模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識點總結(jié)解析-文庫吧
2024-10-15 05:51 本頁面
【正文】 ,理想直流電壓源視為短路。 *作用 分析信號被放 大的過程。 *交流負載線 連接 Q 點和 V CC’點 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直線。 3. 靜態(tài)工作點與非線性失真 （ 1）截止失真 *產(chǎn)生原因 Q 點設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象 NPN 管削頂， PNP 管削底。 *消除方法 減小 Rb，提高 Q。 （ 2） 飽和失真 *產(chǎn)生原因 Q 點設(shè)置過高 *失真現(xiàn)象 NPN 管削底， PNP 管削頂。 *消除方法 增大 Rb、減小 Rc、增大 VCC 。 4. 放大器的動態(tài)范圍 （ 1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰 峰值。 （ 2）范圍 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＞（ VCC’ － UCEQ ）時，受截止失真限制， UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 5 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＜（ VCC’ － UCEQ ）時，受飽和失真限制， UOPP=2UOMAX=2 （ UCEQ－ UCES）。 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＝（ VCC’ － UCEQ ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六 . 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析 （ 1）靜態(tài)工作點的近似估算 （ 2） Q 點在放大區(qū)的條件 欲使 Q 點不進入飽和 區(qū)，應(yīng)滿足 RB＞ βRc 。 2. 放大電路的動態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 七 . 分壓式穩(wěn)定工作點共射 放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析 6 2．動態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù) 在 Re 兩端并一電解電容 Ce后 輸入電阻 在 Re 兩端并一電解電容 Ce后 * 輸出電阻 八 . 共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析 2．動態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 7 3. 電路特點 * 電壓 放大倍數(shù)為正，且略小于 1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。 167。 22 場效應(yīng)管及其基本放大電路 一 . 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)） 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP 截止電壓 二 . 絕緣柵型場效應(yīng)管（ MOSFET） 分為增強型（ EMOS）和耗盡型（ DMOS）兩種。 結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號 8 2. 特性曲線 *NEMOS 的輸 出特性曲線 * NEMOS 的轉(zhuǎn)移特性曲線 式中， IDO 是 UGS=2UT時所對應(yīng)的 iD值。 * NDMOS 的輸出特性曲線 注意： uGS 可正、可零、可負。轉(zhuǎn)移特性曲線上 iD=0 處的值是夾斷電壓 UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。 三 . 場效應(yīng)管的主要參數(shù) IDSS Up UT RGS gm (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件 ) 四 . 場效應(yīng)管的小信號等效模型 EMOS 的跨導(dǎo) gm 9 五 . 共源極基本放大 電路 * 靜態(tài)分析 動態(tài)分析 若帶有 Cs，則 * 靜態(tài)分析 * 動態(tài)分析 若源極帶有 Cs，則 六 .共漏極基本放大電路 * 靜態(tài)分析 10 或 ， * 動態(tài)分析 ， 11 第 三章 多級放大電路 第 四 章 集成運算放大電路 一 . 級間耦合方式 1. 阻容耦合 各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有 效地傳輸交流信
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