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正文內(nèi)容

00-單片機(jī)原理及接口技術(shù)課程設(shè)計(jì)(變壓器瓦斯保護(hù)儀設(shè)計(jì))(編輯修改稿)

2025-06-26 13:35 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 口,在 FLASH 編程和校驗(yàn)時(shí),P1 口作為第八位地址接收,能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) LSTTL 門電路。P2 口(~ 共 8 條引腳,即 21~28):P2 口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口,一是做普通 I/O 口,二是在訪問外部存儲(chǔ)器時(shí),它提供高八位地址。能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) LSTTL 門電路。P3 口(~ 共 8 條引腳,即 10~17):P3 口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口,一是做普通 I/O 口,還具有第二功能,能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) LSTTL門電路。本科生課程設(shè)計(jì)(論文)5EA/VP31X119X218RESET9RD17WR16INT012INT113T014T115P101P112P123P134P145P156P167P178P00 39P01 38P02 37P03 36P04 35P05 34P06 33P07 32P20 21P21 22P22 23P23 24P24 25P25 26P26 27P27 28PSEN 29ALE/P 30TXD 11RXD 1089C51 89C51引腳圖 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展89C51 片內(nèi)有 128B 的 RAM 存儲(chǔ)器,在實(shí)際應(yīng)用中僅靠這 128B 的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。在這種情況下我們可利用 89C51 單片機(jī)所具有的擴(kuò)展功能,擴(kuò)展外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。89C51 單片機(jī)最大可擴(kuò)展 64KB RAM。常用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有靜態(tài)存儲(chǔ)器 RAM 和動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,由于在實(shí)際應(yīng)用中,需要擴(kuò)展的容量不大,所以本次采用容量為 2K 的 6116 芯片。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間地址同程序存儲(chǔ)器一樣,由 P2 口提供高 8 位地址,P0 口分時(shí)提供低 8 位地址和 8 位數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀和寫由 和 信號(hào)控制,而RDW程序存儲(chǔ)器由讀選通信號(hào) 控制,兩者雖然共處同一地址空間,但由于控制PSEN信號(hào)不同,故不會(huì)發(fā)生總線沖突。地址鎖存器采用 8282,其與 89C51 和 6116 的硬件連接圖如圖 所示:本科生課程設(shè)計(jì)(論文)6EA/VP31X119X218RESET9RD17WR16INT012INT113T014T115P101P112P123P134P145P156P167P178P00 39P01 38P02 37P03 36P04 35P05 34P06 33P07 32P20 21P21 22P22 23P23 24P24 25P25 26P26 27P27 28PSEN 29ALE/P 30TXD 11RXD 1089C51D01 Q0 19D12 Q1 18D23 Q2 17D34 Q3 16D45 Q4 15D56 Q5 14D67 Q6 13D78 Q7 12OE9STB118282A08A17A26A35A44A53A62A71A823A922A1019OE 18CE 20WE 21D09D110D211D313D414D515D616D7176116圖 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路 復(fù)位電路設(shè)計(jì)復(fù)位操作可以使單片機(jī)初始化,也可以使死機(jī)狀態(tài)下的單片機(jī)重新啟動(dòng),因此復(fù)位電路非常重要。單片機(jī)的復(fù)位都是靠外部復(fù)位電路來實(shí)現(xiàn)的,在時(shí)鐘電路工作后,只要在單片機(jī)的 RESET 引腳上出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平即可實(shí)現(xiàn)單片機(jī)復(fù)位。為了保證系統(tǒng)可靠復(fù)位,在設(shè)計(jì)復(fù)位電路時(shí),一般使 RESET 引腳保持 10ms 以上的高電平,單片機(jī)便可可靠的復(fù)位。當(dāng) RESET 引腳從高電平變?yōu)榈碗娖揭院?,單片機(jī)從 0000H 地址開始執(zhí)行程序。在復(fù)位有效期間,ALE 和引腳輸出高電平。PSEN89C51 單片機(jī)外部復(fù)位電路接 RESET 引腳,RESET 通過內(nèi)部一個(gè)施密特觸發(fā)器與內(nèi)部復(fù)位電路相連,施密特觸發(fā)器用來整形,它的輸出在每個(gè)機(jī)器周期的S5P2 由內(nèi)部復(fù)位電路采樣一次。如圖 所示為按鍵式復(fù)位電路,這種復(fù)位電路上電復(fù)位利用電容來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)上電時(shí),電容 C 充電,電路有電流流過,通過 R1 和 R2 構(gòu)成回路,在電阻 R 上產(chǎn)生壓降,RESET 引腳為高電平;當(dāng)電容 C 充滿電后,電路相當(dāng)于斷開,RESET的電位與地相同,復(fù)位結(jié)束。 本科生課程設(shè)計(jì)(論文)7R 120 0R 21K+22 uFR ESETVCCR ESETVCCVSS圖 按鍵式復(fù)位電路 時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)89C51 內(nèi)部有一個(gè)高增益反向放大器,用于構(gòu)成片內(nèi)振蕩器,引腳 XTAL1 和XTAL2 兩端跨接晶體或陶瓷振蕩器,就夠成了穩(wěn)定的自己振蕩器,其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器,外接晶振時(shí),CC2 值通常選擇為 30pF 左右,可穩(wěn)定頻率并對(duì)振蕩頻率有微調(diào)作用,振蕩頻率范圍是 0~24MHz。為了減少寄生電容,更好地保證振蕩器穩(wěn)定可靠的工作,諧振器和電容應(yīng)盡可能安裝的與單片機(jī)芯片靠近一些,振蕩電路如圖 所示。信信12 MHzC 130 pFC 230 pF圖 單片機(jī)振蕩電路圖 CPU 最小系統(tǒng)圖最小系統(tǒng)如圖 所示:本科生課程設(shè)計(jì)(論文)8EA/VP31X119X218RESET9RD17WR16INT012INT113T014T115P101P112P123P134P145P156P167P178P00 39P01 38P02 37P03 36P04 35P05 34P06 33P07 32P20 21P21 22P22 23P23 24P24 25P25 26P26 27P27 28PSEN 29ALE/P 30TXD 11RXD 1089C51D01 Q0 19D12 Q1 18D23 Q2 17D34 Q3 16D45 Q4 15D56 Q5 14D67 Q6 13D78 Q7 12OE9STB118282A08A17A26A35A44A53A62A71A823A922A1019OE 18CE 20WE 21D09D110D211D313D414D515D616D71761
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