【總結】一、填空題:(每空3分,共15分)1.邏輯函數(shù)有四種表示方法,它們分別是()、()、()和()。2.將2004個“1”異或起來得到的結果是()。3.由555定時器構成的三種電路中,()和()是脈沖的整形電路。4.TTL器件輸入腳懸空相當于輸入()電平。5
2025-06-22 14:40
【總結】第六章時序邏輯電路教學內(nèi)容§概述§時序邏輯電路的分析方法§若干常用的時序邏輯電路§時序邏輯電路的設計方法教學要求一.重點掌握的內(nèi)容:(1)時序邏輯電路的概念及電路結構特點;(2)同步時序電路的一般分析方
2025-05-13 17:32
【總結】TTL邏輯門BJT的開關特性基本BJT反相器的動態(tài)特性TTL反相器的基本電路TTL邏輯門電路集電極開路門和三態(tài)門BiMOS門電路一.二極管的開關特性二極管符號:正極負極+uD-二極管的伏安特性:IF0.50.7iD(mA
2025-04-29 08:28
【總結】《數(shù)字電子技術基礎》第五版《數(shù)字電子技術基礎》(第五版)教學課件清華大學閻石王紅聯(lián)系地址:清華大學自動化系郵政編碼:100084電子信箱:聯(lián)系電話:(010)62792973《數(shù)字電子技術基礎》第五版第八章可編程邏輯器件《數(shù)字電子技術基礎》第五版第八章
2025-01-01 16:00
【總結】第3章門電路概述分立元件門電路TTL門電路CMOS門電路概述?門電路是用以實現(xiàn)邏輯關系的電子電路。?常用門電路:與門、或門、非門、與非門、或非門、與或非門、異或門等二極管門電路三極管門電路TTL門電路MOS門電路PMOS門CMOS門邏輯門電路
2025-04-29 08:22
【總結】目錄目錄...............................................................................................................................................1第1章 緒論.....................
2025-06-18 13:41
【總結】電力電子技術第五版課后習題答案第二章電力電子器件2.使晶閘管導通的條件是什么?答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。3.維持晶閘管導通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷?答:維持晶閘管導通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導通
2025-06-24 00:21
【總結】《數(shù)字電子技術基礎》第五版《數(shù)字電子技術基礎》(第五版)教學課件清華大學閻石王紅聯(lián)系地址:清華大學自動化系郵政編碼:100084電子信箱:聯(lián)系電話:(010)62792973《數(shù)字電子技術基礎》第五版第五章觸發(fā)器《數(shù)字電子技術基礎》第五版
2025-07-17 21:47
【總結】解:正弦波電壓表達式為,由于,于是得(1)(2)(3)(4)解:(1)方波信號在電阻上的耗散功率(2)可知直流分量、基波分量、三次諧波分量分別為、、,所以他們在電阻上的耗散功率為直流分量:基波分量:三次諧波分量:(3)三個分量占電阻上總耗散功率的百分比:前三者之和為:所占百分比:解:由圖可知,,所
2025-08-10 20:20
【總結】目錄83/83第1章第2章第3章第4章第5章第6章第7章第8章電力電子器件·············&
2025-06-23 20:09
【總結】目錄目錄...............................................................................................................................................1第1章緒論..............
2025-10-22 09:50
【總結】電力電子技術第五版課后習題答案第二章電力電子器件2.使晶閘管導通的條件是什么?答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)。或:uAK0且uGK0。3.維持晶閘管導通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷?答:維持晶閘管導通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導通
【總結】電力電子技術第五版答案僅供參考學習2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結構特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導體材料即本征半導體,由于摻雜濃度低,低摻雜
2025-10-20 07:30
【總結】....第一組:計算題一、(本題20分)試寫出圖示邏輯電路的邏輯表達式,并化為最簡與或式。解:二、(本題25分)時序邏輯電路如圖所示,已知初始狀態(tài)Q1Q0=00。(1)試寫出各觸發(fā)器的驅動方程
2025-06-20 00:35
【總結】《電子技術基礎》模擬部分(第六版)華中科技大學張林2華中科技大學張林電子技術基礎模擬部分1緒論2運算放大器3二極管及其基本電路4場效應三極管及其放大電路5雙極結型三極管及其放大電路6頻率響應7模擬集成電路8反饋放大電路9功
2025-08-15 23:04