǎn)溫度 、 機(jī)電耦合系數(shù) 及 電阻 。（任選4個(gè)做填空。） 第七章 磁敏式傳感器一、單項(xiàng)選擇題制造霍爾元件的半導(dǎo)體材料中，目前用的較多的是鍺、銻化銦、砷化銦，其原因是這些（ D ）。 A．半導(dǎo)體材料的霍爾常數(shù)比金屬的大 B．半導(dǎo)體中電子遷移率比空穴高 C．半導(dǎo)體材料的電子遷移率比較大 D．N型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件磁電式傳感器測(cè)量電路中引入積分電路是為了測(cè)量（ A ）。 A．位移 　　　　　B．速度 C．加速度 D．光強(qiáng)磁電式傳感器測(cè)量電路中引入微分電路是為了測(cè)量（ C ） A．位移 　　　　　B．速度 C．加速度 D．光強(qiáng)霍爾電勢(shì)與（ D ）成反比 A．激勵(lì)電流 B．磁感應(yīng)強(qiáng)度 C．霍爾器件寬度 D．霍爾器件長(zhǎng)度霍爾元件不等位電勢(shì)產(chǎn)生的主要原因不包括（ C ） A．霍爾電極安裝位置不對(duì)稱或不在同一等電位上 B．半導(dǎo)體材料不均勻造成電阻率不均勻或幾何尺寸不均勻 C．周圍環(huán)境溫度變化 D．激勵(lì)電極接觸不良造成激勵(lì)電流不均勻分配二、填空題通過 磁電作用