【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價(jià)元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-07 02:14
【總結(jié)】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-14 07:58
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其基本放大電路第五章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用第六章負(fù)反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-05-01 06:11
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第四版)華中理工大學(xué)康華光主編制作:安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通,VAO=-6VB:D截止,VAO=-12VC:D1導(dǎo)通,D2截止,VAO=0VD:D1截止,D2導(dǎo)通,VAO=-6V習(xí)題習(xí)題解題的原則:先
2025-01-02 09:16
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第四版)華中理工大學(xué)康華光主編制作:安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通,VAO=-6VB:D截止,VAO=-12VC:D1導(dǎo)通,D2截止,VAO=0VD:D1截止,D2導(dǎo)通,VAO=-6V
2024-08-31 21:57
【總結(jié)】1《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》各章習(xí)題2第一章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)?/span>
2024-11-01 00:49
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測(cè)得晶體管的各個(gè)電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-06-05 21:32
【總結(jié)】好文檔盡在阿燈免費(fèi)目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章軟開關(guān)技術(shù) 40第8章組合變流電路 42第1章電力電子器件
2025-06-18 13:42
【總結(jié)】....第1章檢測(cè)題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2025-06-23 15:22
【總結(jié)】第1章檢測(cè)題()一、填空題:()1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2024-08-14 09:36
【總結(jié)】第一章習(xí)題答案一、填空題1.增大、增大、下2.濃度差異、電場(chǎng)3.五、三4.自由電子、空穴、空穴、自由電子5.N、自由電子、空穴6.本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體7.高于8.正偏、反偏、單向?qū)щ娦?.電擊穿、熱擊穿10.高、低、單向?qū)щ?1.限流電阻12.點(diǎn)接觸、面接觸13.減小、增大14.大、小1
2025-06-24 23:32
【總結(jié)】1習(xí)題答案第一章數(shù)制和碼制1.?dāng)?shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)各有什么特點(diǎn)?答:模擬信號(hào)——量值的大小隨時(shí)間變化是連續(xù)的。數(shù)字信號(hào)——量值的大小隨時(shí)間變化是離散的、突變的(存在一個(gè)最小數(shù)量單位△)。2.在數(shù)字系統(tǒng)中為什么要采用二進(jìn)制?它有何優(yōu)點(diǎn)?答:簡(jiǎn)單、狀態(tài)數(shù)少,可以用二極管、三極管的開關(guān)狀態(tài)來對(duì)應(yīng)二進(jìn)制的兩
2024-10-29 09:13
【總結(jié)】部分習(xí)題參考答案(a)發(fā)功元件(b)消耗元件(c)消耗元件在額定電流不變情況下,380V電壓上的功率為380/220*60=,會(huì)出現(xiàn)電壓過大甚至燒毀的情況。110V電壓上的功率為110/220*60=30W,會(huì)出現(xiàn)電壓過小,燈泡灰暗甚至不亮的情況。(1)U負(fù)載電路U開路電路U
2024-11-07 10:35
【總結(jié)】《自測(cè)題、思考題與習(xí)題》參考答案第1章自測(cè)題一、;溫度。;增大。;最大整流電流IF;最大反向工作電壓URM。;;;。5.15V;;;;6V;。;整流。二、1.①;⑤;②;④。2.②;①。3.①。4.③。5.③。6.③。三、1、2、5、6對(duì);3、4錯(cuò)。思考題與習(xí)題由直流通路(圖略)得ID=()/×103≈;則有rd≈26(mV)/ID(mA)=。再