【正文】 1 目錄 習(xí)題 一 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 分析計(jì)算題 ????????? 習(xí)題 二 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 分析計(jì)算題 ????????? 習(xí)題 三 ??????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 思考題 ??????????? 六、 分析計(jì)算題 ????????? 習(xí)題 四 ??????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 思考題 ??????????? 習(xí)題 五 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 計(jì)算題 ??????????? 習(xí)題 六 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 判斷 題 ??????????? 五 、 分析 計(jì)算題 ?????????? 習(xí)題 七 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 計(jì)算題 ??????????? 實(shí)驗(yàn)一 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告一 ??????????? 實(shí)驗(yàn)二 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 二 ??????????? 實(shí)驗(yàn)三 ?? ?????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 三 ??????????? 實(shí)驗(yàn)四 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 四 ??????????? 實(shí)驗(yàn)五 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 五 ??????????? 實(shí)驗(yàn)六 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 六 ??????????? 實(shí)驗(yàn)七 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 七 ??????????? 實(shí)驗(yàn)八 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 八 ??????????? 2 習(xí)題 一 一、 填空題 1．自然界的物質(zhì)按導(dǎo)電性可分為 絕緣體 、 導(dǎo)體 和 半導(dǎo)體 三類。 2．本征半 導(dǎo)體是 不含雜質(zhì) 且 無晶格缺陷 的 半導(dǎo)體。 3．雜質(zhì)半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體是中摻入 特定的雜質(zhì) 而形成的。 4．半導(dǎo)體中有兩種 運(yùn)載電荷的粒子 自由電子 和 空穴 ，它們統(tǒng)稱 載流子 。 空 穴 的出現(xiàn)是 半導(dǎo)體稱 區(qū)別于 導(dǎo)體 的重要特征 。 5． 在征半導(dǎo)體中，摻入三價(jià)元素 硼 ，就成為 P 型 半導(dǎo)體，又稱 空穴 型 半導(dǎo)體，它的多子是 空穴 ，少子 是 自由電子 。 6．在征半導(dǎo)體中，摻入五價(jià)元素 磷 ，就成為 N 型 半導(dǎo)體，又 稱 電子 型 半導(dǎo)體，它的多子是 自由電子 ，少子 是 空穴 。 7． PN 結(jié)又叫 特殊導(dǎo)電 層，它的主要特性是 單向?qū)щ? 性。 8． 二極管 主要 由一個(gè) PN 結(jié)構(gòu)成 。 從 P 區(qū)引出 的電極 叫 陽 極 ， 從 N區(qū)引出 的電極 叫 陰 極。 9． 二極管 兩端的電壓和流過 二極管 的電流之間關(guān)系稱 二極管 的伏安特性，通過儀器可以測(cè)出 二極管 的伏安特性曲線 。 10．穩(wěn)壓 二極管 由 硅 材料制成的，它工作 于 反向擊穿 狀態(tài)才呈現(xiàn)穩(wěn)壓特性。 12． 二極管 的主要參數(shù)有 正向額定工作電流 、 最高反向工作電壓 和 反向漏電流 等 。 12．晶體管有 兩 個(gè) PN結(jié)。按材料分，有 硅 管和 鍺 管兩類；按 PN結(jié)結(jié)構(gòu)來分，有 NPN 型和 PNP 型兩種。 13． 晶體管有三個(gè)電極，分別叫 基 極，用 b 表示； 集電極 極，用 c 表示； 發(fā)射 極，用 e 表示。 14． 用數(shù)字萬用表二極管擋測(cè) 量 晶體管時(shí)，可以把它等效看成為共用 基 極的雙二極管。 15絕大多數(shù)情 況下，不能 將 晶體管簡(jiǎn)單等同為 雙二極管，這是因?yàn)?晶體管集電區(qū) 面積較大 ； 基區(qū) 較薄 ， 摻雜濃度低 ； 發(fā)射區(qū) 摻雜濃度較高 。 16． 晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié) 反 偏或 零 偏，集電 結(jié) 反 偏。 17． 晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其 發(fā)射結(jié) 正偏， 集電 結(jié) 反偏，集電極電流 與 基極電流的關(guān)系為 IC=β IB 。 18． 晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié) 正 偏，集電 結(jié) 反 偏，基極電流 與 集電極電流的關(guān)系為 ICβ IB 。 19．晶體管的主要參數(shù)有 集電極最大電流 、 集 射極擊穿電壓 、 集電極允許功耗 、 共射特征頻率 。 20． 晶閘管內(nèi)部包含 3 個(gè) PN結(jié) ， 可 等效為一個(gè) NPN 型 晶體管 和一個(gè) PNP 型 晶體管的連接。 21． 晶閘管是 的簡(jiǎn)稱，又稱為 可控硅 。 22． 晶閘管 有三種狀態(tài)，分別是 正向阻斷 、 正向?qū)? 、 反向阻斷 。 23．使 晶閘管陽極電流減小到一定數(shù)值 IH時(shí)，會(huì)導(dǎo)致晶閘管不能維持正向?qū)?，這種關(guān)斷稱為 正向阻斷 ， IH 稱為 維持電流 。 3 二、判斷題 在括號(hào)內(nèi)用“ √ ”或“ ⅹ”表明下列說法是否正確。 1．金屬都是導(dǎo)體，它們主要靠自由電子傳導(dǎo)電流。 （ √ ） 2．半導(dǎo)體主要靠空 穴 導(dǎo)電。 （ ⅹ ） 3．在半導(dǎo)體中摻入其它物質(zhì)就稱雜質(zhì)半導(dǎo)體。 （ ⅹ ） 4．在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素 硼 ，就成為 N型 半導(dǎo)體。 （ ⅹ ） 5．在 P 型半導(dǎo)體中，空 穴 濃度大于 自由 電子濃度，所以它帶正電。 （ ⅹ ） 6． 采用不同的摻雜工藝，將 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在兩者交界面形成 PN 結(jié)。 （ √ ） 7． 從 PN結(jié)兩個(gè)雜質(zhì) 半導(dǎo)體 引出兩個(gè)電極，并配以合適封裝，就成為二極管。 （ √ ） 8． 二極管在正向?qū)〞r(shí)，管壓降為 。 （ ⅹ ） 9．從 PN結(jié)的結(jié)面積大，通過的電流也越大。 （ √ ） 10．變?nèi)荻O管是點(diǎn)接觸型二極管。 （ √ ） 11．穩(wěn)壓二極管一旦擊穿，它就一定損壞了。 （ ⅹ ） 12．穩(wěn)壓二極管按材料分有硅管和鍺管。 （ ⅹ ） 13． 晶體管的電流放大作用，其實(shí)質(zhì)就是用一個(gè)較小的電流控制一個(gè)較大的電流。 （ √ ） 14．作為 晶體 管，對(duì)于每一個(gè)基極電流，都有一條輸出 特性曲線 與之對(duì)應(yīng) 。 （ √ ） 15．晶體管發(fā)射結(jié)正偏時(shí)，它一定處于導(dǎo)通狀態(tài)。 （ ⅹ ） 16．晶閘管正向?qū)ê?，在門極加反偏電可使其阻斷。（ ⅹ ） 三 、 選擇題 1．半導(dǎo)體 中 傳導(dǎo)電流的載流子是 B 。 A． 電子 B． 電子和空穴 C．空穴 2．往本征半導(dǎo)體中加 A 元素可形成 N型半導(dǎo)體 。 A．五價(jià) B．四價(jià) C．三價(jià) 3．當(dāng)溫度升高時(shí)， 二極管 的反向 漏 電流將 A 。 A．增大 B．不變 C．減小 4．穩(wěn)壓二極管的是用 B 材料制成的。 A． 鍺 B． 硅 C．硅或 鍺 5． 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)，其內(nèi)部 PN 節(jié)處于 C 狀態(tài)。 A．正向?qū)? B． 反向截止 C． 反向擊穿 6． 用直流電壓表測(cè)得放大電路中某三極管各極電位分別是 2V、6V、 ，則三個(gè)電極分別是 C ，該管是 D 型。 A、（ B、 C、 E） B、（ C、 B、 E） C、（ E、 C、 B） D、（ NPN） E、（ PNP） 7． 當(dāng)晶體管 工作于放大 狀態(tài) 時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)應(yīng)為 B 。 A．前者反偏、后者也反偏 B． 前者正偏、后者反偏 C． 前者正偏、后者也正偏 8． 當(dāng)晶體管 工作于 飽和狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)應(yīng)為 C 。 A．前者反偏、后者也反偏 B． 前者正偏、后者反偏 C． 前者正偏、后者也正偏 9． 在晶體管的輸出特性曲線中，每一條曲線都與 B 對(duì)應(yīng)。 A．輸 出 電壓 B． 基極電流 C． 基極電壓 10．工作于放大區(qū) 的 晶體管 ，若 IB從 12μA增大到 22μA時(shí)，IC 從 1mA變?yōu)?2mA，那么它的 β約為 B 。 A． 83 B． 100 C． 91 4 四 、 問答題 1． 什么是本征半導(dǎo)體？什么是雜質(zhì)半導(dǎo)體？各有什么特征？ 2．半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪些？ 3．硅 二極管和鍺二極管有 哪些區(qū)別 ？ 4． 能否將 1N4148兩端 ?為什么 ?接到發(fā)光二極管兩端呢 ?為什么 ? 5． 晶體管三個(gè)電極的電流哪個(gè)最大 ?哪個(gè)最小 ?哪兩個(gè)相 近 ? 6． 測(cè)得某電路中幾個(gè)晶體管各電極電位如題 圖 11所示，試分析各管處于何種工作狀態(tài) ?并分別說明管子是硅管還是鍺管。 a） b） c） d） 題 圖 11 放大 /硅管 飽和 /硅管 截止 /硅或鍺管 放大 /鍺管 7． 已知 兩只晶體管 的電流放大系數(shù) β分別是 100和 50，現(xiàn)測(cè)得放大 電 路中，這兩只管子兩個(gè)電極的電流如題 圖 12 所示。分別求出另一電極的電流（ 標(biāo)出實(shí)際方向 ） ，并在圓圈中畫出 晶體管符號(hào) 。 5 a） b） 題 圖 12 8． 測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如題 圖 13所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明管子是硅管還是鍺管。 題 圖 13 9． 分別 判斷題 圖 14所示電路 ， 晶體管是否有可能工作于放大狀態(tài)。 題 圖 14 三 、 分析計(jì)算題 1．某 晶體管特性曲線 如 教科書中 圖 129所示。 （ 1） 試求 晶體管的直流放大系數(shù) β為多少 ？ （ 2） 試求與 1BI 、 2BI 、 3BI 分別對(duì)應(yīng)的 1CI 、 2CI 、 3CI 分別為多少 ？ 解： （ 1） BI? = 2BI 1BI =（ 8040） μA=40μA CI? = 放大 放大 放大 截止 放大 燒壞 6 所以，有BCII???? = AmA? = （ 2） 1BI 、 2BI 、 3BI 分別對(duì)應(yīng)的 1CI 、 2CI 、 3CI 分別為 1CI =β ? 1BI =? 40μA= 2CI =β ? 2BI =? 80μA= 3CI =β ? 3BI =? 120μA= 2． 寫出 題 圖 15 所示 電路